Datasheet LSYA676-Q+R, LSYA676-Q+Q, LSYA676-P+R, LSYA676, LSYA676-P+Q Datasheet (Siemens)

...
Page 1
Semiconductor Group 1 11.96
Hyper Multi SIDELED
®
Hyper-Bright LED
LSY A676
Besondere Merkmale
Gehäusefarbe: weiß
zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und Linsenein-
kopplung
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
bei geeigneter Ansteuerung, Farbwechsel von grün über
gelb und orange bis super-rot möglich
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Features
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
high signal efficiency possible by color change of the LED
with appropriate controlling it is possible to change color
from green to yellow and orange to super-red
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
Typ
Type
Emissions­farbe
Color of Emission
Farbe der Lichtaus­trittsfläche Color of the Light Emitting Area
Lichtstärke
Luminous Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
super-red yellow
LSY A676 LSY A676-P+P LSY A676-P+Q LSY A676-P+R LSY A676-Q+Q LSY A676-Q+R
super-red / yellow
colorless clear
40
40... 80
40... 80
40... 80
63...125
63...125
40
40... 80
63... 125
100...200
63... 125
100...200
Q62703-Q3374
vpl06880
Page 2
Semiconductor Group 2
LSY A676
Grenzwerte Maximum Ratings
Bezeichnung Parameter
Symbol Symbol
Wert
Value
Einheit Unit
SY
Betriebstemperatur Operating temperature range
T
op
– 55 ... + 100 ˚C
Lagertemperatur Storage temperature range
T
stg
– 55 ... + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur Junction temperature
T
j
+ 100 ˚C
Durchlaßstrom Forward current
I
F
30 20 mA
Stoßstrom Surge current
t 10 µs, D = 0.005
I
FM
to be defined A
Verlustleistung Power dissipation
P
tot
80 55 mW
Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board* (Padgröße 16 mm
2
)
mounted on PC board* (pad size 16 mm 2)
R
th JA
530 K/W
* PC-board: FR4
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom Betriebszustand des anderen.
The stated maximum ratings refer to the specified chip, regardless of the other one’s operating status.
Page 3
Semiconductor Group 3
LSY A676
Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics
Bezeichnung Parameter
Symbol Symbol
Wert
Value
Ein­heit Unit
SY
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 10 mA
λ
peak
645 591 nm
Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 10 mA
λ
dom
632 587 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 % I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
∆λ 16 15 nm
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % I
V
2ϕ 120 120 Grad
deg.
Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.)
I
F
= 20 mA
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
V V
Temperaturkoeffizient von
λ
dom(IF
= 20 mA)
Temperature coefficient of λ
dom(IF
= 20 mA)
TC
λ
0.014 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
TC
λ
0.14 0.13 nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of VF,
IF = 20 mA (typ.)
TC
V
– 1.95 –2.51 mV/K
Page 4
Semiconductor Group 4
LSY A676
Relative spektrale Emission I
rel
= f (λ), TA = 25 ˚C, IF= 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
rel
= f (ϕ)
Radiation characteristic
Page 5
Semiconductor Group 5
LSY A676
Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/ I
V(20 mA)
= f (IF)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Max. permissible forward current
Relative Lichtstärke
I
V
/ I
V(25 ˚C)
= f (TA)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Page 6
Semiconductor Group 6
LSY A676
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06950
L S Y A676
LED Emission color 1 Emission color 2 Package
Cathode: pin 1 Cathode: pin 2
Loading...