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S1A ... S1Y
S1A
405050
S1B
80
100
100
S1D
160
200
200
S1K
640
800
800
S1T
1040
1300
1300
S1W/-Q
1280
1600
1600
S1X
1440
1800
1800
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Typ
0.15
+ 0.1
1.1
± 0.3
4.5
+0.30
1.5
±0.1
2.1
± 0.2
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
± 0.2
0.55
_
S1A ... S1Y
Standard Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug
Version 2019-09-26
Typical Applications
SMA
~ DO-214AC
Dimensions - Maße [mm]
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies, Polarity Protection
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Features
V
up to 2000 V
RRM
For 1.5A and Avalanche version:
Refer to BYG10 series
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.07 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
I
= 1 A
FAV
VF< 1.1 V
T
= 150°C
jmax
Stromversorgungen, Verpolschutz
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Für 1.5A und Avalanche-Ausführung:
MSL = 1
V
= 50...2000 V
RRM
I
= 30/32 A
FSM
t
~ 1500 ns
rr
Typische Anwendungen
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Besonderheiten
V
bis zu 2000 V
RRM
siehe BYG10-Reihe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
S1G/-Q/-AQ 320
S1J/-Q/-AQ 480
S1M/-Q/-AQ 800 1000 1000
S1Y/-Q 1600 2000 2000
Max. average forward rectified current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TT = 100°C I
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TT = 100°C I
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
DC blocking voltage
Sperrgleichspannung
VDC [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
400
600
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
V
[V]
RSM
400
600
FAV
FRM
I
FSM
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 4.5 A2s
Reverse avalanche energy – Avalanche-Energie in Sperr-Richtung E
Junction / Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur T
RSM
j/S
-50...+150°C
1 A
6 A
30 A
32 A
N/A
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
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S1A ... S1Y
Characteristics
Kennwerte
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
10
10
1
10
2
1
-2
10
-1
[µA]
I
R
0
V
RRM
40 60 80 100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 100°C
j
T = 125°C
j
25
20
15
10
5
0
1 10 10 0
[pF]
C
j
V
R
[V]
Jun ction c a pa c ita n ce vs. re ve rse volta ge (typic a l)
Sperrs chic htka pa z itä t in Abh. v.d. S pe rrs pg . (typ.)
Peak forward surge curre nt v ersus num ber of cycles at 50 H z
Durchlaß -Spitzenstrom in Abh. von d er Za hl der Ha lbwellen bei 50 H z
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
100
10
1
0.01 0.1 1 10 10 10
2 3
[s] [t ]
p
[%]
Z
R
thA
thA
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = V
RRM
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V C
F
I
R
j
< 1.1
< 5 µA
< 50µA
6 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trrtyp. 1500 ns
Typ. thermal resistance junction-ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Typ. thermal resistance junction-terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss R
1
) R
thA
thT
75 K/W
30 K/W
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferpad je Anschluss
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2
oder Internet
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