The MC14016B quad bilateral switch is constructed with MOS
P–channel and N–channel enhancement mode devices in a single
monolithic structure. Each MC14016B consists of four independent
switches capable of controlling either digital or analog signals. The
quad bilateral switch is used in signal gating, chopper, modulator,
demodulator and CMOS logic implementation.
• Diode Protection on All Inputs
• Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc
• Linearized Transfer Characteristics
• Low Noise — 12 nV/√Cycle, f ≥ 1.0 kHz typical
• Pin–for–Pin Replacements for CD4016B, CD4066B (Note improved
transfer characteristic design causes more parasitic coupling
capacitance than CD4016)
• For Lower R
The MC14066B
• This Device Has Inputs and Outputs Which Do Not Have ESD
Protection. Antistatic Precautions Must Be T aken.
MAXIMUM RATINGS (Voltages Referenced to V
SymbolParameterValueUnit
V
DD
Vin, V
out
I
in
I
SW
P
D
T
A
T
stg
T
L
2. Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device
may occur.
3. Temperature Derating:
Plastic “P and D/DW” Packages: – 7.0 mW/_C From 65_C To 125_C
This device contains protection circuitry to guard against damage due to high
static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid
applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this
high–impedance circuit. For proper operation, Vin and V
to the range V
Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g.,
either V
or VDD). Unused outputs must be left open.
SS
, Use The HC4016 High–Speed CMOS Device or
ON
) (Note 2.)
SS
DC Supply Voltage Range–0.5 to +18.0V
Input or Output Voltage Range
(DC or Transient)
Input Current (DC or Transient)
per Control Pin
Switch Through Current±25mA
Power Dissipation,
per Package (Note 3.)
Ambient Temperature Range–55 to +125°C
Storage Temperature Range–65 to +150°C
Lead Temperature
(8–Second Soldering)
v (Vin or V
SS
) v VDD.
out
–0.5 to VDD + 0.5V
±10mA
500mW
260°C
should be constrained
out
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
14
PDIP–14
P SUFFIX
CASE 646
SOIC–14
D SUFFIX
CASE 751A
SOEIAJ–14
F SUFFIX
CASE 965
A= Assembly Location
WL or L = Wafer Lot
YY or Y = Year
WW or W = Work Week
1. For ordering information on the EIAJ version of
the SOIC packages, please contact your local
ON Semiconductor representative.
55/Rail
See Note 1.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
March, 2000 – Rev . 3
1Publication Order Number:
MC14016B/D
Page 2
MC14016B
PIN ASSIGNMENT
IN 1
OUT 1
OUT 2
IN 2
CONTROL 2
CONTROL 3
V
SS
BLOCK DIAGRAM
CONTROL 1
IN 1
CONTROL 2
IN 2
CONTROL 3
IN 3
CONTROL 4
IN 4
1
2
3
4
6
7
14
13
12
11
105
9
8
V
DD
CONTROL 1
CONTROL 4
IN 4
OUT 4
OUT 3
IN 3
13
2
1
OUT 1
5
3
4
OUT 2
6
9
8
OUT 3
12
10
11
OUT 4
V
= PIN 14
DD
V
= PIN 7
SS
ControlSwitch
0 = V
SS
1 = V
DD
LOGIC DIAGRAM
(1/4 OF DEVICE SHOWN)
CONTROL
LOGIC DIAGRAM RESTRICTIONS
V
≤ Vin ≤ V
SS
VSS ≤ V
DD
≤ V
out
DD
Off
On
OUT
IN
http://onsemi.com
2
Page 3
MC14016B
ÎÎÎÎ
V
DD
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to V
Characteristic
Input Voltage
Control Input
ООООООООО
ОООООООООÎÎÎÎÎ
Input Current Control
Input Capacitance
ООООООООО
Control
Switch Input
ООООООООО
Switch Output
ООООООООО
Feed Through
Quiescent Current
(Per Package)
ООООООООО
“ON” Resistance
ООООООООО
(V
= VDD, RL = 10 kΩ)
C
= + 5.0 Vdc)
(V
in
ООООООООО
(V
= – 5.0 Vdc) VSS = – 5.0 Vdc
in
ООООООООО
(V
= ± 0.25 Vdc)
in
(5.)
