Datasheet SFH2801 Datasheet (Siemens)

SFH 2801

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time

SFH 2801

fmx06406

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● Si-PIN Fotodiode

● Niedrige Sperrschicht- und Gehäuse-

Kapazitäten

● Kurze Schaltzeit

● Niedriger Dunkelstrom

● Kathode galvanisch getrennt vom Gehäuse

Anwendungen

● Optischer Sensor mit großer Modulations-

Bandbreite

● Datenübertragung bis zu 565 Mbit/s

Typ Type

Bestellnummer Ordering Code

Stecker/Flansch Connector/Flange

Features

● Si-PIN-photodiode

● Low junction and low package capacitance

● Fast switching times

● Low dark current

● Cathode electrically isolated from case

Applications

● Optical sensor of high modulation bandwidth

● Data communication up to 565 Mbit/s

SFH 2801 Q62702-P3018 TO-18, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Ge-

häuse, Lötanschlüsse im 2.54 mm Raster (1/10") TO-18, plane glass window, hermetically sealed package solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10")

Semiconductor Group 1 1998-10-06

Grenzwerte Maximum Ratings

SFH 2801

Bezeichnung Description

Sperrspannung Reverse voltage

Isolationsspannung zum Gehäuse Isolation voltage to case

Betriebs- und Lagertemperaturbereich Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Wellen-/Tauchlötung) (Lötstelle 2 mm von Bodenplatte entfernt bei Lötzeit t ≤ 10 s) Soldering temperature (wave/dip soldering) in 2 mm distance from base plate (t ≤ 10 s)

Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics

Bezeichnung Description

Symbol Symbol

V

R

V

IS

T

; T

op

stg

T

S

Symbol Symbol

Wert Value

Einheit Unit

50 V

100 V

– 40 ... + 125 °C

260 °C

Wert

Value

Einheit Unit

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity

Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity

λ = 850 nm λ = 950 nm

Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time

R

= 50 Ω, VR = 50 V, λ = 850 nm

L

Sperrschicht-Kapazität bei f = 1 MHz Junction capacitance at f = 1 MHz

V

= 0 V

R

V

= 1 V

R

V

= 12 V

R

V

= 20 V

R

Dunkelstrom Dark current

V

= 20 V, E = 0

R

λ

S S

t

C C C C

I

i

D

S max

λ850 λ950

; t

f

0 1 12 20

850 nm

0.55 (≥ 0.45)

0.45

A/W A/W

1ns

13 7

3.3 3

pF pF pF pF

1 (≤ 5) nA

Semiconductor Group 2 1998-10-06

Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d)

SFH 2801

Bezeichnung Description

Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power

V

= 20 V, λ = 850 nm

R

Nachweisgrenze Detection limit

V

= 20 V, λ = 850 nm

R

Temperaturkoeffizient von I Temperature coefficient of I

P P

Isolationsstrom Isolation current

V

= 100 V

IS

Symbol Symbol

NEP

Wert

Value

3.3 × 10

– 14

Einheit Unit

W

√Hz

D* 3.1 × 10

12

cm · √Hz W

TC 0.2 %/K

I

18

0.1 (≤ 1) nA

Semiconductor Group 3 1998-10-06

SFH 2801

Relative spectral sensitivity S = f (λ)

100

%

S

90

rel

80 70 60 50 40 30 20 10

0

400

600 800 1000

OHF00460

nm

L

Photocurrent

I

= f (E)

P

2

10

A

µ

Ι

P

1

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

10 10

OHF00462

-2

10

-1

mW/cm

1

2

10

E

Dark current

2

10

nA

Ι

R

1

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

10

0

I

= f (VR)

R

OHF00463

10 20 30 40 50V

V

Dark current

E = 0, V

10

nA

Ι

R

10

R

= 20 V

R

3

2

1

0

-1

-2

-3

-50

I

= f(TA)

R

OHF00464

˚C-25 0 25 50 75 100

T

A

Semiconductor Group 4 1998-10-06

Dark current IR = f(VR) Junction capacity C = f(VR)

E = 0, f = 1 MHz

SFH 2801

5

10

nA

Ι

R

4

10

125 ˚C

OHF00465

12 pF

C

OHF00466

10

3

2

1

0

100 ˚C

75 ˚C

50 ˚C

25 ˚C

8

6

4

10

-1

-2

-3

0

0 ˚C

-10 ˚C

V10 20 30

V

R

2

0

10

-1

01

10

V

10

V

R

2

Semiconductor Group 5 1998-10-06