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Array LED
2 mm LED, Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● als Mehrfachzeile verfügbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● available as multiple array (LED)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
VEX06726
Typ
Type
LR Z181-CO
LR Z182-CO
LR Z183-CO
LR Z184-CO
LR Z185-CO
LR Z186-CO
LR Z187-CO
LR Z188-CO
LR Z189-CO
LR Z180-CO
Anzahl der
Lichtpunkte
Number of
Dots
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Emissionsfarbe
Color of
Emission
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red
Gehäusefarbe
Color of
Package
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1495
Q62703-Q1496
Q62703-Q1497
Q62703-Q1498
Q62703-Q1499
Q62703-Q1500
Q62703-Q1501
Q62703-Q1502
Q62703-Q1503
Q62703-Q1504
LY Z181-CO 1 yellow yellow diffused ≥ 0.25 Q62703-Q1505
LG Z181-CO
LG Z182-CO
LG Z183-CO
LG Z184-CO
LG Z185-CO
LG Z186-CO
LG Z188-CO
LG Z180-CO
1
2
3
4
5
6
8
10
green
green
green
green
green
green
green
green
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
Q62703-Q1506
Q62703-Q1507
Q62703-Q1508
Q62703-Q1509
Q62703-Q1510
Q62703-Q1511
Q62703-Q1513
Q62703-Q1515
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 11.96
Page 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
–40…+80 ˚C
–40…+80 ˚C
+ 100 ˚C
30 mA
0.5 A
5V
80 mW
1)
750
K/W
1)
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2.
1)
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2.
Semiconductor Group 2
Page 3
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LY LG
λ
peak
λ
dom
660 586 565 nm
645 590 570 nm
∆λ 35 45 25 nm
2ϕ 100 100 100 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.6
2.0
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
25 10 15 pF
120
50
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 3
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LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 4
Page 5
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Durchlaßstrom IF= f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(10 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Semiconductor Group 5
Page 6
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
λ
= f (TA), IF= 20 mA
peak
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
λ
= f (TA), IF= 20 mA
dom
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 10 mA
F
V
F
= f (TA)
Relative Lichtstärke
I
V/IV(25 °C)
Relative luminous intensity
I
= 10 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
Page 7
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Breiterer Lötspieß Zeile mit 4 Dioden (z. B. LR Z184)
Cathode mark: Broad solder lead Row with 4 diodes (e. g. LR Z184)
GEX06726
Semiconductor Group 7
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