Datasheet MC74HC574AFEL, MC74HC574AFL1, MC74HC574AFR1, MC74HC574AH, MC74HC574AF Datasheet (MOTOROLA)

...
Page 1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev. 8
1 Publication Order Number:
MC74HC574A/D
MC74HC574A
Octal 3-State Noninverting D Flip-Flop
High–Performance Silicon–Gate CMOS
Data meeting the setup time is clocked to the outputs with the rising edge of the Clock. The Output Enable input does not affect the states of the flip–flops, but when Output Enable is high, all device outputs are forced to the high–impedance state. Thus, data may be stored even when the outputs are not enabled.
The HC574A is identical in function to the HC374A but has the flip–flop inputs on the opposite side of the package from the outputs to facilitate PC board layout.
Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS and TTL
Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
Low Input Current: 1.0 µA
In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard
No. 7A
Chip Complexity: 266 FETs or 66.5 Equivalent Gates
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
1
20
A = Assembly Location WL = Wafer Lot YY = Year WW = Work Week
SOIC WIDE–20
DW SUFFIX CASE 751D
HC574A
AWLYYWW
PDIP–20 N SUFFIX CASE 738
1
20
MC74HC574AN
AWLYYWW
1
20
1
20
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74HC574AN PDIP–20 1440 / Box MC74HC574ADW SOIC–WIDE
38 / Rail
MC74HC574ADWR2 SOIC–WIDE 1000 / Reel
Page 2
MC74HC574A
http://onsemi.com
2
LOGIC DIAGRAM
DATA
INPUTS
D0
219
Q0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
CLOCK
OUTPUT ENABLE
3 4 5 6 7 8 9
11
1
18 17 16 15 14 13 12
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
NON–
INVERTING
OUTPUTS
PIN 20 = V
CC
PIN 10 = GND
PIN ASSIGNMENT
D4
D2
D1
D0
OUTPUT
ENABLE
GND
D7
D6
D5
D3 5
4
3
2
1
10
9
8
7
6
14
15
16
17
18
19
20
11
12
13
Q3
Q2
Q1
Q0
V
CC
CLOCK
Q7
Q6
Q5
Q4
FUNCTION TABLE
Inputs Output
OE Clock D Q
LHH LLL L L,H, X No Change HXXZ
X = Don’t Care Z = High Impedance
ОООООООО
Î
Design Criteria
ÎÎ
Î
Value
Î
Î
Units
ОООООООО
Î
Internal Gate Count*
ÎÎ
Î
66.5
Î
Î
ea
Internal Gate Propagation Delay
1.5
ns
Internal Gate Power Dissipation
5.0
µW
ОООООООО
Î
Speed Power Product
ÎÎ
Î
0.0075
Î
Î
pJ
*Equivalent to a two–input NAND gate.
Page 3
MC74HC574A
http://onsemi.com
3
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to + 7.0
V
V
in
DC Input Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
V
out
DC Output Voltage (Referenced to GND)
– 0.5 to VCC + 0.5
V
I
in
DC Input Current, per Pin
± 20
mA
I
out
DC Output Current, per Pin
± 35
mA
I
CC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
P
D
Power Dissipation in Still Air, Plastic DIP†
SOIC Package†
750 500
mW
T
stg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_
C
ÎÎ
Î
T
L
ОООООООООООО
Î
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP or SOIC Package)
ÎÎÎ
Î
260
Î
Î
_
C
*Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.
Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.
†Derating — Plastic DIP: –10 mW/_C from 65_ to 125_C
SOIC Package: –7 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
ÎÎ
Max
Unit
V
CC
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
2.0
ÎÎ
6.0
V
Vin, V
out
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)
0
ÎÎ
V
CC
V
T
A
Operating Temperature, All Package Types
– 55
ÎÎ
+ 125
_
C
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООООО
Î
Input Rise and Fall Time VCC = 2.0 V
(Figure 1) VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
Î
Î
0 0 0
ÎÎ
ÎÎ
1000
500 400
Î
Î
ns
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IH
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Minimum High–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= VCC – 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
1.5
2.1
3.15
4.2
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
IL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Input Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
V
out
= 0.1 V
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.5
0.9
1.35
1.8
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎ
Î
V
OH
ООООООО
Î
Minimum High–Level Output Voltage
ООООООО
Î
Vin = V
IH
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
1.9
4.4
5.9
ÎÎ
Î
1.9
4.4
5.9
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = V
IH
|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 6.0 mA
|I
out
| v 7.8 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
2.48
3.98
5.48
Î
Î
2.34
3.84
5.34
ÎÎ
Î
2.2
3.7
5.2
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
V
OL
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Low–Level Output Voltage
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Vin = V
IL
|I
out
| v 20 µA
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
Î
Î
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
0.1
0.1
0.1
Î
Î
Î
Î
V
ÎÎÎОООООООÎООООООО
Î
Vin = V
IL
|I
out
| v 2.4 mA
|I
out
| v 6.0 mA
|I
out
| v 7.8 mA
ÎÎ
Î
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
0.26
0.26
0.26
Î
Î
0.33
0.33
0.33
ÎÎ
Î
0.4
0.4
0.4
Î
Î
ÎÎ
Î
I
in
ООООООО
Î
Maximum Input Leakage Current
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
± 0.1
Î
Î
± 1.0
ÎÎ
Î
± 1.0
Î
Î
µA
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high–impedance cir­cuit. For proper operation, Vin and V
out
should be constrained to the
range GND v (Vin or V
out
) v VCC.
