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PT4207
AC-DC 通用输入高亮度 LED 驱动器
概述
PT4207 是一款高压降压式 LED 驱动控制芯片,能适
应从 18V 到 450V 的输入电压范围。PT4207 采用革新的
架构,可实现在 85VAC~265VAC 通用交流输入范围可稳
定可靠工作,并保证系统的高效能。内置输入电压补偿功
能极大改善了不同输入电压下 LED 电流稳定性。
PT4207 内置一个 350mA 开关,并配备外部 MOS 开
关驱动端口。对于 350mA 以下的应用无需外部 MOS 开关,
对于高于 350mA 的应用可采用外部 MOS 管扩展电流。
采用 PT4207 的 LED 驱动电路,LED 电流可通过外部
电阻设定。通过多功能调光 DIM 管脚,可使用电阻或 DC
电压线性调节 LED 电流,也可使用数字脉冲信号进行
PWM 调光。
PT4207 具有多种保护功能,包括负载短路保护,开路
保护,过温度保护。
PT4207 采用 SOP8 封装。
特点
宽输入电压范围:从 18V 到 450V
支持上百个 LED 的串并联驱动应用
支持外接 MOS 管扩大电流应用
占空比最高达 100%
多功能调光引脚同时支持线性调光以及 PWM 调光
功能
内置软启动
LED 负载短路/开路保护
内置热关断保护
应用
AC/DC LED 日光灯驱动
RGB 背光 LED 驱动
LED 环境灯饰
订购信息
封装 温度范围 订购号 包装 标识
SOP-8 -40 oC to 85 oC PT4207ESOH Tape and Reel
注:
典型应用
AC
xxxxxX
D1
1N4004
1N4004
1N4004
1N4004
Assembly Factory Code
Lot Number
C1
400V
68µF
D3
D2
FUSE
C2
400V
68µF
C3
10uF
D4
R1
100K
EXT
DIM
VDD
Toff
PT4207
GATE
SOURCE
CS
GND
R3
540KO
R2
0.71
O
D5
SBD
Q1
C4
4.7µF
LED(s)
L1
2mH
PT4207
xxxxxX
C6
4.7uF
R4
500K
Micro Bridge Technology Co.,Ltd.
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1N4004
AC
1N4004
引脚排列图
D1
1N4004
1N4004
FUSE
D2
C1
400V
68µF
D3
C2
400V
68µF
C3
10uF
AC-DC 通用输入高亮度 LED 驱动器
C4
4.7µ
F
D5
SBD
Q1
LED(s)
2mH
R2
0.71
O
C6
4.7uF
L1
D4
R1
100K
DIM
VDD
Toff
GND
PT4207
R3
540KO
GATE
SOURCE
EXT
CS
R4
500K
引脚说明
序号 引脚名称
1
2
3
4
5
6
7
8
DIM
多功能调光调光输入端,可通过该管脚进行线性调光和 PWM 调光。
Toff 关断时间设定端,外接电阻设定固定关断时间
GND 芯片地
CS
SOURCE
MOS 管电流采样输入端
外接 MOS 管源极,当需要外部 MOS 管扩流时,接外部扩流 MOS 管漏极。
GATE 外部 MOS 管栅极偏置端
VDD
EXT
内部 LDO 输出端,必须靠近该管脚与 GND 之间接一电容
外接 MOS 开关栅极驱动输出,当需要外部 MOS 管扩流时,接外部扩流 MOS 管的栅
极。不需要外接 MOS 管时接地。
描述
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最大极限值
(标注 1,2,3)
符号 参数 额定值 单位
VDD
GATE
EXT
SOURCE
VI/O
I
GATE(MAX)
P
DMAX
P
TR1
TJ
T
STG
推荐工作范围
电源电压
GATE 输入电压
EXT 驱动输出电压
SOURCE 电压范围
其他引脚
最大输入电流
功耗 (注 2)
热阻, SOP-8 θJA
极限结温
贮存温度
ESD 保护参数 (注 3)
AC-DC 通用输入高亮度 LED 驱动器
-0.3~6 V
-0.3~12 V
-0.3~(VDD+0.3)
-0.3~20 V
-0.3~6 V
10 mA
内部限制
150
-40 to 125
-55 to 150
2 kV
V
W
o
C /W
o
C
o
C
符号 参数 额定值 单位
0 ~5.5 V
0 ~ 5 V
o
-40 to +85
11 12 13 V
C
P
DMAX
= (T
JMAX
(注 4, 5)
电源电压
其他引脚
环境温度
T
, θ
JMAX
I
GATE
10 mA
,和环境温度 TA所决定的。最大允许功耗为
JA
=5mA
VDD
T
OPT
标注 1:最大极限值是指超出该工作范围,芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内,器件功能正常,但并不完全
保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数
