Datasheet SFH203P, SFH203PFA Datasheet (Siemens)

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SFH 203 P SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 203 P SFH 203 PFA
feo06644feof6644
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet für Anwendungen im Be-
reich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P) und bei 880 nm (SFH 203 PFA)
Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
Industrieelektronik
“Messen/Steuern/Regeln”
Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
LWL
Typ (*vorher) Type (*formerly)
SFH 203 P
Bestellnummer Ordering Code
Q62702-P946
Features
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of 880 nm (SFH 203 PFA)
Short switching time (typ. 5 ns)
5 mm LED plastic package
Applications
Industrial electronics
For control and drive circuits
Photointerrupters
Fiber optic transmission systems
(*SFH 217) SFH 203 PFA
Q62702-P947
(*SFH 217 F)
Semiconductor Group 1
03.96
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Grenzwerte Maximum Ratings
SFH 203 P SFH 203 PFA
Bezeichnung Description
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s)
Sperrspannung Reverse voltage
Verlustleistung Total power dissipation
Kennwerte
(T
= 25 °C)
A
Characteristics Bezeichnung
Description
Symbol Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
– 55 ... + 100 °C
300 °C
50 V
100 mW
Wert
Value
Einheit Unit
Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
T = 2856 K V
= 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm
R
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober­fläche Distance chip front to case surface
2
SFH 203 P SFH 203 PFA
S
S
λ
S max
9.5 ( 5)
6.2 ( 3.6)
nA/Ix
µA
850 900 nm
λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm
A 11 mm
L × B
× W
L H
1 × 11×1mm×mm
0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm
2
Semiconductor Group 2
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Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d)
SFH 203 P SFH 203 PFA
Bezeichnung Description
Halbwinkel Half angle
V
Dunkelstrom,
= 20 V
R
Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K E
= 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
e
Kurzschlußstrom Short-circuit current
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K E
= 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
e
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung, Forward voltage
I
= 80 mA, E = 0
F
Symbol Symbol
Wert
Value
Einheit Unit
SFH 203 P SFH 203 PFA
ϕ±75 ± 75 Grad
deg.
I
R
S
λ
η 0.89 0.86
1 ( 10) 1 ( 10) nA
0.62 0.59 A/W
Electrons Photon
V
O
V
O
I
SC
I
SC
t
, t
r
f
V
F
350 ( 300)––
9.3
300 ( 250)
3.0
mV
mV
µA
µA
55 ns
1.3 1.3 V
Kapazität,
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
C
V
Capacitance Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of V Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of I
V
O O
I
SC SC
TC
TC
Normlicht/standard light A λ = 950 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
NEP
Noise equivalent power
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze,
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
D* 3.5 × 10
Detection limit
Semiconductor Group 3
0
V
I
11 11 pF
– 2.6 – 2.6 mV/K
%/K
0.18 –
2.9 × 10
– 14
0.2
2.9 × 10
– 14
W
Hz
12
3.5 × 10
12
cm · Hz W
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SFH 203 P SFH 203 PFA
Relative spectral sensitivity SFH 203 P
S
= f (λ)
rel
Photocurrent I Open-circuit voltage V
= f (Ee), VR = 5 V
P
= f (Ee)
O
SFH 203 PFA
Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA
S
= f (λ)
rel
Photocurrent I Open-circuit voltage V
= f (Ev), VR = 5 V
P
= f (Ev)
O
SFH 203 P
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 4
Capacitance
C =f (VR), f = 1 MHz, E = 0
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