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3 mm (T1) LED, Diffused
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, diffuses Gehäuse
● als optischer Indikator einsetzbar
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, diffused package
● for use as optical indicator
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
VEX06710
Semiconductor Group 1 1998-07-13
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LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Typ
Type
LR 3360-DG
LR 3360-F
LR 3360-G
LR 3360-FJ
LS 3360-HL
LS 3360-K
LS 3360-L
LS 3360-KN
LO 3360-HL
LO 3360-K
LO 3360-L
LO 3360-JM
LY 3360-HL
LY 3360-K
LY 3360-L
LY 3360-KN
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
red red diffused 0.4 … 3.2
1.0 … 2.0
1.6 … 3.2
1.0 … 8.0
super-red red diffused 2.5 … 20.0
6.3 … 12.5
10.0 … 20.0
6.3 … 50.0
orange orange diffused 2.5 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
yellow yellow diffused 2.5 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 50.0
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1316
Q62703-Q1317
Q62703-Q1318
Q62703-Q1319
Q62703-Q1320
Q62703-Q1321
Q62703-Q1322
Q62703-Q1323
Q62703-Q1887
Q62703-Q2400
Q62703-Q2596
Q62703-Q2410
Q62703-Q1324
Q62703-Q1325
Q62703-Q1326
Q62703-Q1998
LG 3360-HL
LG 3360-
J
green green diffused 2.5 ... 20.0
LG 3360-K
LG 3360-L
LG 3360-KN
LP 3360-GK
pure green green diffused 1.6 ... 12.5
LP 3360-H
LP 3360-J
LP 3360-HL
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
I
Luminous intensity ratio in one packaging unit
V max
/ I
V max
V min
≤ 2.0.
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 50.0
2.5 ... 5.0
4.0 ... 8.0
2.5 ... 20.0
/ I
V min
≤ 2.0.
Q62703-Q3818
Q62703-Q1865
Q62703-Q2008
Q62703-Q3507
Q62703-Q3819
Q62703-Q2467
Q62703-Q2914
Q62703-Q2915
Q62703-Q3213
Semiconductor Group 2 1998-07-13
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 °C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LY, LG LR LP
–55…+100 °C
–55…+100 °C
+ 100 °C
40 45 30 mA
0.5 A
5V
140 100 100 mW
400 K/W
Semiconductor Group 3 1998-07-13
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.)
Wavelength at peak emission(typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 %
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 %
I
I
V
I
rel max
I
(typ.)
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
V
= 5 V
R
Kapazität(typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 %(typ.)
V
I
from 90 % to 10 %(typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR LS LO LY LG LP
λ
peak
λ
dom
660 635 610 586 565 557 nm
645 628 605 590 570 560 nm
∆λ 35 45 40 45 25 22 nm
2ϕ 70 70 70 70 70 70 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6VV
0.01100.01100.01100.01100.01100.0110µA
µA
25128 101515pF
12050300
150
300
150
300
150
450
200
450
200nsns
Semiconductor Group 4 1998-07-13
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LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Relative spektrale Emission I
rel
Relative spectral emission
λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
V (
Standard eye response curve
100
%
Ι
rel
80
60
40
blue
20
= f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA
V
λ
orange
green
yellow
pure-green
super-red
OHL01698
red
hyper-red
0
400 450 500 550 600 650 700
Abstrahlcharakteristik
I
= f (ϕ)
rel
Radiation characteristic
nm
λ
Semiconductor Group 5 1998-07-13
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LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25 °C
A
Relative Lichtstärke
I
V/IV(10 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 °C
A
1
10
Ι
V
Ι
(10 mA)
V
0
10
5
-1
10
5
10
10
-2
5
-3
10
-1 0
green
red
yellow
super-red
orange
pure-green
10 10
55
= f (IF)
OHL02146
12
mA
10
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
T
Duty cycle D = parameter,
= 25 °C
A
LS, LO, LY, LG
Ι
F
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
T
Duty cycle D = parameter,
= 25 °C
A
LR
Semiconductor Group 6 1998-07-13
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LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
T
Duty cycle D = parameter,
= 25 °C
A
LP
3
10
Ι
F
D
=
mA
t
D
P
T
=
0.005
t
P
0.01
0.02
0.05
0.1
2
0.2
10
5
0.5
DC
OHL01686
Ι
T
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
F
1
10
Wellenlänge der Strahlung
λ
Wavelength at peak emission
I
= 20 mA
F
= f (TA)
peak
t
p
s10-510-410-310-210-110010
1
Dominantwellenlänge
λ
dom
= f (TA)
Dominant wavelength
I
= 20 mA
F
Semiconductor Group 7 1998-07-13
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LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
I
= 10 mA
F
Relative Lichtstärke IV/I
V(25 °C)
Relative luminous intensity
I
= 10 mA
F
= f (TA)
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
spacing
2.54 mm
Collector/
Cathode
Area not flat
0.7
0.4
0.6
1.8
1.2
29.0
27.0
0.4
0.8
0.4
1.1
0.9
4.8
4.4
6.1
5.7
3.7
3.5
2.7
2.1
ø2.9
Chip position
3.4
3.1
ø2.7
0.6
0.4
GEX06710
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
Semiconductor Group 8 1998-07-13
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