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SFH 203 P
SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 203 P
SFH 203 PFA
feo06644feof6644
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im Be-
reich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P)
und bei 880 nm (SFH 203 PFA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● LWL
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 203 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P946
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of
880 nm (SFH 203 PFA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Photointerrupters
● Fiber optic transmission systems
(*SFH 217)
SFH 203 PFA
Q62702-P947
(*SFH 217 F)
Semiconductor Group 1
03.96
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Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Total power dissipation
Kennwerte
(T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
300 °C
50 V
100 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
T = 2856 K
V
= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
2
SFH 203 P SFH 203 PFA
S
S
λ
S max
9.5 (≥ 5)
–
–
6.2 (≥ 3.6)
nA/Ix
µA
850 900 nm
λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm
A 11 mm
L × B
× W
L
H
1 × 11×1mm×mm
0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm
2
Semiconductor Group 2
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Bezeichnung
Description
Halbwinkel
Half angle
V
Dunkelstrom,
= 20 V
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K
E
= 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
e
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K
E
= 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
e
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung,
Forward voltage
I
= 80 mA, E = 0
F
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
ϕ±75 ± 75 Grad
deg.
I
R
S
λ
η 0.89 0.86
1 (≤ 10) 1 (≤ 10) nA
0.62 0.59 A/W
Electrons
Photon
V
O
V
O
I
SC
I
SC
t
, t
r
f
V
F
350 (≥ 300)––
9.3
–
300 (≥ 250)
–
3.0
mV
mV
µA
µA
55 ns
1.3 1.3 V
Kapazität,
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
C
V
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I
V
O
O
I
SC
SC
TC
TC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
NEP
Noise equivalent power
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze,
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
D* 3.5 × 10
Detection limit
Semiconductor Group 3
0
V
I
11 11 pF
– 2.6 – 2.6 mV/K
%/K
0.18
–
2.9 × 10
– 14
–
0.2
2.9 × 10
– 14
W
√Hz
12
3.5 × 10
12
cm · √Hz
W
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SFH 203 P
SFH 203 PFA
Relative spectral sensitivity SFH 203 P
S
= f (λ)
rel
Photocurrent I
Open-circuit voltage V
= f (Ee), VR = 5 V
P
= f (Ee)
O
SFH 203 PFA
Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA
S
= f (λ)
rel
Photocurrent I
Open-circuit voltage V
= f (Ev), VR = 5 V
P
= f (Ev)
O
SFH 203 P
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 4
Capacitance
C =f (VR), f = 1 MHz, E = 0
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