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GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
LD 260
LD 262 ... LD 269
7.4
7.0
0.5
0.4
2.54 mm
spacing
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
0.7
0.6
A
1.4
1.0
Chip
position
1.9
1.7
0... 5
A
0.4
2.7
0.25
0.15
2.1
1.5
3.6
2.5
3.5
GEO06367
3.2
3.0
fez06365feo06367
Wesentliche Merkmale
● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
● Hohe Zuverlässigkeit
● Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
● Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Lochstreifenleser
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Features
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
● High reliability
● Same package as BPX 80 series
Applications
● Miniature photointerrupters
● Punched tape-readers
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
Semiconductor Group 1 1997-11-01
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LD 260
LD 262 ... LD 269
Typ
IRED
Maß “A”
Bestellnummer
Gehäuse
pro Zeile
Type
per Row
Dimension “A”
Ordering Code
Package
min. max.
LD 262 2 4.5 4.9 Q62703-Q70 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse,
LD 263 3 7 7.4 Q62703-Q71
LD 264 4 9.6 10 Q62703-Q72
LD 265 5 12.1 12.5 Q62703-Q73
LD 266 6 14.6 15 Q62703-Q74
LD 267 7 17.2 17.6 Q62703-Q75
LD 268 8 19.7 20.1 Q62703-Q76
klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig,
1
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
/10’’),
Kathodenkennzeichnung:
Nase am Lötspieß
Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing
2.54 mm (1/10’’), cathode marking:
projection at solder lead
LD 269 9 22.3 22.7 Q62703-Q77
LD 260 10 24.8 25.2 Q62703-Q78
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom, τ≤10 µs,
D = 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
T
T
V
I
I
P
R
R
op
j
R
F
FSM
tot
thJA
thJL
; T
stg
– 40 ... + 80 °C
80 °C
5V
50 mA
1.6 A
70 mW
750
650
K/W
K/W
Semiconductor Group 2 1997-11-01
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Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
LD 260
LD 262 ... LD 269
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
= 50 mA, tp = 20 ms
F
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of I
I
= 50 m A, tp = 20 ms
F
max
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Schaltzeiten, I
von 10 % auf 90 % und von
e
90 % auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950 nm
∆λ 55 nm
ϕ±15 Grad
deg.
A
L × B
L
× W
H
t
, t
r
f
0.25 mm
0.5 × 0.5 mm
1.3 ... 1.9 mm
1 µs
2
V
Kapazität,
= 0 V
R
Capacitance
Durchlaßspannung,
I
= 50 mA, tp = 20 µs
F
Forward voltage
V
Sperrstrom,
= 5 V
R
Reverse current
I
Gesamtstrahlungsfluß,
= 50 mA, tp = 20 ms
F
Total radiant flux
Temperaturkoeffizient von I
I
= 50 mA
F
bzw. Φe,
e
Temperature coefficient of Ie or Φe,
I
= 50 mA
F
V
Temperaturkoeffizient von
, IF = 50 mA
F
Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA
Temperaturkoeffizient von λ
Temperature coefficient of λ
Strahlstärke,
I
= 50 mA, tp = 20 ms
F
, IF = 50 mA
peak
, IF = 50 mA
peak
Radiant intensity
C
V
I
R
Φ
TC
TC
TC
I
e
o
F
40 pF
1.25 (≤ 1.4) V
0.01 (≤ 1)µA
e
I
V
λ
9mW
– 0.55 %/K
– 1.5 mV/K
0.3 nm/K
typ. 5 (≥ 2.5) mW/sr
Semiconductor Group 3 1997-11-01
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Relative spectral emission
I
= f (λ)
rel
100
%
Ι
rel
80
60
40
20
0
880 920 960 1000
OHRD1938
nm
λ
1060
Radiant intensity
t
Single pulse,
10
Ι
e
Ι
(100 mA)
e
10
10
10
p
2
1
0
-1
-2 -1
10
= 20 µs
I
e
Ie100 mA
10
= f (IF)
OHR01039
0
10 A 10
Ι
F
LD 260
LD 262 ... LD 269
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
80
mA
Ι
F
70
60
50
40
30
= 750 K/W
R
thJA
20
10
1
0
0 20406080100C
R
thJL
OHR01124
= 650 K/W
T
,
A
T
L
Forward current
IF= f (VE), single pulse, tp = 20 µs
max.
OHR01042
V
F
= f (ϕ)
rel
1
10
A
Ι
F
typ.
0
10
-1
10
-2
10
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
Radiation characteristics I
50
Permissible pulse handling capability
I
= f (τ), TC = 25 °C,
F
duty cycle D = parameter
τ
T
=
D
OHR01878
OHR02182
τ
T
Ι
F
10s
τ
4
10
Ι
mA
F
10
10
10
10203040
0
ϕ
1.0
0
=
D
0,005
0,01
0,02
3
0,05
0,1
0,2
0,5
2
DC
1
-5
-4 -310-210-1100
10 10
0.8
60
0.6
70
80
90
100
0.4
0.2
0
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
Semiconductor Group 4 1997-11-01
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