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Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter
Chip positionArea not flat
5.1
4.7
5.3
4.9
mm
spacing
2.54
Cathode
1.8
1.2
0.6
0.5
0.4
0.3
0.8
(3.8)
34
32
0.4
6.3
5.7
SFH 204 F
SFH 204 FA
GEO06964
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen bei
880 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Features
● Especially suitable for applications of
880 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 204 F Q62702-P5052
SFH 204 FA Q62702-P1793
Semiconductor Group 1 1998-11-12
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Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 204 F
SFH 204 FA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
; T
op
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
stg
SFH 204 F
λ = 950 nm
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
230 °C
20 V
150 mW
Wert
Value
SFH 204 FA
λ = 870 nm
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 1 mW/cm
R
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
Halbwinkel horizontal
Half angle horizontal plane
S
λ
S max
52 (≥ 43) 52 (≥ 43) µA
920 900 nm
λ 780 ... 1120 740 ... 1120 nm
A 4.84 4.84 mm
L × B
L
× W
H
ϕ±60 ± 60 Grad
2.20 × 2.20 2.20 × 2.20 mm × mm
1.9 ... 2.4 1.9 ... 2.4 mm
deg.
2
Semiconductor Group 2 1998-11-12
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 204 F
SFH 204 FA
Bezeichnung
Description
Halbwinkel vertikal
Half angle vertical plane
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800
L
µA
Symbol
Symbol
SFH 204 F
λ = 950 nm
ϕ +60
– 75
I
R
S
λ
2 (< 30) 2 (< 30) nA
0.59 0.63 A/W
Wert
Value
SFH 204 FA
λ = 870 nm
+60
–75
Einheit
Unit
Grad
deg.
η 0.77 0.90 Electrons
Photons
V
O
I
SC
t
, t
r
f
340 (> 270) 340 (> 270) mV
25 25 µA
20 20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
O
O
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 10 V
R
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit
V
F
C
0
TC
TC
NEP
V
I
1.3 1.3 V
48 48 pF
– 2.6 – 2.6 mV/K
0.18 0.1 %/K
3.6 × 10
D* 6.1 × 10
14
12
3.6 × 10
6.1 × 10
14
12
W
----------- -
Hz
cm Hz×
--------------------------
W
Semiconductor Group 3 1998-11-12
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SFH 204 F
SFH 204 FA
Relative spectral sensitivity SFH 204 F
S
= f (λ)
rel
Relative spectral sensitivity SFH 204 FA
S
= f (λ)
rel
100
S
rel
%
80
70
60
50
40
30
20
10
0
400
600 800 1000 nm 1200
OHF01430
λ
Photocurrent IP= f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
= f (Ee)
O
Capacitance
C= f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark current
I
= f (TA), VR= 10 V, E = 0
R
3
10
nA
Ι
R
2
10
1
10
0
10
-1
10
20 40 60 80 ˚C 100
0
OHF00082
T
A
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
4000
Ι
R
pA
OHF00080
Total power dissipation P
160
mW
P
tot
140
= f (TA)
tot
OHF00394
3000
2000
1000
0
0 5 10 15 V 20
V
R
120
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 ˚C 100
T
A
Semiconductor Group 4 1998-11-12
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SFH 204 F
SFH 204 FA
Directional characteristics – horizontal plane S
40 30 20 10
50
60
70
80
90
100
Directional characteristics – vertical plane S
0
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
rel
= f (ϕ)
rel
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
= f (ϕ)
OHF01402
Semiconductor Group 5 1998-11-12
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