Datasheet SFH300, SFH300-2, SFH300-3, SFH300-4, SFH300FA Datasheet (Siemens)

SFH 300
SFH 300 FA

Semiconductor Group 240

.

NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)

● Hohe Linearität

● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

● Gruppiert lieferbar

Anwendungen

● Computer-Blitzlichtgeräte

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

Features

● Especially suitable for applications from

420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)

● High linearity

● 5 mm LED plastic package

● Available in groups

Applications

● Computer-controlled flashes

● Photointerrupters

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

SFH 300
SFH 300 FA

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

feof6652 feo06652

10.95

Semiconductor Group 241

SFH 300
SFH 300 FA

1)

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.

1)

Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

Bestellnummer
Ordering Code

Typ (*vorher)
Type (*formerly)

Bestellnummer
Ordering Code

SFH 300
(*BP 103 B)

Q62702-P1189 SFH 300 FA

(*BP 103 BF)

Q62702-P1193

SFH 300-2
(*BP 103 B-2)

Q62702-P85-S2 SFH 300 FA-2

(*BP 103 BF-2)

Q62702-P1192

SFH 300-3
(*BP 103 B-3)

Q62702-P85-S3 SFH 300 FA-3

(*BP 103 BF-3)

Q62702-P1057

SFH 300-4

1)

(*BP 103 B-4)

Q62702-P85-S4 SFH 300 FA-4

(*BP 103 BF-4)

Q62702-P1058

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

T

op

; T

stg

– 55 ... + 100 °C

Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 5 s

Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s

T

S

260 °C

Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit

t ≤ 3 s

Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s

T

S

300 °C

Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage

V

CE

35 V

Kollektorstrom
Collector current

I

C

50 mA

Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current

I

CS

100 mA

Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage

V

EC

7V

SFH 300
SFH 300 FA

Semiconductor Group 242

Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation

P

tot

200 mW

Wärmewiderstand
Thermal resistance

R

thJA

375 K/W

Kennwerte (

T

A

= 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

SFH 300 SFH 300 FA

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

850 870 nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

λ 420 ... 1130 730 ... 1120 nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

A 0.12 0.12 mm

2

Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area

L × B
L

× W

0.5 × 0.5 0.5 × 0.5 mm × mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

H

4.1 ... 4.7 4.1 ... 4.7 mm

Halbwinkel
Half angle

ϕ±25 ± 25 Grad

deg.

Kapazität,

V

EC

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

C

CE

6.5 6.5 pF

Dunkelstrom
Dark current

V

CE

= 35 V, E = 0

I

CEO

5 (≤ 100) 5 (≤ 100) nA

Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

Semiconductor Group 243

SFH 300
SFH 300 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.

1)

I

PCEmin

ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1)

I

PCEmin

is the min. photocurrent of the specified group

Bezeichnung
Description

Symbol
Symbol

Wert

Value

Einheit
Unit

-2 -3 -4

Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent

E

e

= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

SFH 300:

E

v

= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

V

CE

= 5 V

I

PCE

I

PCE

0.63 ... 1.25

3.4

1 ... 2

5.4

≥ 1.6

8.6

mA

mA

Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time

I

C

= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

t

r

, t

f

7.5 10 10 µs

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage

I

C

= I

PCEmin

1)

× 0.3,

E

e

= 0.5 mW/cm

2

V

CEsat

130 140 150 mV

SFH 300
SFH 300 FA

Semiconductor Group 244

Relative spectral sensitivity,
SFH 300 S

rel

= f (λ)

Photocurrent

I

PCE/IPCE25

o

= f (TA), VCE= 5 V

Relative spectral sensitivity,
SFH 300 FA S

rel

= f (λ)

Photocurrent

I

PCE

= f (Ee), VCE= 5 V

Dark current

I

CEO/ICEO25

o

= f (TA), VCE = 25 V, E = 0

Dark current

I

CEO

= f (VCE), E = 0

Collector-emitter capacitance

C

CE

= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0

Directional characteristics S

rel

= f (ϕ)