Datasheet LYH380-J, LYH380-EH, LSH380-J, LSH380-H, LSH380-EH Datasheet (Siemens) [de, en]
...Page 1
Symbol LED
5 mm (T13/4) LED, Partly Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse
● als optischer Indikator in Frontplatten einsetzbar
● Lötspieße ohne Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, partly diffused package
● for use as optical indicator in frontpanels
● solder leads without stand-off
● availabel taped on reel
● load dump resistance acc. to DIN 40839
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
VEX06727
Semiconductor Group 1 11.96
Page 2
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Typ
Type
LR H380-BD
LR H380-C
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
red red,
partly diffused
LR H380-D
LR H380-CE
LS H380-EH
LS H380-G
super-red red,
partly diffused
LS H380-H
LS H380-J
LS H380-GK
LO H380-GJ orange orange,
partly diffused
LY H380-EH
LY H380-G
yellow yellow,
partly diffused
LY H380-H
LY H380-J
LY H380-GK
Lichtstärke
Luminous
Bestellnummer
Ordering Code
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
0.16 … 0.80
0.25 … 0.50
0.40 … 0.80
0.25 … 1.25
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
4.00 … 8.00
1.60 … 12.50
Q62703-Q1478
Q62703-Q1479
Q62703-Q1988
Q62703-Q3846
Q62703-Q1480
Q62703-Q1481
Q62703-Q1482
Q62703-Q1996
Q62703-Q1483
≥ 1.6 (4.0 typ) Q62703-Q3097
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
4.00 … 8.00
1.60 … 12.50
Q62703-Q1484
Q62703-Q1485
Q62703-Q1486
Q62703-Q2698
Q62703-Q1487
LG H380-EH
LG H380-G
green green,
partly diffused
LG H380-H
LG H380-J
LG H380-GK
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
4.00 … 8.00
1.60 … 12.50
/ I
V max
≤ 2.0.
V min
V min
Q62703-Q1491
Q62703-Q1871
Q62703-Q1872
Q62703-Q3847
Q62703-Q2027
≤ 2.0.
Semiconductor Group 2
Page 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LS, LY, LG
– 55 … + 100 ˚C
– 55 … + 100 ˚C
+ 100 ˚C
45 40 mA
0.5 A
5V
100 140 mW
400 K/W
Semiconductor Group 3
Page 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, ƒ = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LS LY LG
λ
λ
peak
dom
660 635 586 565 nm
645 628 590 570 nm
∆λ 35 45 45 25 nm
2ϕ 100 100 100 100 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.6
2.0
0.01100.01
2.0
2.6
10
2.0
2.6
0.01
10
2.0
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
25 12 10 15 pF
120
50
300
150
300
150
450
200
ns
ns
Semiconductor Group 4
Page 5
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 5
Page 6
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Durchlaßstrom IF= f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(10 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
I
Zulässige Impulsbelastbarkeit
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
LS, LY, LG
I
Zulässige Impulsbelastbarkeit
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
LR
Semiconductor Group 6
Page 7
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission
I
= 20 mA
F
peak
= f (TA)
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
= 20 mA
F
λ
dom
= f (TA)
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 10 mA
F
V
F
= f (TA)
Semiconductor Group 7
Page 8
LR H380, LS H380, LY H380
LG H380
Relative Lichtstärke IV/I
V(25 °C)
Relative luminous intensity
I
= 10 mA
F
= f (TA)
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
GEX06727
Semiconductor Group 8
Loading...