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GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Area not flat
LD 274
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
5.7
5.1
Chip position
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
0.6
0.4
GEX06260
Features
● Extremely narrow half angle
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
● High reliability
● High pulse handling capability
● Available in groups
● Same package as SFH 484
0.6
0.4
0.8
spacing
2.54 mm
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.2
29
27
Wesentliche Merkmale
● Sehr enger Abstrahlwinkel
● GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Hohe Impulsbelastbarkeit
● Gruppiert lieferbar
● Gehäusegleich mit SFH 484
fex06260
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 274 Q62703-Q1031 5-mm-LED-Gehäuse (T 1
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers,
of various equipment
3
/4), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
LD 274-2
1)
Q62703-Q1819
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 13/4), grey colored epoxy resin
LD 274-3 Q62703-Q1820
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
Semiconductor Group 1 1997-11-01
Page 2
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
LD 274
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
= 10 µs, D = 0
p
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte (
T
= 25 °C)
A
Characteristics
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Wert
Value
Einheit
Unit
– 55 ... + 100 °C
100 °C
5V
100 mA
3A
165 mW
450 K/W
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
Wavelength at peak emission
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 100 m A, tp = 20 ms
F
max
I
max
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±10 Grad
Aktive Chipfläche
A
0.09 mm
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L
× W
0.3 × 0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
Schaltzeiten, I
von 10 % auf 90 % und von
e
H 4.9 ... 5.5 mm
t
, t
r
f
1 µs
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
2
Semiconductor Group 2 1997-11-01
Page 3
LD 274
Kennwerte (
T
= 25 °C)
A
Characteristics
Bezeichnung
Description
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz
R
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
= 1 A, tp = 100 µs
F
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
Temperaturkoeffizient von I
I
= 100 mA
F
bzw. Φe,
e
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 100 mA
F
Temperaturkoeffizient von
V
, IF = 100 mA
F
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Symbol
Symbol
C
o
V
F
V
F
I
R
Φ
e
TC
I
TC
V
Wert
Value
Einheit
Unit
25 pF
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)
V
V
0.01 (≤ 1)µA
15 mW
– 0.55 %/K
– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,
= 100 mA
F
TC
λ
I
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
LD 274 LD 274-2
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 100 mA, tp = 20 ms
F
I
e min
I
e max
50
–
Strahlstärke
Radiant intensity
I
= 1 A, tp = 100 µs I
F
1)
Nur auf Anfrage lieferbar.
1)
Available only on request.
e typ.
350 600 800 mW/sr
50
100
+ 0.3 nm/K
Wert
Value
1)
LD 274-3
80
–
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Page 4
Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
OHR01938
Radiant intensity
Ie100 mA
Single pulse, tp = 20 µs
2
10
Ι
e
Ι
(100 mA)
e
LD 274
I
e
= f (IF)
OHR01038
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
120
Ι
F
100
OHR00883
60
40
20
0
880 920 960 1000
Forward current
I
= f (VF), single pulse, tp = 20 µs
F
1
10
A
Ι
F
10
10
typ.
0
-1
max.
nm
λ
OHR01041
1060
1
10
0
10
-1
10
-2 -1
10
10
Radiation characteristics, I
50
60
70
80
0
10 A 10
Ι
F
= f (ϕ)
rel
ϕ
80
= 450 K/W
R
thjA
60
40
20
1
10203040
0
0
20 40 60 80 100 120mA˚C
T
A
0
OHR01882
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
-2
10
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
V
F
Permissible pulse handling capability
I
= f (τ), T
F
≤ 25 °C,
C
duty cycle D = parameter
4
10
mA
Ι
F
5
D
=
0.005
t
p
D
=
T
0.01
0.02
10
3
5
0.1
0.2
0.05
0.5
OHR00860
t
p
Ι
F
T
DC
2
10
-5
-410-310-210-1100101102
10
10s
t
p
90
100
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 4 1997-11-01
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