Datasheet SFH217, SFH217F Datasheet (Siemens)

SFH 217
SFH 217 F

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter

Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

SFH 217
SFH 217 F

Wesentliche Merkmale

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 217)
und bei 880 nm (SFH 217 F)

● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)

● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Anwendungen

● Industrieelektronik

● “Messen/Steuern/Regeln”

● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● LWL

Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)

SFH 217

Bestellnummer
Ordering Code

Q62702-P946 plan, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-

(*SFH 203 P)
SFH 217 F

Q62702-P947

(*SFH 203 PFA)

Features

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm (SFH 217) and of
880 nm (SFH 217 F)

● Short switching time (typ. 5 ns)

● 5 mm LED plastic package

Applications

● Industrial electronics

● For control and drive circuits

● Light reflecting switches for steady and

varying intensity

● Fiber optic transmission systems

Gehäuse
Package

spieβe im 2.54-mm-Raster (

1

/10)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieβ, flach
am Gehäusebund

plane, transparent and black epoxy resin, solder tab

2.54 mm (

1

/10) lead spacing, cathode marking: short

solder tab, flat at package

Grenzwerte
Maximum Ratings

SFH 217
SFH 217 F

Bezeichnung
Description

Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung
Total power dissipation

Kennwerte (T

= 25oC)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Symbol
Symbol

T

; T

op

stg

T

S

V

R

P

tot

Symbol
Symbol

Wert
Value

–55 ... +100

300

Einheit
Unit

o

o

50 V

100 mW

Wert
Value

SFH 217 SFH 217 F

C

C

Einheit
Unit

Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity

V

= 5 V, Normlicht/standard light A,

R

T = 2856 K

= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm

V

R

2

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S

max

Spectral range of sensitivity
S = 10% of S

max

Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche
Distance chip front to case surface

S

S

λ

S max

9.5 (≥ 5)

–

–

3.1 (≥ 1.8)

nA/Ix

µA

850 900 nm

λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm

A 11mm

L x B

1x1 1x1 mm

2

L x W
H 0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm

SFH 217
SFH 217 F

Kennwerte (T

= 25oC)

A

Characteristics
Bezeichnung

Description

Halbwinkel
Half angle

Dunkelstrom, V

= 20 V

R

Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm

Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm

Quantum yield
Leerlaufspannung

Open-circuit voltage

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

v

T = 2856 K

= 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm

E

e

Kurzschluβstrom
Short-circuit current

E

= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

v

T = 2856 K

= 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm

E

e

Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent

R

= 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA

L

Durchlaβspannung, I

= 80 mA, E = 0

F

Forward voltage

Symbol
Symbol

Wert
Value

Einheit
Unit

SFH 217 SFH 217 F

ϕ±75 ± 75 Grad

deg.

I

R

S

λ

η 0.89 0.86

1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA

0.62 0.59 A/W

Electrons
Photon

V

L

V

L

I

K

I

K

t

, t

r

f

V

F

350 (≥ 300)––

300 (≥ 250)mVmV

9.3

–

–

3.0

µA

µA

55ns

1.3 1.3 V

Kapazität, V

= 0 V, f = 1 MHz, E = 0

R

Capacitance
Temperaturkoeffizient von V

Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I

Temperature coefficient of I

L
L

K,
K

Normlicht/standard light A,
λ = 950 nm

Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power

V

= 20 V, λ = 850 nm

R

Nachweisgrenze, V

= 20 V, λ = 850 nm

R

Detection limit

C

TC

TC

0

V

I

11 11 pF

–2.6 –2.6 mV/K

0.18
–

NEP 2.9 x 10

D* 3.5 x 10

–14

12

–

0.2

2.9 x 10

3.5 x 10

–14

12

%/K

W

√

Hz

cm · √Hz
W

SFH 217
SFH 217 F

Relative spectral sensitivity SFH 217

S

= f (λ)

rel

Photocurrent I

= f (Ee), VR = 5 V

P

Open-circuit-voltage SFH 217 F

V

= f (Ee)

L

Relative spectral sensitivity SFH 217 F

S

= f (λ)

rel

Total power dissipation P

= f (TA)

tot

Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage SFH 217V

Dark current

I

= f (VR), E = 0

R

=f (Ev)

L

Directional characteristics S

rel

= f (ϕ)

Capacitance

C = f (V

), f = 1 MHz, E = 0

R