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Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
SFH 205 F
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm , unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen bei
950 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Features
● Especially suitable for applications of
950 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, vid eo
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ (*vorher)
Type (* formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
feof6647
SFH 205 F
Q62702-P102
(* SFH 205)
Semiconductor Group 1 1998-03-17
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Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 205 F
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 1 mW/cm
R
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
230 °C
32 V
150 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
60 (≥ 45) µA
950 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
λ 800 ... 1100 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
Bestrahlungsempfindliche Fläche
max
A 7.00 mm
2
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
L × B
2.65 × 2.65 mm × mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu
L
H
× W
2.3 ... 2.5 mm
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
2 (≤ 30) nA
Dark current
Semiconductor Group 2 1998-03-17
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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics (cont’d)
SFH 205 F
Bezeichnung
Description
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
O
O
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 10 V
R
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
S
λ
Wert
Value
Einheit
Unit
0.59 A/W
η 0.77 Electrons
Photon
V
O
I
SC
t
, t
r
V
F
C
0
TC
TC
NEP
f
V
I
330 (≥ 250) mV
28 µA
20 ns
1.3 V
72 pF
– 2.6 mV/K
0.18 %/K
4.3 × 10
– 14
W
√Hz
D* 6.2 × 10
12
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 3 1998-03-17
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SFH 205 F
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Photocurrent IP= f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
3
10
µ
AmV
Ι
P
= f (Ee)
O
OHF01097
10
Total power dissipation P
4
V
O
160
mW
P
tot
140
2
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
Capacitance
C= f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
100
C
pF
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-2
10
V
O
Ι
P
10110
10010110210V
2
µ
W/cm
-1
2
10
E
e
OHF00081
V
R
10
10
10
10
3
2
1
0
4
120
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 ˚C 100
Dark current
IR= f (TA), VR= 10 V, E = 0
3
10
nA
Ι
R
2
10
1
10
0
10
-1
10
20 40 60 80 ˚C 100
0
= f (TA)
tot
OHF00394
T
A
OHF00082
T
A
Directional characteristics S
40 30 20 10
50
60
70
80
90
100
= f (ϕ)
rel
0
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
0
OHF01402
Semiconductor Group 4 1998-03-17
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