(Vin = + 7.5 Vdc)
(V
= – 7.5 Vdc) VSS = – 7.5 Vdc
in
ООООООООО
= ± 0.25 Vdc)
(V
in
(Vin = + 10 Vdc)
(V
= + 0.25 Vdc) VSS = 0 Vdc
ООООООООО
in
= + 5.6 Vdc)
(V
in
(Vin = + 15 Vdc)
ООООООООО
(V
= + 0.25 Vdc) VSS = 0 Vdc
in
= + 9.3 Vdc)
(V
in
ООООООООО
∆ “ON” Resistance
Figure
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
1
—
—
2,3
4,5,6
—
Symbol
V
IL
ÎÎ
V
IH
I
in
C
in
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
I
DD
ÎÎ
R
ON
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
∆R
ON
V
Vdc
5.0
10
Î
15
5.0
10
Î
15
15
Î
—
—
Î
—
Î
—
5.0
10
Î
15
Î
Î
Î
5.0
7.5
10
Î
15
Î
SS
)
Min
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
– 55_C
Î
Î
±0.1
Î
Î
Î
0.25
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Max
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
1.0
600
600
600
360
360
360
600
600
600
360
360
360
Min
—
—
Î
—
3.0
8.0
Î
13
—
Î
—
—
Î
—
Î
—
—
—
Î
—
—
Î
—
—
Î
—
Î
—
—
—
Î
—
—
—
Î
—
—
Î
—
—
Î
25_C
(4.)
Typ
1.5
1.5
ÎÎ
1.5
2.0
6.0
ÎÎ
11
±0.00001
ÎÎ
5.0
5.0
ÎÎ
5.0
ÎÎ
0.2
0.0005
0.0010
ÎÎ
0.0015
ÎÎ
300
ÎÎ
300
ÎÎ
280
240
240
ÎÎ
180
260
310
ÎÎ
310
260
ÎÎ
260
300
ÎÎ
Max
0.9
0.9
Î
0.9
—
—
Î
—
±0.1
Î
—
—
Î
—
Î
—
0.25
0.5
Î
1.0
Î
660
Î
660
Î
660
400
400
Î
400
660
660
Î
660
400
Î
400
400
Î
Min
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125_C
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Between any 2 circuits in a common
ООООООООО
package
(V
= VDD)
C
ООООООООО
(V
= ± 5.0 Vdc, VSS = – 5.0 Vdc)
in
ООООООООО
(V
= ± 7.5 Vdc, VSS = – 7.5 Vdc)
in
Input/Output Leakage Current
(V
= VSS)
C
ООООООООО
= + 7.5, V
(V
in
(V
= – 7.5, V
ООООООООО
in
= – 7.5 Vdc)
out
= + 7.5 Vdc)
out
Î
Î
Î
—
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
—
ÎÎ
ÎÎ
5.0
7.5
7.5
7.5
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
—
Î
—
Î
—
—
Î
—
—
±0.1
±0.1
Î
Î
—
Î
—
Î
—
—
Î
ÎÎ
ÎÎ
15
ÎÎ
10
ÎÎ
±0.0015
±0.0015
ÎÎ
Î
Î
—
Î
—
Î
±0.1
± 0.1——
Î
Î
Î
—
Î
—
Î
Î
NOTE: All unused inputs must be returned to VDD or VSS as appropriate for the circuit application.
4. Data labelled “Typ” is not to be used for design purposes but is intended as an indication of the IC’s potential performance.
5. For voltage drops across the switch (∆V
current out of the switch may contain both V
Maximum Ratings are exceeded. (See first page of this data sheet.) Reference Figure 14.
) > 600 mV ( > 300 mV at high temperature), excessive VDD current may be drawn; i.e., the
switch
and switch input components. The reliability of the device will be unaffected unless the
DD
Max
—
—
—
—
—
—
± 1.0
—
—
—
—
7.5
15
30
840
840
840
520
520
520
840
840
840
520
520
520
—
—
± 1.0
± 1.0
Unit
Vdc
Î
Vdc
Î
µAdc
pF
Î
Î
Î
µAdc
Î
Ohms
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Ohms
Î
Î
Î
µAdc
Î
Î
http://onsemi.com
3
Page 4
MC14016B
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
–50dB)
(6.)
