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SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Semiconductor Group 1
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 2540 Q SFH 2540 FA Q62702-P1795
SFH 2545 Q SFH 2545 FA Q
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2540/2545) und bei 880 nm
(SFH 2540 FA/2545 FA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
● Für Oberflächenmontage geeignet
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2540/2545) and of
880 nm (SFH 2540 FA/2545 FA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
● Suitable for surface mounting
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
07.96
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SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Semiconductor Group 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
; T
stg
– 55 ... + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
T
S
230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50 V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
100 mW
Kennwerte
(T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 2540
SFH 2545
SFH 2540 FA
SFH 2545 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
V
R
= 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm
2
S
S
100 (> 75)
–
–
70 (> 50)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A 11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L × B
L
× W
1 × 11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
3.9 ... 4.4 3.9 ... 4.4 mm
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SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Semiconductor Group 3
Halbwinkel
Half angle
ϕ±15 ± 15 Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
I
R
1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
S
λ
0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
η 0.89 0.86
Electrons
Photons
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm
V
O
V
O
430 (> 360)––
390 (> 320)mVmV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm
I
SC
I
SC
100
–
–
35
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
t
r
, t
f
55 ns
Kapazität,
V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C
0
11 11 pF
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of V
O
TC
V
– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of I
SC
Normlicht/standard light A
λ = 870 nm
TC
I
0.18
–
–
0.1
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V, λ = 850 nm
NEP
2.9 × 10
– 14
2.9 × 10
– 14
W
√Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit
D* 3.5 × 10
12
3.5 × 10
12
cm · √Hz
W
Kennwerte
(T
A
= 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 2540
SFH 2545
SFH 2540 FA
SFH 2545 FA
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SFH 2540/FA
SFH 2545/FA
Semiconductor Group 4
Relative spectral sensitivity
S
rel
= f (λ)
SFH 2540/2545
Photocurrent I
P
= f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage V
O
= f (Ee)
SFH 2540 FA/2545 FA
Relative spectral sensitivity
S
rel
= f (λ)
SFH 2540 FA/2545 FA
Total power dissipation
P
tot
= f (TA)
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
O
= f (Ev)
SFH 2540/2545
Dark current
I
R
= f (VR), E = 0
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
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