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Hyper TOPLED
®
White LED
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
• GaN-Technologie
• Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931
• Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (120°)
• ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7
• JEDEC Level 2
• weißes SMT-Gehäuse
• Für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
• Gegurtet in 8 mm-Filmgurt
Features
• GaN technology
• color: white x = 0.30, y = 0.32 according to CIE1931
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• ESD withstand voltage of 2 kV
according to MIL STD 883D, Method 3015.7
• JEDEC Level 2
• white colored SMT package
• suitable for all SMT assembly and soldering methods
• available on 8 mm tape reels
LW T676
VPL06724
Anwendungen
• Innenbeleuchtungen und Hinterleuchtungen im Automobilbereich
• Anzeigen im Innen und Außenbereich
• LCD-Hinterleuchtungen
• Schalter-Hinterleuchtungen
• Batterie-Taschenlampen
• Notausgangsbeleuchtungen
• Leselampen
• Sehr gute Alternative zur Glühlampe
Applications
• illumunations and backlighting for interior automotive applications
• indoor and outdoor message boards
• LCD backlighting
• switch backlighting
• battery torches
• emergency exit illuminations
• lamps for reading purposes
• very good alternative to incandescent lamps
Semiconductor Group 1 1998-11-05
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Typ
Type
LW T676
LW T676-L2
LW T676-M1
LW T676-M2
LW T676-N1
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of
Emission
Color of the
Light Emitting
Area
white colored diffused
Lichtstärke
Luminous
Intensity
= 10 mA
I
F
(mcd)
I
V
12.5 ... 20.0
16.0 ... 25.0
20.0 ... 32.0
25.0 ... 40.0
Lichtstrom
Luminous
Flux
= 10 mA
I
F
(mlm)
Φ
V
50 (typ.)
60 (typ.)
80 (typ.)
100 (typ.))
LW T676
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q4450
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
I
Luminous intensity ratio in one packaging unit
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 1.6.
≤ 1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group 2 1998-11-05
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LW T676
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Sperrspanung
Reverse voltage
1)
1)
Verlustleistung
Power dissipation
≤ 25 °C
T
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
)
Montage auf PC-board*
mounted on PC board*
(Padgröße ≥ 16 mm2)
)
(pad size ≥ 16 mm2)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 40 ... + 100 °C
– 40 ... + 100 °C
+ 100 °C
20 mA
5V
90 mW
500 K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
PC-board: FR4
*
Semiconductor Group 3 1998-11-05
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LW T676
Kennwerte (
Characteristics
= 25 °C)
T
A
Bezeichnung
Parameter
Farbkoordinate x nach CIE 1931
1)
Chromaticity coordinate x acc. to CIE 1931
= 10 mA
I
F
Farbkoordinate y nach CIE 1931
1)
Chromaticity coordinate y acc. to CIE 1931
= 10 mA
I
F
(Vollwinkel)
Abstrahlwinkel bei 50%
Viewing angle at 50%
I
v
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 10 mA
F
Sperrstrom
Reverse current
= 5 V
V
R
Temperaturkoeffizient von x (
Temperature coefficient of x (
Temperaturkoeffizient von y (I
= 10 mA)
I
F
= 10 mA)
I
F
= 10 mA)
F
Temperature coefficient of y (IF = 10 mA)
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
typ. max.
x 0.300 – –
y 0.320 – –
2ϕ 120 – Grad
deg.
V
F
I
R
TC
TC
x
y
3.5 4.2 V
0.01 10 µA
0.07 – 10-3/K
0.25 – 10-3/K
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of
1)
Farbortgruppen
(I
V
F
(I
V
F
Chromaticity coordinate groups
Gruppe
Group
1
2
3
4
min. max. min. max.
0.280 0.325 0.300 0.350
0.285 0.330 0.330 0.380
0.295 0.340 0.345 0.395
0.270 0.315 0.285 0.335
xy
= 10 mA)
F
= 10 mA)
F
TC
V
– 3.1 – mV/K
Semiconductor Group 4 1998-11-05
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LW T676
Relative spektrale Emission I
rel
=
(λ),
f
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
= 25 °C,
T
A
V
λ
= 10 mA
I
F
OHL00467
0
380
Abstrahlcharakteristik
420 460 500 540 580 620 660 700 740
I
= f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
50˚
60˚
70˚
80˚
nm
λ
0˚10˚20˚40˚ 30˚
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
OHL01660
90˚
100˚
1.0 0.8 0.6 0.4
0
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚
Semiconductor Group 5 1998-11-05
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LW T676
Durchlaßstrom
Forward current
T
= 25 °C
A
Ι
F
10
2
5
1
10
5
0
10
5
-1
10
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 6.0
I
F
= f (
)
V
F
Relative Lichtstärke
I
V/IV(10 mA)
= f (
)
I
F
Relative luminous intensity
OHL00432
= 25 °C
T
A
Ι
V
Ι
V (10 mA)
10
1
OHL00469
0
10
5
-1
10
5
-2
10
5
-3
10
V
V
F
10
-1
0
10
55mA
10
1
Ι
2
10
F
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
= f (
Ι
F
)
T
A
30
mA
25
20
15
10
5
0
0204060 80 C 100
OHL00448
T
Relative Lichtstärke
I
V/IV(25 °C)
= f (TA)
Relative luminous intensity
1.2
1.0
OHL00442
= 10 mA
I
F
Ι
V
Ι
(25 ˚C)
V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-20 0
A
20 40 60 C 100
T
A
Semiconductor Group 6 1998-11-05
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Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
LW T676
3.0
2.6
2.3
2.1
3.0
3.4
0.8
0.6
Cathode/Collector marking
Approx. weight 0.03 g
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
2.4
(typ)
0.1
3.3
3.7
1.1
0.5
0.18
0.12
Cathode/Collector
2.1
1.7
0.9
0.7
0.6
0.4
GPL06724
Semiconductor Group 7 1998-11-05
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