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SFH 2030
SFH 2030 F
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
SFH 2030
SFH 2030 F
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● LWL
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)
SFH 2030
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P955 T1
(*SFH 203)
SFH 2030 F
Q62702-P956
(*SFH 203 FA)
Features
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of
880 nm (SFH 2030 F)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
● Also available on tape
Applications
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
● Fiber optic transmission systems
Gehäuse
Package
3
/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach
am Gehäusebund
transparent and black epoxy resin, solder tab
2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short
solder tab, flat at package
Semiconductor Group 442
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Grenzwerte
Maximum Ratings
SFH 2030
SFH 2030 F
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Total power dissipation
Kennwerte (T
= 25oC)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
V
R
P
tot
Symbol
Symbol
Wert
Value
Wert
Value
–55 ... +100
300
Einheit
Unit
o
C
o
C
50 V
100 mW
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Normlicht/standard light A,
R
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
SFH 2030 SFH 2030 F
S
S
λ
S max
80 (≥ 50)
–
–
25 (≥ 15)
nA/Ix
µA
850 900 nm
λ 400 ...1100 800 ... 1100 nm
A 11 mm
L x B
1x1 1x1 mm
2
L x W
H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm
Semiconductor Group 443
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Kennwerte (TA = 25oC)
Characteristics
SFH 2030
SFH 2030 F
Bezeichnung
Description
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, V
= 20 V
R
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
Kurzschluβstrom
Short-circuit current
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
v
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 kΩ; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaβspannung, I
= 80 mA, E = 0
F
Forward voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 2030 SFH 2030 F
ϕ±20 ± 20 Grad
deg.
I
R
S
λ
η 0.89 0.86
1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
0.62 0.59 A/W
Electrons
Photon
V
L
V
L
I
K
I
K
tr, t
V
F
f
420 (≥ 350)––
370 (≥ 300)mVmV
80
–
–
25
µA
µA
55 ns
1.3 1.3 V
Kapazität, V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
C
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
L
L
K,
K
TC
TC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
NEP 2.9 x 10
Noise equivalent power
V
= 10 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze, V
= 20 V, λ = 850 nm
R
D* 3.5 x 10
Detection limit
Semiconductor Group 444
0
V
I
11 11 pF
–2.6 –2.6 mV/K
%/K
0.18
–
–14
–
0.2
2.9 x 10
–14
W
√Hz
12
3.5 x 10
12
cm · √Hz
W
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SFH 2030
SFH 2030 F
Relative spectral sensitivity SFH 2030
S
= f (λ)
rel
Photocurrent I
Open-circuit-voltage V
SFH 2030 F
= f (Ee), VR = 5 V
P
= f (Ee)
L
Relative spectral sensitivity SFH 2030 F
S
= f (λ)
rel
Total power dissipation P
= f (TA)
tot
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage V
SFH 2030
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
= f (Ev)
L
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 445
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