NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Features:
D High Current Rating
D Excellent Dynamic Characteristics
D Superior Surge Capabilities
D Standard Package
Voltage Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), V
NTE5567 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569 1200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Non–Repetitive Peak Voltage (Note 2), V
RSM
NTE5567 300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568 700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569 1300V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1700V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Reverse and Off–State Current, I
DRM
, I
RRM
Maximum Average On–State Current (180° Sinusoidal Conduction), I
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (TC = +94°C) 50A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 (TC = +90°C) 50A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS On–State Current, I
T(RMS)
Maximum Peak One–Cycle Non–Repetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1430A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1200A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(100% V
Reapplied)
RRM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1200A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1010A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum I2t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I2t
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 10.18KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 7.21KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(100% V
Reapplied)
RRM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 7.20KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 5.10KA2s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
, V
DRM
T(RMS)
RRM
15mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
80A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
TSM
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum I
2
√t for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I2√t
NTE5567, NTE5568, NTE5569 101.8KA
2
NTE5571 72.1KA2√s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x π x I
< I < π x I
T(AV)
T(AV)
), V
T(TO)1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 0.94V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.02V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Level Value of Threshold Voltage (π x I
< I < 20 x π x I
T(AV)
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1.08V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.17V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Low Level Value of On–State Slope Resistance (16.7% x π x I
< I < π x I
T(AV)
T(AV)
), r
t1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 4.08mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 4.78mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Level Value of On–State Slope Resistance (π x I
< I < 20 x π x I
T(AV)
T(AV)
), V
T(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 3.34mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 3.97mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum On–State Voltage (Ipk = 157A, TJ = +25°C), V
TM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1.60V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.78V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Holding Current (TJ = +25°C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial IT = 2A), I
Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), I
L
200mA.
H
400mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Rate of Rise of Turned–On Current, di/dt
(VDM = Ra ted V
, Gate Pulse = 20V, 15Ω, tp = 6µs, tr = 0.1µs ax., ITM = (2x Rated di/dt) A)
DRM
NTE5567, NTE5568 200A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569, NTE5571 100A/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Delay Time, t
d
(TC = +25°C, VDM = Ra ted V
Typical Turn–Off Time, t
q
, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15Ω Source, tp = 20µs)
DRM
0.9µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
110µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +125°C, ITM = 50A, Reapplied dv/dt = 20Vµs, dir/dt = –10A/µs, VR = 50V)
Maximum Critical Rate of Rise of Off–State Voltage, dv/dt
(Linear to 100% rated V
(Linear to 67% rated V
Maximum Peak Gate Power (tp ≤ 5ms), P
Maximum Average Gate Power, P
Maximum Peak Positive Gate Current, I
Maximum Peak Positive Gate Voltage, +V
Maximum Peak Negative Gate Voltage, –V
DC Gate Current Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied), I
DC Gate Voltage Required to Trigger (6V Anode–to–Cathode Applied, TJ = +25°C), V
DC Gate Current Not to Trigger (Rated V
DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated V
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
) 200V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DRM
) 500V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DRM
G(AV)
GM
GM
GM
GM
GT
Anode–to–Cathode Applied), I
stg
DRM
Anode–to–Cathode Applied), V
DRM
J
GD
GD
10W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.5A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
10V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
50mA. . . . . . . . . . . . . .
GT
2.5V. . .
5.0mA. . . . . . . . . .
0.2V. . . . . . . . . .
–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance
Junction–to–Case (DC Operation), R
thJC
Case–to–Heatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), R
thCS
0.35K/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.25K/W. . . . . . .
Mounting Torque (Non–Lubricated Threads), T 25 – 30 (2.8 – 3.4) lbf–in (Nm). . . . . . . . . . . . . . . . . .
√s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. Units may be broken over non–repetitively in the off–state direction without damage, if di/dt
does not exceed 20A/µs.
Note 2. For voltage pulses with tp ≤ 5ms.
Gate
.250 (6.35)
Cathode
.136 (3.47) Dia
.565
(14.37)
Max
.200 (5.08)
Max
.667
(16.95)
Dia Max
.067 (1.72) Dia
.120 (3.04)
.875
(22.22)
Max
1.218
(30.94)
Max
.450
(11.43)
Max
Anode
1/4–28 UNF–2A
.675 (17.15)
Across Flats
Loading...