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LC Mini TOPLED® RG
Low Current LED
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Features
LS M779, LY M779, LG M779
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (12 mm tape)
Typ
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustritts-
Lichtstärke
fläche
Type
LS M779-CF
LS M779-DG
Color of
Emission
Color of the
Light Emitting
Area
Luminous
Intensity
I
= 2 mA
F
I
(mcd)
V
super-red colorless clear 0.25 ... 0.5
0.40 ... 0.8
Lichtstrom
Luminous
Bestellnummer
Ordering Code
Flux
I
= 2 mA
F
ΦV(mlm)
3.0 typ. Q62703-Q3740
Q62703-Q3744
VPL06926
LY M779-CF
LY M779-DG
yellow colorless clear 0.25 ... 0.5
0.40 ... 0.8
3.0 typ. Q62703-Q3945
Q62703-Q3946
LG M779-CO green colorless clear ≥ 0.25 (1.0 typ.) 3.0 typ. Q62703-Q3050
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 11.96
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LS M779, LY M779, LG M779
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
)
Montage auf PC-Board*
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm 2)
(Padgröße ≥ 16 mm 2)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 ˚C
– 55 ... + 100 ˚C
+ 100 ˚C
7.5 mA
0.15 A
5V
20 mW
530 K/W
*)PC-board: FR4
Semiconductor Group 2
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
LS M779, LY M779, LG M779
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 7.5 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 7.5 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 7.5 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
(typ.)
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 2 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LY LG
λ
λ
peak
dom
635 586 565 nm
628 590 570 nm
∆λ 45 45 25 nm
2ϕ 120 120 120 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.8
2.6
0.01
10
2.0
2.7
0.01
10
1.9
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
3 3 15 pF
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3
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LS M779, LY M779, LG M779
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA = 25 ˚C, IF= 7.5 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 4
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LS M779, LY M779, LG M779
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV / I
V(2 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tp)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Semiconductor Group 5
Page 6
LS M779, LY M779, LG M779
Wellenlänge der Stahlung λ
peak
Wavelength at peak emission
I
= 7.5 mA
F
= f (TA)
Dominantwellenlänge λ
Dominant wavelength
I
= 7.5 mA
F
= f (TA)
dom
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 2 mA
F
V
= f (TA)
F
Relative Lichtstärke
I
/ I
V
V(25 ˚C)
Relative luminous intensity
I
= 2 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
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LS M779, LY M779, LG M779
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06926
Semiconductor Group 7
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