Datasheet LYB480-J, LYB480-H, LYB480-GK, LYB480-G, LYB480-EH Datasheet (Siemens) [de, en]
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Symbol LED
5mm× 2.5 mm, Partly Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, teildiffuses Gehäuse
● als optischer Indikator in Frontplatte einsetzbar
● Lötspieße ohne Aufsetzebene
● Bargraphanzeige
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, partly diffused package
● for use as optical indicator in frontpanel
● solder leads without stand-off
● Bargraph displays
● available taped on reel
● load dump resistance acc. to DIN 40839
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
VEX06719
Typ
Type
LR B480-BD
LR B480-C
LR B480-D
LR B480-CE
LS B480-EH
LS B480-G
LS B480-H
LS B480-GK
LY B480-EH
LY B480-G
LY B480-H
LY B480-J
LY B480-GK
LG B480-EH
LG B480-G
LG B480-H
LG B480-GK
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
red red, partly
diffused
super-red red, partly
diffused
yellow yellow, partly
diffused
green green, partly
diffused
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
0.16 … 0.80
0.25 … 0.50
0.40 … 0.80
0.25 … 1.25
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
1.60 … 12.50
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
4.00 … 8.00
1.60 … 12.50
0.63 … 5.00
1.60 … 3.20
2.50 … 5.00
1.60 … 12.50
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1464
Q62703-Q1465
Q62703-Q2648
Q62703-Q3841
Q62703-Q1466
Q62703-Q1467
Q62703-Q1468
Q62703-Q1469
Q62703-Q1470
Q62703-Q1471
Q62703-Q2006
Q62703-Q1473
Q62703-Q2007
Q62703-Q1477
Q62703-Q1870
Q62703-Q2025
Q62703-Q2026
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
≤ 2.0.
Semiconductor Group 1 11.96
Page 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LS, LY, LG
–55…+100 ˚C
–55…+100 ˚C
+ 100 ˚C
45 40 mA
0.5 A
5V
100 140 mW
400 K/W
Semiconductor Group 2
Page 3
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LS LY LG
λ
peak
λ
dom
660 635 586 565 nm
645 628 590 570 nm
∆λ 35 45 45 25 nm
2ϕ 100 100 100 100 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6VV
0.01100.01100.01100.0110µA
µA
25 12 10 15 pF
12050300
150
300
150
450
200nsns
Semiconductor Group 3
Page 4
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 4
Page 5
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Durchlaßstrom IF= f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(10 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
I
Zulässige Impulsbelastbarkeit
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
LS, LY, LG
I
Zulässige Impulsbelastbarkeit
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
LR
Semiconductor Group 5
Page 6
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission
I
= 20 mA
F
peak
= f (TA)
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
= 20 mA
F
λ
dom
= f (TA)
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 10 mA
F
V
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
Page 7
LR B480, LS B480, LY B480
LG B480
Relative Lichtstärke IV/I
V(25 °C)
Relative luminous intensity
I
= 10 mA
F
= f (TA)
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
GEX06719
Semiconductor Group 7
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