Datasheet LY3386-Q, LY3386-P, LY3386-NR, LY3386-N, LY3386-MQ Datasheet (Siemens)

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED

Besondere Merkmale

● eingefärbtes, diffuses Gehäuse

● zur Einkopplung in Lichtleiter

● als optischer Indikator einsetzbar

● Lötspieße mit Aufsetzebene

● gegurtet lieferbar

● Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

● colored, diffused package

● optical coupling into light pipes

● for use as optical indicator

● solder leads with stand-off

● available taped on reel

● load dump resistant acc. to DIN 40839

LS 3386, LA 3386, LO 3386

LY 3386

Semiconductor Group 1 1998-09-18

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Typ Type

LS 3386-LP LS 3386-M LS 3386-N LS 3386-P LS 3386-MQ

LA 3386-MQ LA 3386-N LA 3386-P LA 3386-Q LA 3386-NR

LO 3386-MQ LO 3386-N LO 3386-P LO 3386-Q LO 3386-NR

Emissionsfarbe Color of Emission

Gehäusefarbe Color of Package

Lichtstärke Luminous Intensity

I

= 20 mA

F

I

(mcd)

V

super-red red diffused 10 ... 80

16 ... 32 25 ... 50 40 … 80 16 … 125

amber orange diffused 16 … 125

25 … 50 40 … 80 63 … 125 25 … 200

orange orange diffused 16 … 125

25 … 50 40 … 80 63 … 125 25 … 200

Bestellnummer Ordering Code

Q62703-Q3579 Q62703-Q3581 Q62703-Q3582 Q62703-Q3709 Q62703-Q3580

Q62703-Q3886 Q62703-Q3887 Q62703-Q3888 Q62703-Q3889 Q62703-Q3890

Q62703-Q3891 Q62703-Q3892 Q62703-Q3893 Q62703-Q3894 Q62703-Q3895

LY 3386-MQ

yellow yellow diffused 16 … 125 LY 3386-N LY 3386-P LY 3386-Q LY 3386-NR

Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I Luminous intensity ratio in one packaging unit I

V max

/ I

V max

V min

25 … 50 40 … 80 63 … 125 25 … 200

/ I

V min

≤ 2.0.

Q62703-Q3896 Q62703-Q3897 Q62703-Q3898 Q62703-Q3899 Q62703-Q3900

≤ 2.0.

Semiconductor Group 2 1998-09-18

Grenzwerte Maximum Ratings

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Bezeichnung Parameter

Betriebstemperatur Operating temperature range

Lagertemperatur Storage temperature range

Sperrschichttemperatur Junction temperature

Durchlaßstrom Forward current

Stoßstrom Surge current

t ≤ 10 µs, D = 0.005

Sperrspanung Reverse voltage

Verlustleistung Power dissipation

T

≤ 25 ˚C

A

Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air

1)

Symbol Symbol

T

op

T

stg

T

j

I

F

I

FM

V

R

P

tot

R

th JA

Werte

Values

Einheit Unit

LS, LO, LA LY

– 55... + 100 ˚C

+ 100 ˚C

30 20 mA

1 0.2 A

3V

80 55 mW

500 K/W

1)

Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.

1)

Reverse biasing should be avoided.

Semiconductor Group 3 1998-09-18

Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Bezeichnung Parameter

Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) Wavelength at peak emission (typ.)

I

= 20 mA

F

Dominantwellenlänge (typ.) Dominant wavelength (typ.)

I

= 20 mA

F

Spektrale Bandbreite bei 50% I Spectral bandwidth at 50% I

I

= 20 mA

F

rel max

(typ.) (typ.)

Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% I

v

Durchlaßspannung (typ.) Forward voltage (max.)

I

= 20 mA

F

Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.)

V

= 3 V

R

Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ

Temperaturkoeffizient von λ

dom(IF dom(IF

,

peak

= 20 mA) = 20 mA)

IF = 20 mA (typ.)

Temperature coefficient of λ

peak

,

IF = 20 mA (typ.)

Symbol Symbol

Werte

Values

Einheit Unit

LS LA LO LY

λ

peak

dom

645 622 610 591 nm

632 615 605 587 nm

∆λ 16 16 16 15 nm

2ϕ 100 100 100 100 Grad

deg.

V V

I

R

I

R

TC

F F

λ

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

2.0

2.6

V V

0.01100.01100.01100.0110µA µA

0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K

0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.)

TC

V

– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K

Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)

Semiconductor Group 4 1998-09-18

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Relative spektrale Emission I

= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA

rel

Relative spectral emission

V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

OHL00235

V

λ

yellow orange amber super-red

0

400

450 500 550 600 650 700nm

Abstrahlcharakteristik Radiation characteristic

50

60

70

80

I

rel

= f (ϕ)

λ

0102040 30

φ

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

OHL01681

90

100

1.0 0.8 0.6 0.4

0

02040 60 80 100 120

Semiconductor Group 5 1998-09-18

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current

T

= 25˚C

A

2

10

mA

Ι

5

F

1

10

5

0

10

5

-1

10

1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4

1.0

OHL00232

V

F

Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

35

mA

Ι

F

30

25

yellow

20

15

10

5

0

0 20 40 60 80 C 100

OHL00248

Τ

A

Relative Lichtstärke IV/I

V(20 mA)

Relative luminous intensity

T

= 25˚C

A

1

10

Ι

V

Ι

V

(20 mA)

0

10

5

-1

10

5

superred yellow orange/amber

10

-2

5

-3

10

-1

0

10

55mA

= f (IF)

1

10

OHL00233

10

Ι

F

Relative Lichtstärke IV/ I

V(25˚C )

= f (TA)

Relative luminous intensity

I

= 20 mA

F

OHL00238

Ι

V

Ι

V

(25 C)

2.0

1.6 orange

yellow amber super-red

1.2

0.8

orange

0.4

2

0

-20 0 20 40 60 C 100

yellow amber

super-red

T

A

Semiconductor Group 6 1998-09-18

LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

=

T

OHL00322

Ι

F

1

10

A

Ι

5

F

=

D

t

p

t

p

T

D

10

0

5

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

-1

10

5

Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY

Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C

=

T

OHL00316

Ι

F

0

10

A

Ι

F

5

=

D

t

p

t

p

T

D

0.005

0.01

0.02

0.05

10

0.1

-1

0.2

5

0.5

10

-2

-5

10

-410-310-210-1100101102

10s

t

p

10

-2

-5

10

-410-310-210-1100101102

Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)

spacing

2.54 mm

Collector/ Cathode

Area not flat

0.7

0.4

0.6

1.8

1.2

29.0

27.0

0.4

0.8

0.4

1.1

0.9

4.8

4.4

6.1

5.7

3.7

3.5

2.7

2.1

ø2.7

ø2.9

Chip position

3.4

3.1

GEX06710

0.6

0.4

10s

t

p

Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß Cathode mark: Short solder lead

Semiconductor Group 7 1998-09-18