Page 1
SFH 214
SFH 214 FA
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
New: Silicon PIN Photodiode with Very Short
Switching Time
SFH 214
SFH 214 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 214) und bei 880 nm (SFH 214 FA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● LWL
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 214) and of
880 nm (SFH 214 FA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
● Fiber optic transmission systems
SFH 214 Q62702-P922
feof6652 feo06652
SFH 214 FA Q62702-P1672
Semiconductor Group 1
03.96
Page 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 214
SFH 214 FA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Total power dissipation
Kennwerte
(T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
300 °C
50 V
100 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
T = 2856 K,
V
= 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
2
SFH 214 SFH 214 FA
S
S
λ
S max
45 (≥ 30)
–
–
25 (≥ 20)
nA/Ix
µA
850 900 nm
λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm
A 11 mm
L × B
× W
L
H
1 × 11×1mm×mm
3.4 ... 4.0 3.4 ... 4.0 mm
2
Semiconductor Group 2
Page 3
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 214
SFH 214 FA
Bezeichnung
Description
Halbwinkel
Half angle
V
Dunkelstrom,
= 20 V
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K
E
= 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm
e
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K
E
= 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm
e
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
= 80 mA, E = 0
F
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 214 SFH 214 FA
ϕ±40 ± 40 Grad
deg.
I
R
S
λ
η 0.89 0.86
1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
0.62 0.59 A/W
Electrons
Photon
V
O
V
O
I
SC
I
SC
t
, t
r
f
V
F
380 (≥ 300)––
340 (≥ 290)mVmV
42
–
–
12
µA
µA
55 ns
1.3 1.3 V
V
Kapazität,
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I
V
O
O
I
SC
SC
Normlicht/standard light A
λ = 870 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 10 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze,
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Detection limit
Semiconductor Group 3
C
TC
TC
0
V
I
11 11 pF
– 2.6 – 2.6 mV/K
0.18
–
NEP
2.9 × 10
D* 3.5 × 10
– 14
12
–
0.2
2.9 × 10
3.5 × 10
– 14
12
%/K
W
√Hz
cm · √Hz
W
Page 4
SFH 214
SFH 214 FA
Relative spectral sensitivity SFH 214
S
= f (λ)
rel
Photocurrent I
Open-circuit voltage V
SFH 214 FA
= f (Ee), VR = 5 V
P
= f (Ee)
O
Relative spectral sensitivity SFH 214 FA
S
= f (λ)
rel
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
SFH 214
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
= f (Ev)
O
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 4
Loading...