Datasheet LYM776-R, LYM776-P, LYM776-NR, LSM776-Q, LSM776-P Datasheet (Siemens) [de, en]

Hyper Mini TOPLED®RG
Hyper-Bright LED

Besondere Merkmale

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

Features

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

● color of package: white

● for use as optical indicator

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

VPL06926

Semiconductor Group 1 11.96

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Typ

Type

LS M776-MQ
LS M776-N
LS M776-P
LS M776-Q
LS M776-NR

LA M776-NR
LA M776-P
LA M776-Q
LA M776-R
LA M776-PS

LO M776-NR
LO M776-P
LO M776-Q
LO M776-R
LO M776-PS

Emissions­farbe
Color of
Emission

Farbe der Licht­austrittsfläche
Color of the Light
Emitting
Area

Lichtstärke

Luminous
Intensity

I

= 20 mA

F

I

(mcd)

V

super-red colorless clear 16

25 … 50
40 … 80
63 … 125
25 … 200

amber colorless clear 25

40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320

orange colorless clear 25

40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320

… 125

… 200

… 200

Lichtstrom

Luminous
Flux

I

= 20 mA

F

ΦV (mlm)

­100 (typ.)
180 (typ.)
300 (typ.)

-

­180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)

-

­180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)

-

Bestellnummer

Ordering Code

Q62703-Q3859
Q62703-Q3860
Q62703-Q3861
Q62703-Q3862
Q62703-Q3863

Q62703-Q3864
Q62703-Q3865
Q62703-Q3866
Q62703-Q3867
Q62703-Q3868

Q62703-Q3869
Q62703-Q3870
Q62703-Q3871
Q62703-Q3872
Q62703-Q3873

LY M776-NR
LY M776-P
LY M776-Q
LY M776-R
LY M776-PS

yellow colorless clear 25

40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

… 200

/ I

V max

≤ 2.0.

V min

V min

­180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)

-

≤ 2.0.

Q62703-Q3874
Q62703-Q3875
Q62703-Q3876
Q62703-Q3877
Q62703-Q3878

Semiconductor Group 2

Grenzwerte
Maximum Ratings

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspannung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)

1)

1)

)

(Padgröße ≥ 16 mm2)

Symbol
Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit
Unit

LS, LO, LA LY

– 55 ... + 100 ˚C

– 55 ... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 20 mA

to be defined A

3V

80

630

2)

2)

2)

55

mW

500 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

2)

vorläufig/preliminary

)

*

PC-board: FR4

Semiconductor Group 3

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Bezeichnung
Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50%
Spectral bandwidth at 50% I

I

= 20 mA

F

Abstrahlwinkel bei 50%
Viewing angle at 50% I

I

v

I

rel max

rel max

(Vollwinkel)

v

(typ.)
(typ.)

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

= 20 mA

F

Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)

V

= 3 V

R

Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of λ

Temperaturkoeffizient von λ

λ

dom(IF
dom(IF

,

peak

= 20 mA)
= 20 mA)

IF = 20 mA (typ.)

Temperature coefficient of λ

peak

,

IF = 20 mA (typ.)

Symbol
Symbol

Werte

Values

Einheit
Unit

LS LA LO LY

λ

λ

peak

dom

645 622 610 591 nm

632 615 605 587 nm

∆λ 16 16 16 15 nm

2ϕ 120 120 120 120 Grad

deg.

V
V

I

R

I

R

TC

TC

F
F

λ

λ

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V
V

0.01100.01100.01100.0110µA
µA

0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K

0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K

V

Temperaturkoeffizient von

, IF = 20 mA (typ.)

F

Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)

Semiconductor Group 4

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Relative spektrale Emission I

= f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic

= f (ϕ)

rel

Semiconductor Group 5

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current

T

= 25 ˚C

A

Relative Lichtstärke IV / I

V(20 mA)

Relative luminous intensity

T

= 25 ˚C

A

= f (IF)

Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

Relative Lichtstärke

I

/ I

V

V(25 ˚C)

Relative luminous intensity

I

= 10 mA

F

= f (TA)

Semiconductor Group 6

LS M776, LA M776, LO M776

LY M776

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge

GPL06926

Semiconductor Group 7