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or VCC). Unused outputs must be left open.
Page 4
MC74HC574A
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
Unit
v
125_C
v
85_C
– 55 to
25_C
V
CC
V
Test Conditions
Parameter
Symbol
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
I
OZ
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Maximum Three–State Leakage Current
ООООООО
Î
ООООООО
Î
Output in High–Impedance State Vin = VIL or V
IH
V
out
= VCC or GND
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
± 0.5
Î
Î
Î
Î
± 5.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
± 10
Î
Î
Î
Î
µA
I
CC
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
Vin = VCC or GND I
out
= 0 µA
6.0
4.0
40
160
µA
NOTE: Information on typical parametric values can be found in Chapter 2 of the ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book
(DL129/D).
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)
Guaranteed Limit
ÎÎ
Î
Symbol
ООООООО
Î
Parameter
ООООООО
Î
Test Conditions
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎ
Î
I
OZ
ООООООО
Î
Maximum Three–State Leakage Current
ООООООО
Î
Output in High–Impedance State Vin = VIL or V
IH
V
out
= VCC or GND
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
± 0.5
Î
Î
± 5.0
ÎÎ
Î
± 10
Î
Î
µA
ÎÎ
Î
I
CC
ООООООО
Î
Maximum Quiescent Supply Current (per Package)
ООООООО
Î
Vin = VCC or GND |I
out
| = 0 µA
ÎÎ
Î
6.0
ÎÎ
Î
4.0
Î
Î
40
ÎÎ
Î
160
Î
Î
µA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎÎ
Î
Symbol
ОООООООООООООО
Î
Parameter
ÎÎ
Î
V
CC V
ÎÎ
Î
– 55 to
25_C
Î
Î
v
85_C
ÎÎ
Î
v
125_C
Î
Î
Unit
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
f
max
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Clock Frequency (50% Duty Cycle)
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
6.0 15 30 35
Î
Î
Î
Î
4.8 10 24 28
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
4.0
8.0 20 24
Î
Î
Î
Î
MHz
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLH
,
t
PHL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Clock to Q
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
160 105
32 27
Î
Î
Î
Î
200 145
40 34
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
240 190
48 41
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PLZ
,
t
PHZ
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
(Figures 2 and 5)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
150 100
30 26
Î
Î
Î
Î
190 125
38 33
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
225 150
45 38
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
PZL
,
t
PZH
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Q
(Figures 2 and 5)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5 6 0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
140
90 28 24
Î
Î
Î
Î
175 120
35 30
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
210 140
42 36
Î
Î
Î
Î
ns
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
t
TLH
,
t
THL
ОООООООООООООО
Î
ОООООООООООООО
Î
Maximum Output Transition Time, any Output
(Figures 1 and 4)
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
60 27 12 10
Î
Î
Î
Î
75 32 15 13
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
90 36 18 15
Î
Î
Î
Î
ns
C
in
Maximum Input Capacitance
10
10
10
pF
C
out
Maximum Three–State Output Capacitance, Output in High–Impedance State
15
15
15
pF
NOTE: For propagation delays with loads other than 50 pF, and information on typical parametric values, see Chapter 2 of the ON
Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Enabled Output)*
24
pF
*Used to determine the no–load dynamic power consumption: PD = CPD V
CC
2
f + ICC VCC. For load considerations, see Chapter 2 of the
ON Semiconductor High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).
Page 5
MC74HC574A
http://onsemi.com
5
TIMING REQUIREMENTS (C
L
= 50 pF, Input tr = tf = 6.0 ns)
Guaranteed Limit
ÎÎ
V
– 55 to 25_C
v
85_C
v
125_C
ÎÎ
Symbol
Parameter
Fig.
