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5 mm (T13/4) LED, Non Diffused
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
Besondere Merkmale
● eingefärbtes, klares Gehäuse
● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
● besonders hohe Lichtstärke
● Lötspieße ohne Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colored, clear package
● double heterojunction in GaAIAs technology
● especially high luminous intensity
● solder leads without stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
LH 5424
VEX06713
Typ
Type
LH 5424-QT
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
hyper-red red clear 63
LH 5424-S
LH 5424-T
LH 5424-SU
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
≤ 2.0.
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 10 mA
F
I
(mcd)
V
… 500
160 … 320
250 … 500
160 … 800
/ I
V min
≤ 2.0.
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q2242
Q62703-Q3826
Q62703-Q3827
Q62703-Q3828
Semiconductor Group 1 11.96
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LH 5424
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
≤ 25 ˚C
A
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
–55…+100 ˚C
–55…+100 ˚C
+ 100 ˚C
40 mA
0.5 A
3V
120 mW
400 K/W
Semiconductor Group 2
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Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LH 5424
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
V
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
V
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 10 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 3 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
F
Symbol
Symbol
λ
peak
λ
dom
Werte
Values
Einheit
Unit
660 nm
645 nm
∆λ 22 nm
2ϕ 16 Grad
deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
1.75
2.6
0.01
10
V
V
µA
µA
25 pF
140
110
ns
ns
Semiconductor Group 3
Page 4
LH 5424
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
rel
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 4
Page 5
LH 5424
Durchlaßstrom IF= f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(10 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tP)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Semiconductor Group 5
Page 6
LH 5424
Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission
I
= 20 mA
F
peak
= f (TA)
Dominantwellenlänge λ
Dominant wavelength
I
= 20 mA
F
dom
= f (TA)
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 10 mA
F
V
F
= f (TA)
Relative Lichtstärke
I
V/IV(25 °C)
Relative luminous intensity
I
= 10 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
Page 7
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
LH 5424
Anodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Anode mark: Short solder lead
GEX06718
Semiconductor Group 7
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