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LC ARGUS® LED
Low current 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
● hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
● bei Einsatz eines äußeren Reflectors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
● zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe
(Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
● Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die, von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
LS K389, LY K389, LG K389
VEX06712
Features
● colored, clear package
● plasic package with a special design
● high light intensity at low currents (typ. 2 mA)
● in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
● for optical coupling into light pipes
● uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral transmission must be adjusted to the
wavelength emitted by the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
= 2 mA
F
Bestellnummer
Ordering Code
ΦV (mlm)
LS K389-FO super-red red clear ≥1 (5.0 typ.) Q62703-Q1771
LY K389-FO yellow yellow clear ≥1 (3.2 typ.) Q62703-Q1772
LG K389-FO green green clear ≥1 (3.2 typ.) Q62703-Q1773
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit Φ
Luminous flux ratio in one packaging unit Φ
V max/ΦV min
≤ 2.0.
V max/ΦV min
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 11.96
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LS K389, LY K389, LG K389
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 … + 100 ˚C
– 55 … + 100 ˚C
+ 100 ˚C
7.5 mA
150 mA
5V
20 mW
500 K/W
Semiconductor Group 2
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Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS K389, LY K389, LG K389
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 7.5 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 7.5 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φ
Spectral bandwidth at 50 % Φ
I
= 7.5 mA
F
rel max
rel max
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 2 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, ƒ = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LY LG
λ
peak
λ
dom
635 586 565 nm
628 590 570 nm
∆λ 45 45 25 nm
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.8
2.6
0.01
10
2.0
2.7
0.01
10
1.9
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
3315pF
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3
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LS K389, LY K389, LG K389
Relative spektrale Emission Φ
= ƒ (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φ
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 4
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LS K389, LY K389, LG K389
Durchlaßstrom IF= f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relativer Lichtstrom ΦV/Φ
Relative luminous flux
T
= 25 ˚C
A
V (2 mA)
= f (IF)
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Semiconductor Group 5
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LS K389, LY K389, LG K389
Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission
I
= 7.5 mA
F
peak
= f (TA)
Dominantwellenlänge λ
Dominant wavelength
I
= 7.5 mA
F
dom
= f (TA)
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 2 mA
F
V
F
= f (TA)
Relativer Lichtstrom Φ
Relative luminous flux
I
= 2 mA
F
V/ΦV(25 °C)
= ƒ (TA)
Semiconductor Group 6
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LS K389, LY K389, LG K389
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
GEX06712
Semiconductor Group 7
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