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SB1540-3G
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
Type
Ø 1.2
±0.05
Ø 5.4
±0.1
62.5
±0.5
7.5
±0.1
Schottky Barrier Rectifier Diodes 3rd Generation
Schottky-Gleichrichterdioden 3. Generation
Version 2018-09-07
Ø 5.4 x 7.5
Dimensions - Maße [mm]
SB1540-3G
Typical Applications
Solar Bypass Diodes, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes, Output
Rectification in DC/DC Converters
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Features
Lower reverse leakage and smaller
package than SB1540
Best trade-off between VF and IR 2)
Smaller package than SB1540
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
On request: on 13” reel
Weight approx. 1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
I
V
T
FAV
F@5A
jmax
= 15 A
< 0.43 V
= 150°C
V
= 40 V
RRM
I
= 300/340 A
FSM
V
~ 0.27 V @ 5 A
F125
Typische Anwendungen
Solar-Bypassdioden, Verpolschutz,
Freilaufdioden, Ausgangsgleichrichtung
in Gleichstromwandlern
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Besonderheiten
Niedrigerer Sperrstrom als SB1540
Optimale Auswahl von VF und IR 2)
Gehäuse kleiner als SB1540
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
1250
Gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage: auf 13” Rolle
MSL N/A
Maximum ratings 3) Grenzwerte 3)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
SB1540-3G 40 40
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Rating for fusing
Grenzlastintegral
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature
Lagerungstemperatur
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
TA = 100°C I
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
FAV
I
FSM
15 A 1)
300 A
340 A
t < 10 ms i2t 450 A2s
T
j
T
j
T
S
-50...+150°C
≤ 200°C
2,2
-50...+175°C
)
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SB1540-3G
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
2
10
1
10
-1
10
-2
[A]
I
F
0
V
F
0.4 0.6
[V]
1.0
T = 25 °C
j
T = 1 2 5 °C
j
10
2
10
1
1
10
-1
10
-2
[mA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instan tan eou s leakag e curren t vs. rev. voltage
Typ. Sp errstrom (Augenb licksw ert) ü. Sperrspann ung
T = 2 5 °C
j
T = 10 0 ° C
j
T = 12 5 ° C
j
T = 75 °C
j
T = 50 °C
j
T = 1 5 0 °C
j
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
SB1540-3G
typ. 0.27
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] @ IF [A] @ T
< 0.43
5
25°C
125°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
j
VF [V] @ IF [A] @ T
< 0.50
< 0.55
10
15
25°C
25°C
j
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = V
RRM
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V C
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung R
Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte R
I
R
j
thA
thL
< 200 µA
typ. 7 mA
720 pF
< 12 K/W 1)
< 2.5 K/W 2)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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