(C
= 50 pF, TA = 25_C)
L
Figure
10,11
12,13
Symbol
Î
Î
Î
Î
Î
—
Î
Î
Î
7
Î
8
Î
Î
9
Î
t
PLH
t
t
PHZ
t
PLZ
t
PZH
t
PHL
PZL
—
,
,
,
,
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
—
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
—
Î
ÎÎÎÎÎÎ
—
Î
Î
12
Î
Î
Î
Î
Î
—
Î
Î
—
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
BW
Î
Î
Î
Î
—
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
—
Î
Î
Î
Î
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
DD
Vdc
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
5.0
5.0
5.0
Min
Î
—
—
—
Î
—
Î
—
—
Î
—
—
Î
—
—
Î
Î
—
—
Î
—
—
—
Î
—
—
Î
Î
Î
—
Î
—
Î
—
—
Î
Î
Î
—
—
Î
—
Î
—
Î
Î
—
—
Î
—
Î
—
(7.)
Typ
ÎÎ
15
7.0
6.0
ÎÎ
34
ÎÎ
20
15
ÎÎ
30
50
ÎÎ
100
– 80
ÎÎ
ÎÎ
24
25
ÎÎ
30
12
12
ÎÎ
15
0.16
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.3
ÎÎ
0.2
ÎÎ
0.1
0.05
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
54
40
ÎÎ
38
ÎÎ
37
ÎÎ
ÎÎ
1250
140
ÎÎ
18
ÎÎ
2.0
Max
Î
45
15
12
Î
90
Î
45
35
Î
—
—
Î
—
—
Î
Î
—
—
Î
—
—
—
Î
—
—
Î
Î
Î
—
Î
—
Î
—
—
Î
Î
Î
—
—
Î
—
Î
—
Î
Î
—
—
Î
—
Î
—
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ОООООООООООООО
Propagation Delay Time (VSS = 0 Vdc)
V
to V
in
out
(VC = VDD, RL = 10 kΩ)
ОООООООООООООО
Control to Output
(V
v 10 Vdc, RL = 10 kΩ)
in
ОООООООООООООО
ОООООООООООООО
Crosstalk, Control to Output (VSS = 0 Vdc)
(V
= VDD, Rin = 10 kΩ, R
C
ОООООООООООООО
f = 1.0 kHz)
Crosstalk between any two switches (VSS = 0 Vdc)
(R
= 1.0 kΩ, f = 1.0 MHz,
L
ОООООООООООООО
crosstalk+20log
ОООООООООООООО
Noise Voltage (VSS = 0 Vdc)
(V
= VDD, f = 100 Hz)
C
ОООООООООООООО
(VC = VDD, f = 100 kHz)
ОООООООООООООО
Second Harmonic Distortion (VSS = – 5.0 Vdc)
ОООООООООООООО
(V
= 1.77 Vdc, RMS Centered @ 0.0 Vdc,
in
= 10 kΩ, f = 1.0 kHz)
R
L
ОООООООООООООО
Insertion Loss (VC = VDD, Vin = 1.77 Vdc,
V
= – 5.0 Vdc, RMS centered = 0.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
SS
ОООООООООООООО
I
+
20log
loss
ОООООООООООООО
(RL = 1.0 kΩ)
ОООООООООООООО
(R
= 10 kΩ)
L
= 100 kΩ)
(R
L
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 MΩ)
L
Bandwidth (– 3.0 dB)
(V
= VDD, Vin = 1.77 Vdc, VSS = – 5.0 Vdc,
ОООООООООООООО
C
RMS centered @ 0.0 Vdc)
ОООООООООООООО
= 1.0 kΩ)
(R
L
(R
= 10 kΩ)
ОООООООООООООО
L
(R
= 100 kΩ)
L
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 MΩ)
L
OFF Channel Feedthrough Attenuation
(V
= – 5.0 Vdc)
SS
ОООООООООООООО
(V
= VSS, 20 log
C
ОООООООООООООО
(RL = 1.0 kΩ)
ОООООООООООООО
(R
= 10 kΩ)
L
= 100 kΩ)
(R
L
ОООООООООООООО
(R
= 1.0 MΩ)
L
Characteristic
V
10
V
V
out
)
10
V
in
V
10
V
out1
out2
out
in
= 10 kΩ,
out
)
+
6. The formulas given are for typical characteristics only at 25_C.
7. Data labelled “Typ” is not to be used for design purposes but is intended as an indication of the IC’s potential performance.
