Datasheet LY3369-F, LY3369-EH, LY3369-FJ, LS3369-H, LY3369-H Datasheet (Siemens) [de, en]
...Page 1
LC 3 mm (T1) LED, Diffused
Low Current LED
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● high luminous intensity at low currents (typ. 2 mA)
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
LS 3369, LY 3369, LG 3369
VEX06710
Typ
Type
LS 3369-EH
LS 3369-G
LS 3369-H
LS 3369-GK
LY 3369-EH
LY 3369-F
LY 3369-G
LY 3369-H
LY 3369-FJ
LG 3369-EH
LG 3369-F
LG 3369-G
LG 3369-FJ
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 2 mA
F
I
(mcd)
V
super-red red diffused 0.63 … 5.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.60 … 12.5
yellow yellow diffused 0.63 … 5.0
1.00 … 2.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.00 … 8.0
green green diffused 0.63 … 5.0
1.00 … 2.0
1.60 … 3.2
1.00 … 8.0
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1748
Q62703-Q2068
Q62703-Q3820
Q62703-Q3821
Q62703-Q1749
Q62703-Q2030
Q62703-Q2029
Q62703-Q1906
Q62703-Q3822
Q62703-Q1750
Q62703-Q2069
Q62703-Q2070
Q62703-Q3823
Streuung der Lichterstärke in einer Verpackungseinheit
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/ I
V min
I
V max
≤ 2.0.
/ I
V min
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 1998-07-13
Page 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 °C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 … + 100 °C
– 55 … + 100 °C
+ 100 °C
7.5 mA
0.15 A
5V
20 mW
500 K/W
Semiconductor Group 2 1998-07-13
Page 3
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.)
Wavelength at peak emission(typ.)
I
= 7.5 mA
F
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
I
= 7.5 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 %
I
= 7.5 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 %
I
I
V
I
rel max
I
(typ.)
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
I
= 2 mA
F
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
V
= 5 V
R
Kapazität(typ.)
Capacitance
V
= 0 V, ƒ = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 %(typ.)
V
I
from 90 % to 10 %(typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LY LG
λ
peak
λ
dom
635 586 565 nm
628 590 570 nm
∆λ 45 45 25 nm
2ϕ 60 60 60 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.8
2.6
0.01
10
2.0
2.7
0.01
10
1.9
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
3315pF
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3 1998-07-13
Page 4
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Relative spektrale Emission I
rel
Relative spectral emission
λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
V (
Standard eye response curve
= f (λ), TA = 25 °C, IF = 7.5 mA
Abstrahlcharakteristik
I
= f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
Semiconductor Group 4 1998-07-13
Page 5
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25 °C
A
2
10
Ι
F
mA
1
10
5
10
5
10
super-red
green
0
-1
1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4
yellow
OHL01208
V
V
F
Relative Lichtstärke
I
V/IV(2 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 °C
A
1
10
Ι
V
Ι
(2mA)
V
0
10
5
-1
10
10
10
5
-2
5
-3
10
-1 0
green
yellow
super-red
10 10
55
= f (IF)
OHL01207
12
mA
10
Ι
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
T
Duty cycle D = parameter,
3
10
Ι
mA
F
2
10
5
0.2
0.5
1
10
DC
5
0
10
D
D
=
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
t
P
T
= 25 °C
A
OHL01278
t
P
T
t
p
Ι
F
s10-510-410-310-210-110010
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
8
Ι
F
mA
6
5
4
3
2
1
1
0
0 20 40 60 80 100
OHL01193
˚C
T
A
Semiconductor Group 5 1998-07-13
Page 6
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission
I
= 7.5 mA
F
690
λ
peak
nm
650
super-red
630
610
590
570
550
0 20 40 60 80 100
yellow
green
= f (TA)
peak
OHL01672
˚C
T
A
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
= 7.5 mA
F
690
λ
dom
nm
650
630
610
590
570
550
0 20 40 60 80 100
super-red
yellow
green
λ
dom
= f (TA)
OHL01673
˚C
T
A
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 2 mA
F
2.4
V
F
V
2.2
2.0
yellow
green
1.8
super-red
1.6
1.4
0 20 40 60 80 100
V
= f (TA)
F
OHL01750
˚C
T
A
Relative Lichtstärke
I
V/IV(25 °C)
Relative luminous intensity
I
= 2 mA
F
2.0
Ι
V
Ι
V
(25 ˚C)
1.6
1.2
0.8
super-red
0.4
0.0
0 20 40 60 80 100
= f (TA)
yellow
green
OHL01675
˚C
T
A
Semiconductor Group 6 1998-07-13
Page 7
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Area not flat
0.8
0.4
0.4
0.7
0.4
0.6
spacing
2.54 mm
Collector/
Cathode
1.8
1.2
29.0
27.0
1.1
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
0.9
4.8
4.4
6.1
5.7
3.7
3.5
2.7
2.1
ø2.7
ø2.9
Chip position
3.4
3.1
0.6
0.4
GEX06710
Semiconductor Group 7 1998-07-13
Loading...