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Super TOPLED
®
High-Current LED
Besondere Merkmale
● Gehäusebauform: P-LCC-2
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch
erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC)
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● P-LCC-2 package
● color of package: white
● for use as optical indicator
● appropriate for high ambient light because of the higher
operating current (≤ 50 mA DC)
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (8 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
VPL06724
Semiconductor Group 1 11.96
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LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Typ
Type
LS T672-LP
■
LS T672-N
■
LS T672-P
■
LS T672-NR
■
■
LO T672-MQ
■
LO T672-N
■
LO T672-P
■
LO T672-NR
■
LY T672-LP
■
LY T672-N
■
LY T672-P
■
LY T672-NR
LG T672-MQ
LG T672-N
LG T672-P
LG T672-Q
LG T672-NR
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Farbe der Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
= 50 mA
F
I
(mcd)
V
super-red colorless clear 10 ... 80
25 ... 50
40 ... 80
25 ... 200
orange colorless clear 16 ... 125
25 ... 50
4 ... 80
25 ... 200
yellow colorless clear 10 ... 80
25 ... 50
40 ... 80
25 ... 200
green colorless clear 16 ... 125
25 ... 50
40 ... 80
63 ... 125
25 ... 200
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
= 50 mA
F
ΦV (mlm)
100 (typ.)
180 (typ.)
-
100 (typ.)
180 (typ.)
-
100 (typ.)
180 (typ.)
-
100 (typ.)
180 (typ.)
300 (typ.)
-
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q2334
Q62703-Q2513
Q62703-Q2514
Q62703-Q2331
Q62703-Q2623
Q62703-Q2494
Q62703-Q2493
Q62703-Q2330
Q62703-Q2624
Q62703-Q2515
Q62703-Q2516
Q62703-Q2332
Q62703-Q2625
Q62703-Q2517
Q62703-Q2518
Q62703-Q3081
Q62703-Q3854
LP T672-KN
LP T672-L
LP T672-M
LP T672-N
LP T672-LP
pure green colorless clear 6.3... 50
10.0... 20
16.0... 32
25.0... 50
10.0... 80
■ Nicht für Neuentwicklungen/Not for new design
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
45 (typ.)
75 (typ.)
100 (typ.)
-
≤ 2.0.
Q62703-Q2626
Q62703-Q2627
Q62703-Q2289
Q62703-Q2290
Q62703-Q2334
Semiconductor Group 2
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
)
Montage auf PC-board*
mounted on PC board*) (pad size 16 mm2)
(Padgröße ≥ 16 mm2)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
R
th JA
Werte
Values
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 ˚C
– 55 ... + 100 ˚C
+ 100 ˚C
50 mA
1A
5V
190 mW
300 K/W
)
PC-board: FR4
*
Semiconductor Group 3
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Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 10 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 10 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Spectral bandwidth at 50 % I
I
= 10 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50 %
Viewing angle at 50 % I
I
v
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
v
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 50 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 5 V
R
Kapazität (typ.)
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Schaltzeiten:
Switching times:
I
from 10 % to 90 % (typ.)
V
I
from 90 % to 10 % (typ.)
V
I
= 100 mA, tp = 10 µs, RL= 50 Ω
F
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LO LY LG LP
λ
λ
peak
dom
635 610 586 565 557 nm
628 605 590 570 560 nm
∆λ 45 40 45 25 22 nm
2ϕ 120 120 120 120 120 deg.
V
V
I
I
C
t
t
F
F
R
R
0
r
f
2.0
3.8
2.1
3.8
2.2
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8*
V
)
V
0.01100.01100.01100.01100.0110µA
µA
40 35 35 60 80 pF
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250nsns
)
V
max = 3.2 V as of Febr. 97
*
F
Semiconductor Group 4
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LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA = 25 ˚C, IF= 10 mA
rel
Relative Spectral Emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 5
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LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Relative Lichtstärke IV/I
V(50 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25 ˚C
A
= f (IF)
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
= f (tp)
F
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Semiconductor Group 6
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LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Wellenlänge der Strahlung λ
Wavelength at peak emission
I
= 10 mA
F
= f (TA)
peak
Dominantwellenlänge λ
Dominat wavelength
I
= 10 mA
F
= f (TA)
dom
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 50 mA
F
V
= f (TA)
F
Relative Lichtstärke
I
/ I
V
V(25 ˚C)
Relative luminous intensity
I
= 50 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 7
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LS T672, LO T672, LY T672
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
LG T672, LP T672
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06724
Semiconductor Group 8
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