规范。对于未给定上下限值的参数,该规范不予保证其精度,但其典型值合理反映了器件性能。
标注 2:温度升高最大功耗一定会减小,这也是由
- TA)/ θ
标注 3:人体模型,100pF 电容通过 1.5kΩ 电阻放电
或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
JA
电气特性参数
电气规范:除非另有说明,所有测试条件均为 VDD=5V, TA=25 oC
符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
MOS 管栅极电压 GATE
V
GATE
Clamp
I
GATE
GATE 嵌位电压
GATE 嵌位连续电流
Clamp
电源电压 VDD
VUVLO
VUVLOH
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VDD 引脚 UVLO 电压
VDD 引脚 UVLO 电压迟滞
3.5 V
0.2 V
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电气特性参数
电气规范:除非另有说明,所有测试条件均为 VDD=5V, TA=25 oC
符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VDD VDD引脚电压 5.0 5.5 6.0 V
VDDR VDD引脚电压纹波 1 V
IVDD VDD引脚充电电流 VDD=0 5 mA
VDD Clamp VDD嵌位电压 IDD=5mA 6.1 6.5 6.9 V
IDD Clamp VDD 嵌位连续电流 10 mA
关断时间设定端 Toff
T
OFF
多功能调光输入端 DIM
V
DIM
V
DIMH
V
DIML
V
电流采样输入端 CS
DIM_DC
I
DIM
(注 4, 5)
关断时间
DIM 悬空状态电压 5.0 5.5 6.0 V
DIM 输入高电平 3.5 V
DIM 输入低电平 0.4 V
DIM 模拟调光电压范围 0.5 3.5 V
DIM 输出电流 100 uA
(续)
AC-DC 通用输入高亮度 LED 驱动器
Ri=100Kohm 9.5 10 10.5 uS
VCS
T
BLK
T
DLY
MOS 管驱动输出端 SOURCE
Rsc
T_r
T_f
Ileak
Dmax
Dmin
外部 MOS 栅驱动输出端 EXT
Tr
Tf
内部保护
TSD
T
SD_HYS
TSS
Tshort
CS 电流采样峰值电压 Duty=0 340 350 360 mV
电流采样前沿消隐时间 250 ns
CS 过流到 MOS 管关断延迟时间 150 ns
开通状态 SOURCE 阻抗 1.5 2 Ohm
输出上升时间 20 ns
输出下降时间 20 ns
关断状态 SC 漏电流
SOURCE 开通最大占空比 100 %
SOURCE 开通最小占空比 0 %
EXT 上升时间 Cload=500fF,10%-90%
EXT 下降时间 Cload=500fF,90%-10%
过热保护关断阈值
过热保护温度迟滞
软启动时间
负载短路保护延迟时间
=0,SOUECE=12V 1 uA
V
DIM
20 nS
20 nS
150
50
Ri=100Kohm 4 mS
30 Cycles
℃
℃
Topen
Trestart
标注 4:典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。
标注 5:规格书的最小、最大规范范围由设计、测试或统计分析保证
负载开路保护延迟时间
负载开短路自动重启时间
Ri=100Kohm 12.0 mS
Ri=100Kohm 1 S
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原理框图
VDD
Toff
DIM
6.5V
Toff
TSD
DIM CTRL
AC-DC 通用输入高亮度 LED 驱动器
5.5V
Regulator
SET
S
CLR
R
Open/Short
Protection
+
-
12V
Q
Q
LEB
GATE
SOURCE
EXT
GND
OC Ref
350mV
CS
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封装信息
AC-DC 通用输入高亮度 LED 驱动器
SOP-8 Package
Symbol
A 1.350 1.750 0.053 0.069
A1 0.100 0.250 0.004 0.010
A2 1.350 1.550 0.053 0.061
b 0.330 0.510 0.013 0.020
c 0.170 0.250 0.006 0.010
D 4.700 5.100 0.185 0.200
E 3.800 4.000 0.150 0.157
E1 5.800 6.200 0.228 0.244
e 1.270(BSC) 0.050(BSC)
L 0.400 1.270 0.016 0.060
θ 0° 8° 0° 8°
Dimension in Millimeters Dimension in Inches
Min Max Min Max
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