Unit
ÎÎ
ns
ÎÎ
ns
ÎÎ
ÎÎ
mV
ÎÎ
dB
ÎÎ
ÎÎ
nV/√Cycle
ÎÎ
ÎÎ
%
ÎÎ
ÎÎ
dB
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
MHz
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
kHz
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
http://onsemi.com
4
Page 5
MC14016B
00
00
V
C
I
S
VIL: VC is raised from VSS until VC = VIL.
: at VC = VIL: IS = ±10 µA with Vin = VSS, V
V
IL
: When VC = VIH to VDD, the switch is ON and the RON specifications are met.
V
IH
V
DD
I
D
V
V
PULSE
GENERATOR
P
= VDD x I
D
TO ALL
4 CIRCUITS
f
c
D
DD
V
SS
out
CONTROL
INPUT
V
in
Figure 2. Quiescent Power Dissipation
T est Circuit
V
in
V
out
= VDD or Vin = VDD, V
out
Figure 1. Input Voltage Test Circuit
10,000
= 25°C
T
µW)
1000
A
100
10 k
, POWER DISSIPATION (P
10
D
1.0
Figure 3. T ypical Power Dissipation per Circuit
= VSS.
out
VDD = 15 Vdc
, FREQUENCY (Hz)
f
c
(1/4 of device shown)
10 Vdc
5.0 Vdc
50 M10 M1.0 M100 k10 k5.0 k
TYPICAL RON versus INPUT VOLTAGE
7
RL = 10 kΩ
T
600
= 25°C
A
500
400
VC = VDD = 5.0 Vdc
V
= –5.0 Vdc
SS
300
200
, “ON” RESISTANCE (OHMS)R
ON
100
0
–10 –8.0–4.004.08.010
V
, INPUT VOLTAGE (Vdc)
in
VC = VDD = 7.5 Vdc
V
= –7.5 Vdc
SS
Figure 4. VSS = – 5.0 V and – 7.5 VFigure 5. VSS = 0 V
7
VSS = 0 Vdc
600
R
L
T
A
500
400
VC = VDD = 10 Vdc
300
200
, “ON” RESISTANCE (OHMS)R
VC = VDD = 15 Vdc
ON
100
0
02.06.010141820
V
, INPUT VOLTAGE (Vdc)
in
= 10 kΩ
= 25°C
http://onsemi.com
5
Page 6
MC14016B
V
out
RLC
L
V
in
V
out
R
V
C
V
in
L
20 ns20 ns
t
PHL
90%
50%
V
in
t
PLH
V
out
10%
50%
V
DD
V
SS
Figure 6. RON Characteristics
T est Circuit
V
out
V
C
V
in
20 ns
t
PZH
t
PZL
50%
V
C
V
out
V
out
10%
90%
90%
10%
90%
10%
t
V
PHZ
t
PLZ
R
C
L
L
X
V
DD
V
SS
Vin = V
Vx = V
Vin = V
Vx = V
Figure 8. T urn–On Delay Time Test Circuit
and Waveforms
Figure 7. Propagation Delay T est Circuit
and Waveforms
V
out
V
C
DD
SS
V
in
10 k15 pF
1 k
SS
DD
Figure 9. Crosstalk T est Circuit
35
30
VDD = 15 Vdc
25
10 Vdc
5.0 Vdc
VC = V
20
15
OUT
DD
IN
QUAN–TECH
MODEL
2283
OR EQUIV
10
NOISE VOLTAGE (nV/ CYCLE)
5.0
0
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 10. Noise V oltage Test CircuitFigure 11. Typical Noise Characteristics
http://onsemi.com
6
100 k10 k1.0k10010
Page 7
2
.0
0
–2.0
–4.0
–6.0
–8.0
TYPICAL INSERTION LOSS (dB)
–10
–12
Figure 12. T ypical Insertion Loss/Bandwidth
RL = 1 MΩ AND 100 kΩ
10 kΩ
1.0 kΩ
f
, INPUT FREQUENCY (Hz)
in
Characteristics
–3.0 dB (RL = 1.0 MΩ )
–3.0 dB (RL = 10 kΩ )
–3.0 dB (RL = 1.0 kΩ )
CONTROL
SECTION
OF IC
MC14016B
100 M10 M1.0 M100 k10 k
V
V
C
+ 2.5 Vdc
V
in
0.0 Vdc
– 2.5 Vdc
Figure 13. Frequency Response T est Circuit
ON SWITCH
out
R
L
LOAD
V
SOURCE
Figure 14. ∆V Across Switch
http://onsemi.com
7
Page 8
MC14016B
APPLICATIONS INFORMATION
Figure A illustrates use of the Analog Switch. The 0–to–5
V Digital Control signal is used to directly control a 5 V
p–p
analog signal.
