Datasheet SFH300, SFH300-2, SFH300-3, SFH300-4, SFH300FA Datasheet (Siemens)

...
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SFH 300 SFH 300 FA
Semiconductor Group 240
.
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300) und bei 880 nm (SFH 300 FA)
Hohe Linearität
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
Computer-Blitzlichtgeräte
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Industrieelektronik
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA)
High linearity
5 mm LED plastic package
Available in groups
Applications
Computer-controlled flashes
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
SFH 300 SFH 300 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feof6652 feo06652
10.95
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Semiconductor Group 241
SFH 300 SFH 300 FA
1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Typ (*vorher) Type (*formerly)
Bestellnummer Ordering Code
Typ (*vorher) Type (*formerly)
Bestellnummer Ordering Code
SFH 300 (*BP 103 B)
Q62702-P1189 SFH 300 FA
(*BP 103 BF)
Q62702-P1193
SFH 300-2 (*BP 103 B-2)
Q62702-P85-S2 SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2)
Q62702-P1192
SFH 300-3 (*BP 103 B-3)
Q62702-P85-S3 SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3)
Q62702-P1057
SFH 300-4
1)
(*BP 103 B-4)
Q62702-P85-S4 SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4)
Q62702-P1058
Grenzwerte Maximum Ratings
Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s
T
S
260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit
t ≤ 3 s
Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s
T
S
300 °C
Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage
V
CE
35 V
Kollektorstrom Collector current
I
C
50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current
I
CS
100 mA
Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage
V
EC
7V
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SFH 300 SFH 300 FA
Semiconductor Group 242
Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation
P
tot
200 mW
Wärmewiderstand Thermal resistance
R
thJA
375 K/W
Kennwerte (
T
A
= 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics Bezeichnung
Description
Symbol Symbol
Wert
Value
Einheit Unit
SFH 300 SFH 300 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850 870 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
λ 420 ... 1130 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area
A 0.12 0.12 mm
2
Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area
L × B L
× W
0.5 × 0.5 0.5 × 0.5 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche Distance chip front to case surface
H
4.1 ... 4.7 4.1 ... 4.7 mm
Halbwinkel Half angle
ϕ±25 ± 25 Grad
deg.
Kapazität,
V
EC
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C
CE
6.5 6.5 pF
Dunkelstrom Dark current
V
CE
= 35 V, E = 0
I
CEO
5 (100) 5 ( 100) nA
Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
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Semiconductor Group 243
SFH 300 SFH 300 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert
Value
Einheit Unit
-2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
SFH 300:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.63 ... 1.25
3.4
1 ... 2
5.4
1.6
8.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time
I
C
= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k
t
r
, t
f
7.5 10 10 µs
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage
I
C
= I
PCEmin
1)
× 0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
130 140 150 mV
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SFH 300 SFH 300 FA
Semiconductor Group 244
Relative spectral sensitivity, SFH 300 S
rel
= f (λ)
Photocurrent
I
PCE/IPCE25
o
= f (TA), VCE= 5 V
Relative spectral sensitivity, SFH 300 FA S
rel
= f (λ)
Photocurrent
I
PCE
= f (Ee), VCE= 5 V
Dark current
I
CEO/ICEO25
o
= f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Dark current
I
CEO
= f (VCE), E = 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
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