Datasheet LYT676-S, LYT676-Q, LYT676-PS, LST676-NR, LST676-R Datasheet (Siemens) [de, en]
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Hyper TOPLED
®
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-2
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
● P-LCC-2 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
VPL06724
Semiconductor Group 1 11.96
Page 2
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Typ
Type
LS T676-NR
LS T676-P
LS T676-Q
LS T676-R
LS T676-PS
LA T676-PS
LA T676-Q
LA T676-R
LA T676-S
LA T676-QT
LO T676-PS
LO T676-Q
LO T676-R
LO T676-S
LO T676-QT
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustritts-
Lichtstärke
fläche
Color of
Emission
Color of the
Light Emitting
Area
Luminous
Intensity
I
= 20 mA
F
I
(mcd)
V
super-red colorless clear 25 ... 200
40 ... 80
63 ... 125
100 ... 200
40 ... 320
amber colorless clear 40 ... 320
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
orange colorless clear 40 ... 320
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
= 20 mA
F
ΦV (mlm)
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
300 (typ.)
450 (typ.)
600 (typ.)
-
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3135
Q62703-Q3136
Q62703-Q3137
Q62703-Q3138
Q62703-Q3139
Q62703-Q3423
Q62703-Q3424
Q62703-Q3425
Q62703-Q3426
Q62703-Q3427
Q62703-Q3066
Q62703-Q3064
Q62703-Q3065
Q62703-Q3091
Q62703-Q3125
LY T676-PS
LY T676-Q
LY T676-R
LY T676-S
LY T676-QT
yellow colorless clear 40 ... 320
63 ... 125
100 ... 200
160 ... 320
63 ... 500
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
≤ 2.0.
Q62703-Q3855
Q62703-Q3159
Q62703-Q3160
Q62703-Q3404
Q62703-Q3161
Semiconductor Group 2
Page 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
1)
1)
)
(Padgröße ≥ 16 mm2)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LA, LO LY
– 55 ... + 100 ˚C
– 55 ... + 100 ˚C
+ 100 ˚C
30 20 mA
1 0.2 A
3V
80 55 mW
500 K/W
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
*
PC-board: FR4
Semiconductor Group 3
Page 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50%
Spectral bandwidth at 50% I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50%
Viewing angle at 50% I
I
v
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
v
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 20 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 3 V
R
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of λ
Temperaturkoeffizient von λ
λ
dom(IF
dom(IF
,
peak
= 20 mA)
= 20 mA)
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LA LO LY
λ
λ
peak
dom
645 622 610 591 nm
632 615 605 587 nm
∆λ 16 16 16 15 nm
2ϕ 120 120 120 120 Grad
deg.
V
V
I
R
I
R
TC
TC
F
F
λ
λ
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
0.01100.01100.01100.0110µA
µA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
V
Temperaturkoeffizient von
, IF = 20 mA (typ.)
F
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group 4
TC
V
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
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LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 10 mA
rel
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 5
Page 6
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(20 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Relative Lichtstärke
I
/ I
V
V(25 ˚C )
Relative luminous intensity
I
= 10 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
Page 7
LS T676, LA T676, LO T676
LY T676
Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp)
Permissible pulse handling capability
LO, LA, LS
D = Parameter; T
= 25 °C
A
Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp)
Permissible pulse handling capability
LY
D = Parameter; T
= 25 °C
A
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06724
Semiconductor Group 7
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