The digital control logic levels are determined by V
and VSS. The VDD voltage is the logic high voltage; the V
DD
SS
voltage is logic low . For the example, VDD = +5 V logic high
at the control inputs; VSS = GND = 0 V logic low.
The maximum analog signal level is determined by V
DD
and VSS. The analog voltage must not swing higher than
VDD or lower than VSS.
+5 V
V
SS
SWITCH
+5 V
EXTERNAL
CMOS
DIGITAL
CIRCUITRY
5 V
p–p
ANALOG SIGNAL
0–TO–5 V DIGITAL
CONTROL SIGNALS
SWITCH
IN
V
DD
MC14016B
OUT
The example shows a 5 V
margin at either peak. If voltage transients above V
signal which allows no
p–p
DD
and/or below VSS are anticipated on the analog channels,
external diodes (Dx) are recommended as shown in Figure
B. These diodes should be small signal types able to absorb
the maximum anticipated current surges during clipping.
The absolute maximum potential difference between
V
and VSS is 18.0 V. Most parameters are specified up to
DD
15 V which is the recommended maximum difference
between VDD and VSS.
+5.0 V
5 V
p–p
ANALOG SIGNAL
+2.5 V
GND
Figure A. Application Example
V
DD
D
x
SWITCH
IN
D
x
V
SS
SWITCH
OUT
V
DD
D
D
V
SS
Figure B. External Germanium or Schottky Clipping Diodes
x
x
http://onsemi.com
8
Page 9
MC14016B
P ACKAGE DIMENSIONS
P SUFFIX
PLASTIC DIP PACKAGE
CASE 646–06
ISSUE M
148
B
17
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
–B–
P
7 PL
M
71
0.25 (0.010)B
C
X 45
R
K
M
S
B
T
S
M
_
M
F
J
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE
MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE
Q
1
c
MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH
OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
MILLIMETERS
DIM MINMAXMINMAX
–––2.05––– 0.081
A
A
0.050.20 0.0020.008
1
0.350.50 0.0140.020
b
0.180.27 0.0070.011
c
9.90 10.500.390 0.413
D
5.105.45 0.2010.215
E
1.27 BSC0.050 BSC
e
H
7.408.20 0.2910.323
E
0.500.85 0.0200.033
0.50
L
1.101.500.043 0.059
E
0
M
_
Q
0.700.90 0.0280.035
1
–––1.42––– 0.056
Z
INCHES
10
_
10
0
_
_
http://onsemi.com
11
Page 12
MC14016B
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability ,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly , any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer .
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 T oll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (M–F 1:00pm to 5:00pm Munich Time)
Email: ONlit–german@hibbertco.com
French Phone: (+1) 303–308–7141 (M–F 1:00pm to 5:00pm Toulouse T ime)
Email: ONlit–french@hibbertco.com
English Phone: (+1) 303–308–7142 (M–F 12:00pm to 5:00pm UK Time)
Email: ONlit@hibbertco.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, England, Ireland
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–spanish@hibbertco.com
ASIA/PACIFIC : LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
T oll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–asia@hibbertco.com
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, T okyo, Japan 141–8549
Phone: 81–3–5740–2745
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
http://onsemi.com
12
MC14016B/D
Loading...
+ hidden pages
You need points to download manuals.
1 point = 1 manual.
You can buy points or you can get point for every manual you upload.