Page 1
P1200A ... P1200G
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
8
7,5
±0.1
62.5
±0.5
Version 2006-01-25
P1200A ... P1200G
Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden
Nominal Current
12 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
50...400 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
1.3 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V]
RRM
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
[V]
RSM
P1200A 50 50
P1200B 100 100
P1200D 200 200
P1200G 400 400
Max. average forward rectified current, R-load
TA = 50°C I
FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz I
FRM
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
FSM
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 800 A2s
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage
bei reduzierter Sperrspannung
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
VR ≤ 80% V
VR ≤ 20% V
RRM
RRM
T
j
T
j
S
12 A 1)
80 A 1)
400/450 A
-50...+150°C
-50...+200°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Page 2
P1200A ... P1200G
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Vr < 80% Vrrm
Vr < 20% Vrrm
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
400a-(5a-0,8v )
Characteristics Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = V
Thermal resistance junction to ambient air
RRM
R
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
R
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
F
I
R
thA
thL
< 0.84 V
< 25 µA
< 10 K/W 1)
< 2 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Loading...