V
CC
Volts
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
su
ООООООООООО
Î
ООООООООООО
Î
Minimum Setup Time, Data to Clock
Î
Î
Î
Î
3
Î
Î
Î
Î
2.0
3.0
4.6
6.0
Î
Î
Î
Î
50 40 10
9.0
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
65 50 13 11
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
75 60 15 13
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
h
ООООООООООО
Î
ООООООООООО
Î
Minimum Hold Time, Clock to Data
Î
Î
Î
Î
3
Î
Î
Î
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
Î
Î
Î
Î
5.0
5.0
5.0
5.0
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
5.0
5.0
5.0
5.0
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
5.0
5.0
5.0
5.0
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
t
w
ООООООООООО
Î
ООООООООООО
Î
Minimum Pulse Width, Clock
Î
Î
Î
Î
1
Î
Î
Î
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
Î
Î
Î
Î
75 60 15 13
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
95 80 19 16
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
110
90 22 19
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
tr, t
f
ООООООООООО
Î
ООООООООООО
Î
Maximum Input Rise and Fall Times
Î
Î
Î
Î
1
Î
Î
Î
Î
2.0
3.0
4.5
6.0
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1000
800 500 400
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1000
800 500 400
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
1000
800 500 400
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
Page 6
MC74HC574A
http://onsemi.com
6
SWITCHING W AVEFORMS
Figure 1. Figure 2.
CLOCK
Q
t
r
t
f
V
CC
GND
90%
50%
10%
90%
50%
10%
t
PLH
t
PHL
t
TLH
t
THL
t
w
1/f
max
Q
Q
1.3 V
1.3 V
90%
10%
t
PZLtPLZ
t
PZHtPHZ
3.0 V
GND HIGH
IMPEDANCE V
OL
V
OH
HIGH IMPEDANCE
Figure 3.
Figure 4.
EXPANDED LOGIC DIAGRAM
Figure 5. Test Circuit
50%CLOCK
V
CC
VALID
GND
V
CC
GND
t
su
t
h
50%DATA
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
CONNECT TO VCC WHEN TESTING t
PLZ
AND t
PZL
. CONNECT TO GND WHEN TESTING t
PHZ
AND t
PZH
.
1 k
C
D
Q
2
D0
19
Q0
C
D
Q
3
D1
18
Q1
C
D
Q
4
D2
17
Q2
C
D
Q
5
D3
16
Q3
C
D
Q
6
D4
15
Q4
C
D
Q
7
D5
14
Q5
C
D
Q
8
D6
13
Q6
C
D
Q
9
D7
12
Q7
11
CLOCK
1
OUTPUT ENABLE
Page 7
MC74HC574A
http://onsemi.com
7
P ACKAGE DIMENSIONS
SO–20
DW SUFFIX
CASE 751D–05
ISSUE F
PDIP–20
N SUFFIX
PLASTIC DIP PACKAGE
CASE 738–03
ISSUE E
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEAD WHEN FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
M
L
J
20 PL
M
B
M
0.25 (0.010) T
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A 25.66 27.171.010 1.070 B 6.10 6.600.240 0.260 C 3.81 4.570.150 0.180 D 0.39 0.550.015 0.022
G 2.54 BSC0.100 BSC
J 0.21 0.380.008 0.015 K 2.80 3.550.110 0.140 L 7.62 BSC0.300 BSC M 0 15 0 15 N 0.51 1.010.020 0.040
____
E
1.27 1.770.050 0.070
1
11
10
20
–A–
SEATING PLANE
K
N
FG
D
20 PL
–T–
M
A
M
0.25 (0.010) T
E
B
C
F
1.27 BSC0.050 BSC
20
1
11
10
B20X
H10X
C
L
18X
A1
A
SEATING PLANE
q
h X 45
_
E
D
M
0.25
M
B
M
0.25
SAS
B
T
e
T
B
A
DIM MIN MAX
MILLIMETERS
A 2.35 2.65
A1 0.10 0.25
B 0.35 0.49 C 0.23 0.32 D 12.65 12.95 E 7.40 7.60 e 1.27 BSC H 10.05 10.55 h 0.25 0.75 L 0.50 0.90
q
0 7
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
__
Page 8
MC74HC574A
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability , including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly , any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer .
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–spanish@hibbertco.com
ASIA/PACIFIC : LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
T oll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–asia@hibbertco.com
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, T okyo, Japan 141–8549
Phone: 81–3–5740–2745 Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local Sales Representative.
MC74HC574A/D
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 T oll Free USA/Canada Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada Email: ONlit@hibbertco.com
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 T oll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (M–F 1:00pm to 5:00pm Munich Time)
Email: ONlit–german@hibbertco.com
French Phone: (+1) 303–308–7141 (M–F 1:00pm to 5:00pm Toulouse T ime)
Email: ONlit–french@hibbertco.com
English Phone: (+1) 303–308–7142 (M–F 12:00pm to 5:00pm UK T ime)
Email: ONlit@hibbertco.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy , England, Ireland
Loading...