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Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
● nicht eingefärbtes, klares Gehäuse
● zur Einkopplung in Lichtleiter
● als optischer Indikator einsetzbar
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
LS 3336, LA 3336, LO 3336
LY 3336
● colorless, clear package
● optical coupling into light pipes
● for use as optical indicator
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
VEX06710
Semiconductor Group 1 1998-09-18
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LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Typ
Type
LS 3336-QT
LS 3336-R
LS 3336-S
LS 3336-T
LS 3336-RU
LA 3336-RU
LA 3336-S
LA 3336-T
LA 3336-U
LA 3336-SV
LO 3336-RU
LO 3336-S
LO 3336-T
LO 3336-U
LO 3336-SV
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 20 mA
F
I
(mcd)
V
super-red colorless clear 63 ... 500
100 ... 200
160 ... 320
250 ... 500
100 ... 800
amber colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
orange colorless clear 100 ... 800
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3482
Q62703-Q3484
Q62703-Q3485
Q62703-Q3813
Q62703-Q3486
Q62703-Q3554
Q62703-Q3551
Q62703-Q3552
Q62703-Q3553
Q62703-Q3555
Q62703-Q3144
Q62703-Q3176
Q62703-Q3170
Q62703-Q3307
Q62703-Q3177
LY 3336-RU
yellow colorless clear 100 ... 800
LY 3336-S
LY 3336-T
LY 3336-U
LY 3336-SV
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/ I
V max
V min
160 ... 320
250 ... 500
400 ... 800
160 ... 1250
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Q62703-Q3487
Q62703-Q3489
Q62703-Q3490
Q62703-Q3814
Q62703-Q3491
Semiconductor Group 2 1998-09-18
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
1)
1)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
– 55 ... + 100 ˚C
– 55 ... + 100 ˚C
+ 100 ˚C
30 20 mA
1 0.2 A
3V
80 55 mW
500 K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
Semiconductor Group 3 1998-09-18
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Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50% I
Spectral bandwidth at 50% I
I
= 20 mA
F
rel max
rel max
(typ.)
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% I
v
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 20 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 3 V
R
Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ
Temperaturkoeffizient von λ
dom(IF
dom(IF
,
peak
= 20 mA)
= 20 mA)
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LA LO LY
λ
λ
peak
dom
645 622 610 591 nm
632 615 605 587 nm
∆λ 16 16 16 15 nm
2ϕ 50 50 50 50 Grad
deg.
V
V
I
R
I
R
TC
TC
F
F
λ
λ
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
0.01100.01100.01100.0110µA
µA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)
TC
V
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group 4 1998-09-18
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LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
OHL00235
V
λ
yellow
orange
amber
super-red
0
400
450 500 550 600 650 700nm
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
40
50
60
70
30 20
80
90
= f (ϕ)
rel
10
λ
0
φ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
OHL01646
100
1.0
0.8
0.40.6 0
10020 40 8060 120
Semiconductor Group 5 1998-09-18
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LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25˚C
A
2
10
mA
Ι
5
F
1
10
5
0
10
5
-1
10
1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4
1.0
OHL00232
V
F
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
35
mA
Ι
F
30
25
yellow
20
15
10
5
0
0 20 40 60 80 C 100
OHL00248
Τ
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(20 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25˚C
A
1
10
Ι
V
Ι
V
(20 mA)
0
10
5
-1
10
5
superred
yellow
orange/amber
10
-2
5
-3
10
10
-1
0
10
55mA
= f (IF)
1
10
OHL00233
10
Ι
F
Relative Lichtstärke IV/ I
V(25˚C )
= f (TA)
Relative luminous intensity
I
= 20 mA
F
OHL00238
Ι
V
Ι
V
(25 C)
2.0
1.6
orange
yellow
amber
super-red
1.2
0.8
orange
0.4
2
0
-20 0 20 40 60 C 100
yellow
amber
super-red
T
A
Semiconductor Group 6 1998-09-18
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LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
1
10
A
Ι
5
F
D
t
p
t
p
=
T
D
10
0
5
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
-1
10
5
OHL00322
Ι
F
T
=
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
0
10
A
Ι
F
5
=
D
t
p
t
p
T
D
0.005
0.01
0.02
0.05
10
0.1
-1
0.2
5
0.5
OHL00316
Ι
F
T
=
10
-2
-5
10
-410-310-210-1100101102
10s
t
p
10
-2
-5
10
-410-310-210-1100101102
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Area not flat
0.7
0.4
0.6
spacing
2.54mm
Cathode
Approx. weight 0.15 g
1.8
1.2
29.0
27.0
0.4
0.8
0.4
1.1
0.9
4.8
4.4
6.1
5.7
3.7
3.5
ø2.7
ø2.9
Cathode
3.4
3.1
GEX06951
0.6
0.4
10s
t
p
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
Semiconductor Group 7 1998-09-18
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