Datasheet LOOT670-JO, LYYT670-JO, LPPT670-JO, LSST670-JO, LGGT670-JO Datasheet (Siemens) [de]

Semiconductor Group 1 11.96

Multi TOPLED

®

VPL06837

Besondere Merkmale

● Gehäusebauform: P-LCC-4

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● P-LCC-4 package

● color of package: white

● for use as optical indicator

● both chips can be controlled separately

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

Semiconductor Group 2

■ Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit

I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

Streuung der Lichtstärke in einer LED I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

Bei MULTILED® mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstärken ermittelt.

Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

Luminous intensity ratio in one LED I

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

1)

In case of MULTILED® with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.

Typ

Type

Emissions­farbe

Color of
Emission

Farbe der
Lichtaustritts­fläche
Color of the
Light Emitting
Area

Lichtstärke

1)

Luminous
Intensity

1)

I

F

= 10 mA

I

V

(mcd)

Lichtstrom

Luminous
Flux

I

F

= 10 mA

ΦV (mlm)

Bestellnummer

Ordering Code

LSS T670-JO super-red/

super-red

colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.) 24 (typ.) Q62703-Q2902

LOO T670-JO orange/

orange

colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.) 24 (typ.) Q62703-Q2903

LYY T670-JO yellow/

yellow

colorless clear ≥ 4.0 (8 typ.) 24 (typ.) Q62703-Q2904

LGG T670-JO green/

green

colorless clear ≥ 4.0 (10 typ.) 30 (typ.) Q62703-Q2905

LPP T670-HO pure green/

pure green

colorless clear ≥ 2.5 (5 typ.) 15 (typ.) Q62703-Q2906

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

■

■

■

Semiconductor Group 3

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Werte
Values

Einheit
Unit

Betriebstemperatur
Operating temperature range

T

op

– 55 ... + 100 ˚C

Lagertemperatur
Storage temperature range

T

stg

– 55 ... + 100 ˚C

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

T

j

+ 100 ˚C

Durchlaßstrom
Forward current

I

F

30 mA

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

I

FM

0.5 A

Sperrspanung
Reverse voltage

V

R

5V

Verlustleistung
Power dissipation

P

tot

100 mW

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board

*

)

(Padgröße ≥ 16 mm2)

mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)

R

th JA

1)

R

th JA

2)

480
650

K/W
K/W

*)PC-board: FR4

1)

nur ein Chip betrieben

1)

one system on

2)

beide Chips betrieben

2)

both systems on simultaneously

Notes

Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670 LPP T670

Semiconductor Group 4

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

Bezeichnung
Parameter

Symbol
Symbol

Werte

Values

Einheit
Unit

LS LO LY LG LP

Wellenlänge des emittierten
Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

F

= 10 mA

λ

peak

635 610 586 565 557 nm

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

F

= 10 mA

λ

dom

628 605 590 570 560 nm

Spektrale Bandbreite
bei 50 %

I

rel max

(typ.)

Spectral bandwidth at 50 % I

rel max

(typ.)

I

F

= 10 mA

∆λ 45 40 45 25 22 nm

Abstrahlwinkel bei 50 %

I

v

(Vollwinkel)

Viewing angle at 50 % I

v

2ϕ 120 120 120 120 120 deg.

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

F

= 10 mA

V

F

V

F

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6VV

Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)

V

R

= 5 V

I

R

I

R

0.01100.01100.01100.01100.0110µA
µA

Kapazität (typ.)
Capacitance

V

R

= 0 V, f = 1 MHz

C

0

128 101515pF

Schaltzeiten:
Switching times:

I

V

from 10 % to 90 % (typ.)

I

V

from 90 % to 10 % (typ.)

I

F

= 100 mA, tp = 10 µs, RL= 50 Ω

t

r

t

f

300
150

300
150

300
150

450
200

450
200nsns

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

Semiconductor Group 5

Relative spektrale Emission I

rel

= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 10 mA

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I

rel

= f (ϕ)

Radiation characteristic

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

Semiconductor Group 6

Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current

T

A

= 25 ˚C

Relative Lichtstärke

I

V/IV(10 mA)

= f (IF)

Relative luminous intensity

T

A

= 25 ˚C

Zulässige ImpulsbelastbarkeitIF = f (tp)
Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current

I

F

= f (TA)

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

Semiconductor Group 7

Wellenlänge der Stahlung λ

peak

= f (TA)

Wavelength at peak emission

I

F

= 10 mA

Durchlaßspannung

V

F

= f (TA)

Forward voltage

I

F

= 10 mA

Dominantwellenlänge λ

dom

= f (TA)

Dominant wavelength

I

F

= 10 mA

Relative Lichtstärke

I

V

/ I

V(25 ˚C)

= f (TA)

Relative luminous intensity

I

F

= 10 mA

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

Semiconductor Group 8

LSS T670, LOO T670, LYY T670

LGG T670, LPP T670

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

GPL06837