Datasheet LY5436-TO, LO5436-TO, LS5436-SO, LA5436-TO Datasheet (Siemens)

Hyper 5 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, diffuses Gehäuse

● zur Einkopplung in Lichtleiter

● als optischer Indikator einsetzbar

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, diffused package

● optical coupling into light pipes

● for use as optical indicator

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LS 5436, LA 5436, LO 5436

LY 5436

Typ Type

Emissionsfarbe Color of Emission

Gehäusefarbe Color of Package

Lichtstärke Luminous Intensity

I

= 20 mA

F

I

(mcd)

V

Bestellnummer Ordering Code

LS 5436-SO super-red colorless clear ≥ 160 (350 typ.) Q62703-Q3626 LA 5436-TO amber colorless clear ≥ 250 (500 typ.) Q62703-Q3919 LO 5436-TO orange colorless clear ≥ 250 (500 typ.) Q62703-Q3628 LY 5436-TO yellow colorless clear ≥ 250 (500 typ.) Q62703-Q3630

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V max

V min

/ I

V min

≤ 2.0.

Semiconductor Group 1 1998-09-18

Grenzwerte Maximum Ratings

LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436

Bezeichnung Parameter

Betriebstemperatur Operating temperature range

Lagertemperatur Storage temperature range

Sperrschichttemperatur Junction temperature

Durchlaßstrom Forward current

Stoßstrom Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung Reverse voltage

Verlustleistung Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air

1)

Symbol Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit Unit

LS, LO, LA LY

– 55 ... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 20 mA

1 0.2 A

3V

80 55 mW

500 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

Semiconductor Group 2 1998-09-18

Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics

LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436

Bezeichnung Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50% I Spectral bandwidth at 50% I

I

= 20 mA

F

rel max

(typ.) (typ.)

Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% I

v

Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.)

I

= 20 mA

F

Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.)

V

= 3 V

R

Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ

Temperaturkoeffizient von λ

dom(IF dom(IF

,

peak

= 20 mA) = 20 mA)

IF = 20 mA (typ.)

Temperature coefficient of λ

peak

,

IF = 20 mA (typ.)

Symbol Symbol

Werte

Values

Einheit Unit

LS LA LO LY

λ

peak

dom

645 622 610 591 nm

632 615 605 587 nm

∆λ 16 16 16 15 nm

2ϕ 30 30 30 30 Grad

deg.

V V

I

R

I

R

TC

F F

λ

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V V

0.01100.01100.01100.0110µA µA

0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K

0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)

Semiconductor Group 3 1998-09-18

LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436

Relative spektrale Emission I

= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA

rel

Relative spectral emission

V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

OHL00235

V

λ

yellow orange amber super-red

0

400

450 500 550 600 650 700nm

Abstrahlcharakteristik I Radiation characteristic

50

60

70

80

90

rel

= f (ϕ)

λ

10203040

φ

0

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

OHL00314

100

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 4 1998-09-18

LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436

Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current

T

= 25˚C

A

2

10

mA

Ι

5

F

1

10

5

0

10

5

-1

10

1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4

1.0

OHL00232

V

F

Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

35

mA

Ι

F

30

25

yellow

20

15

10

5

0

0 20 40 60 80 C 100

OHL00248

Τ

A

Relative Lichtstärke IV/I

V(20 mA)

Relative luminous intensity

T

= 25˚C

A

1

10

Ι

V

Ι

V

(20 mA)

0

10 5

-1

10

5

superred yellow orange/amber

10

-2

5

-3

10

-1

0

10

55mA

= f (IF)

1

10

OHL00233

10

Ι

F

Relative Lichtstärke IV/ I

V(25˚C )

= f (TA)

Relative luminous intensity

I

= 20 mA

F

OHL00238

Ι

V

Ι

V

(25 C)

2.0

1.6 orange

yellow amber super-red

1.2

0.8

orange

0.4

2

0

-20 0 20 40 60 C 100

yellow amber

super-red

T

A

Semiconductor Group 5 1998-09-18

LS 5436, LA 5436, LO 5436, LY 5436

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

=

T

OHL00322

Ι

F

1

10

A

Ι

5

F

=

D

t

p

t

p

T

D

10

0

5

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

-1

10

5

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

=

T

OHL00316

Ι

F

0

10

A

Ι

F

5

=

D

t

p

t

p

T

D

0.005

0.01

0.02

0.05

10

0.1

-1

0.2

5

0.5

10

-2

-5

10

-410-310-210-1100101102

10s

t

p

10

-2

-5

10

-410-310-210-1100101102

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

10s

t

p

Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß Cathode mark: Short solder lead

Semiconductor Group 6 1998-09-18

Datasheet LY5436-TO, LO5436-TO, LS5436-SO, LA5436-TO Datasheet (Siemens) [de, en]