Datasheet LD271L, LD271HL, LD271H, LD271 Datasheet (Siemens)

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

Area not flat

LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

0.6

0.4

1.3

1.0

spacing

2.54 mm

Approx. weight 0.5 g

spacing

2.54mm

1.8

1.2

14.0

13.0

29 27

1.8

1.2

0.6

0.4

Area not flat Chip position

9.0

8.2

1.0

Cathode Chip position

7.8

0.7

7.5

11.4

11.0

Cathode

0.8

0.4

ø5.1

4.8

4.2

9.0

8.2

7.8

7.5

4.8

4.2

ø4.8

ø5.1

5.9

5.5

0.6

0.4

GEX06239

5.9

5.5

GEO06645

fex06628

0.6

0.4

Approx. weight 0.2 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-LED, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Lange Anschlüsse

● Gruppiert lieferbar

● Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203

Anwendungen

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern

● Gerätefernsteuerungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● High pulse handling capability

● long leads

● Available in groups

● Same package as SFH 300, SFH 203

Applications

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

● Remote control of various equipment

● Photointerrupters

Wechsellichtbetrieb

Semiconductor Group 1 1997-11-01

LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

Typ Type

Bestellnummer Ordering Code

Gehäuse Package

LD 271 Q62703-Q148 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 LD 271 L Q62703-Q833 LD271 H Q62703-Q256

Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 5 mm LED package (T 13/4), grey colored epoxy resin

lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’)

LD271 HL Q62703-Q838

Grenzwerte Maximum Ratings

Bezeichnung Description

Betriebs- und Lagertemperatur

Symbol Symbol

T

; T

op

stg

Wert Value

– 55 ... + 100 °C

Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur

T

j

100 °C

Junction temperature Sperrspannung

V

R

5V

Reverse voltage Durchlaßstrom

I

F

130 mA

Forward current

3

/4), graugetöntes Epoxy-

Einheit Unit

t

Stoßstrom,

= 10 µs, D = 0

p

Surge current Verlustleistung

Power dissipation Wärmewiderstand

Thermal resistance

I

P

R

FSM

tot

thJA

3.5 A

220 mW

330 K/W

Semiconductor Group 2 1997-11-01

Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics

LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

Bezeichnung Description

Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Spektrale Bandbreite bei 50 % von Spectral bandwidth at 50 % of I

I

= 100 mA

F

max

I

max

Abstrahlwinkel Half angle

Aktive Chipfläche Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche Dimensions of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top

Schaltzeiten, I

von 10 % auf 90 % und von

e

90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Symbol Symbol

λ

peak

Wert Value

Einheit Unit

950 nm

∆λ 55 nm

ϕ± 25 Grad

deg.

A

L × B L

× W

H

t

, t

r

f

0.25 mm

0.5 × 0.5 mm

4.0 ... 4.6 mm

1 µs

2

V

Kapazität,

= 0 V, f = 1 MHz

R

Capacitance Durchlaßspannung

Forward voltage

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

V

Sperrstrom,

= 5 V

R

Reverse current Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von I

I

= 100 mA

F

bzw. Φe,

e

Temperature coefficient of Ie or Φe,

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von

V

, IF = 100 mA

F

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

I

Temperaturkoeffizient von λ,

= 100 mA

F

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

C

V V

I

R

Φ

TC

o

F F

40 pF

1.30 (≤ 1.5)

1.90 (≤ 2.5)

V V

0.01 (≤ 1)µA

e

I

V

λ

18 mW

– 0.55 %/K

– 1.5 mV/K

0.3 nm/K

Semiconductor Group 3 1997-11-01

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity Ie in axial direction

at a solid angle of Ω = 0.01 sr

LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

Bezeichnung Description

Strahlstärke Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

Relative spectral emission

I

= f (λ)

rel

100

%

Ι

rel

80

60

40

20

0

880 920 960 1000

OHRD1938

nm

λ

1060

Symbol Symbol

I

e

I

e typ.

Radiant intensity

t

Single pulse,

10

Ι

e

Ι

(100 mA)

e

10

2

1

0

-1

-2 -1

10

= 20 µs

p

I

e

Ie100 mA

10

LD 271 LD 271 L

15 (≥ 10) 120

= f (IF)

OHR01038

0

10 A 10

Ι

F

Wert

Value

Einheit Unit

LD 271 H LD 271 HL

> 16 mW/sr

mW/sr

Max. permissible forward current

I

= f (TA)

F

200

Ι

F

mA 160 140 120 100

80 60 40 20

1

0

0 20 40 60 80 100C

OHO00364

T

A

Semiconductor Group 4 1997-11-01

LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL

Forward current

I

= f (VF), single pulse, tp = 20 µs

F

1

10

A

Ι

F

typ.

0

10

-1

10

-2

10

1

1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5

max.

Radiation characteristics I

50

OHR01041

V

= f (ϕ)

rel

Permissible pulse handling capability

I

= f (τ), TC = 25 °C,

F

duty cycle D = parameter

t

p

T

10

OHR01879

OHR00257

Ι

F

s

10

t

P

2

4

10

mA

Ι

F

5

0.05

0.1

3

10

0.2

t

p

D

=

T

=

D

0.005

0.01

0.02

5

0.5

DC

2

10

-5

-410-310-210-1100

F

10203040

0

ϕ

1.0

10

0.8

60

70

80

90

100

0.6

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 5 1997-11-01

Datasheet LD271L, LD271HL, LD271H, LD271 Datasheet (Siemens) [de, en]