Datasheet LOGT671-LO, LOGT671-HO, LSGT671-HK, LSGT671-K, LSGT671-JL Datasheet (Siemens)

Multi TOPLED

®

Bright Green Die

Besondere Merkmale

● Gehäusebauform: P-LCC-4

● Gehäusefarbe: weiß

● als optischer Indikator einsetzbar

● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

● gegurtet (8-mm-Filmgurt)

● Störimpulsfest nach DIN 40839

LOG T671, LSG T671

Features

● P-LCC-4 package

● color of package: white

● for use as optical indicator

● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses

● suitable for all SMT assembly and soldering methods

● available taped on reel (8 mm tape)

● load dump resistant acc. to DIN 40839

Typ

Emissions­farbe

Farbe der
Lichtaustritts-

Lichtstärke

fläche

Type

LOG T671-HO

LOG T671-LO

Color of
Emission

orange/
green

Color of the
Light Emitting
Area

Luminous
Intensity

I

= 10 mA

F

I

(mcd)

V

colorless clear ≥ 2.5

(8.0 typ.)
≥ 10.0
(15.0 typ.)

Lichtstrom

Luminous
Flux

I

= 10 mA

F

ΦV (mlm)

24 (typ.)

45 (typ.)

VPL06837

Bestellnummer

Ordering Code

Q62703-Q3632

Q62703-Q3633

LSG T671-HK
LSG T671-J
LSG T671-K
LSG T671-JL

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I

super-red/
green

colorless clear 2.5 ... 12.5

4.0 ... 8.0

6.3 ... 12.5

6.3 ... 20.0

/ I

V max

V max

/ I

V min

≤ 2.0.

­18 (typ.)
30 (typ.)

-

V min

Q62703-Q3154
Q62703-Q3156
Q62703-Q3157
Q62703-Q3155

≤ 2.0.

Semiconductor Group 1 11.96

Grenzwerte
Maximum Ratings

LOG T671, LSG T671

Bezeichnung
Parameter

Betriebstemperatur
Operating temperature range

Lagertemperatur
Storage temperature range

Sperrschichttemperatur
Junction temperature

Durchlaßstrom
Forward current

Stoßstrom
Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung
Reverse voltage

Verlustleistung
Power dissipation

Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air

)

Montage auf PC-board*
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)

(Padgröße ≥ 16 mm2)

Symbol
Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte
Values

Einheit
Unit

– 55 ... + 100 ˚C

– 55 ... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 mA

0.5 A

5V

100 mW

400 K/W

)

PC-board: FR4

*

Semiconductor Group 2

Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics

LOG T671, LSG T671

Bezeichnung
Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 10 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)

I

= 10 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I

I

= 10 mA

F

Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I

I

v

I

rel max

rel max

(Vollwinkel)

v

(typ.)
(typ.)

Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)

I

= 10 mA

F

Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)

V

= 5 V

R

Kapazität (typ.)
Capacitance

V

= 0 V, f = 1 MHz

R

Schaltzeiten:
Switching times:

I

from 10 % to 90 % (typ.)

V

I

from 90 % to 10 % (typ.)

V

I

= 100 mA, tp = 10 µs, RL= 50 Ω

F

Symbol
Symbol

Werte

Values

Einheit
Unit

LS LO LY LG LP

λ

λ

peak

dom

635 610 586 565 557 nm

628 605 590 570 560 nm

∆λ 45 40 45 25 22 nm

2ϕ 120 120 120 120 120 Grad

deg.

V
V

I
I

C

t
t

F
F

R
R

0

r
f

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6VV

0.01100.01100.01100.01100.0110µA
µA

128 101515pF

300
150

300
150

300
150

450
200

450
200nsns

Semiconductor Group 3

LOG T671, LSG T671

Relative spektrale Emission I

= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 10 mA

rel

Relative spectral emission

V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic

= f (ϕ)

rel

Semiconductor Group 4

LOG T671, LSG T671

Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current

T

= 25 ˚C

A

Relative Lichtstärke IV/I

V(10 mA)

Relative luminous intensity

T

= 25 ˚C

A

= f (IF)

Zulässige Impulsbelastbarkeit

I

= f (tp)

F

Permissible pulse handling capability

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

Semiconductor Group 5

LOG T671, LSG T671

Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission

I

= 10 mA

F

peak

= f (TA)

Dominantwellenlänge λ
Dominant wavelength

I

= 10 mA

F

dom

= f (TA)

Durchlaßspannung
Forward voltage

I

= 10 mA

F

V

= f (TA)

F

Relative Lichtstärke

I

/ I

V

V(25 ˚C )

Relative luminous intensity

I

= 10 mA

F

= f (TA)

Semiconductor Group 6

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

LOG T671, LSG T671

L S G T671

LED Emission color 1 Emission color 2 Package

cathode: pin 1 cathode: pin 3

Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge

GPL06837

Semiconductor Group 7