Datasheet LYC876-PO, LSC876-NO, LOC876-PO, LAC876-PO Datasheet (Siemens) [de, en]

Hyper Mini SIDELED

®

Hyper-Bright LED

Besondere Merkmale

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und

Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

LS C876, LA C876

LO C876, LY C876

Features

● color of package: white

● for use as optical indicator

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

Typ

Emissions­farbe

Farbe der
Lichtaustritts-

Lichtstärke

Lichtstrom

Bestellnummer

fläche

Type

Color of
Emission

Color of the
Light Emitting
Area

Luminous
Intensity

I

= 20 mA

F

I

(mcd)

V

Luminous
Flux

I

= 20 mA

F

ΦV (mlm)

Ordering Code

LS C876-NO super-red colorless clear ≥ 25 (60 typ.) 180 (typ.) Q62703-Q3659

VPL06923

LA C876-PO amber colorless clear ≥ 40

300 (typ.) Q62703-Q3658

(100 typ.)

LO C876-PO orange colorless clear ≥ 40

300 (typ.) Q62703-Q3657

(100 typ.)

LY C876-PO yellow colorless clear ≥ 40

300 (typ.) Q62703-Q3656

(100 typ.)

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V max

V min

/ I

V min

≤ 2.0.

≤ 2.0.

Semiconductor Group 1 11.96

Grenzwerte
Maximum Ratings

LS C876, LA C876, LO C876, LY C876

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation,

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)

1)

(IF = 10 µA)

1)

T

A

≤ 25 °C

*)

(Padgröße ≥ 16 mm2)

Symbol
Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

thJA

Werte

Values

Einheit
Unit

LS, LA, LO LY

– 55... + 100 ˚C

– 55... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 20 mA

to be defined A

3V

80 55 mW

630 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

*)

PC-board: FR4

Semiconductor Group 2

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

LS C876, LA C876, LO C876, LY C876

Bezeichnung
Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50%
Spectral bandwidth at 50% I

I

= 20 mA

F

Abstrahlwinkel bei 50%
Viewing angle at 50% I

I

v

I

rel max

rel max

(Vollwinkel)

v

(typ.)
(typ.)

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

= 20 mA

F

Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)

V

= 3 V

R

Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of λ

Temperaturkoeffizient von λ

λ

dom(IF
dom(IF

,

peak

= 20 mA)
= 20 mA)

IF = 20 mA (typ.)

Temperature coefficient of λ

peak

,

IF = 20 mA (typ.)

Symbol
Symbol

Werte

Values

Einheit
Unit

LS LA LO LY

λ

λ

peak

dom

645 622 610 591 nm

632 615 605 587 nm

∆λ 16 16 16 15 nm

2ϕ 120 120 120 120 Grad

deg.

V
V

I

R

I

R

TC

TC

F
F

λ

λ

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V
V

0.01100.01100.01100.0110µA
µA

0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K

0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K

V

Temperaturkoeffizient von

, IF = 20 mA (typ.)

F

Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)

Semiconductor Group 3

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

LS C876, LA C876, LO C876, LY C876

Relative spektrale Emission I

= f (λ), TA= 25˚C, IF= 10 mA

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic

= f (ϕ)

rel

Semiconductor Group 4

LS C876, LA C876, LO C876, LY C876

Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current

T

= 25˚C

A

Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

Relative Lichtstärke

I

V/IV(20 mA)

Relative luminous intensity

T

= 25˚C

A

= f (IF)

Relative Lichtstärke

I

/ I

V

V(25˚C )

Relative luminous intensity

I

= 20 mA

F

= f (TA)

Semiconductor Group 5

LS C876, LA C876, LO C876, LY C876

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

GPL06930

Semiconductor Group 6