Datasheet LD242-2, LD242E7800, LD242-3 Datasheet (Siemens)

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

ø0.45

spacing

2.54 mm

Anode Cathode (SFH 483)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

14.5

12.5

(LD 242, BPX 63, SFH 464)

Wesentliche Merkmale

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Kathode galvanisch mit Gehäuseboden

verbunden

● Hohe Zuverlässigkeit

● Großer Öffnungskegel

● Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,

SFH 464, SFH 483

● Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG

2.7

3.6

3.0

Chip position

ø4.1

ø4.3

0.9

1.1

ø5.5 ø5.2

1

0.9

GET06625

Features

● GaAs infrared emitting diode, fabric ated in a

liquid phase epitaxy process

● Cathode is electrically connected to the case

● High reliability

● Wide beam

● Same package as BP 103, BPX 63,

SFH 464, SFH 483

● DIN humidity category in acc. with

DIN 40 040 GQG

LD 242

fet06625

Anwendungen

● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Applications

● IR remote control and sound transmission

● Photointerrupters

Wechsellichtbetrieb

Typ Type

Bestellnummer Ordering Code

Gehäuse Package

LD 242-2 Q62703-Q198 Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares

LD 242-3 Q62703-Q199 LD 242 E7800 Q62703-Q3509

Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster

1

/10’’)

( Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-

ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm

1

/10’’)

(

Semiconductor Group 1 1998-07-15

Grenzwerte Maximum Ratings

LD 242

Bezeichnung Description

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range

Sperrspannung Reverse voltage

T

Durchlaßstrom,

= 25 °C

C

Forward current Stoßstrom, τ ≤ 10 µs,

D = 0

Surge current Verlustleistung,

T

= 25 °C

C

Power dissipation Wärmewiderstand

Thermal resistance

T

Kennwerte (

= 25 °C)

A

Characteristics

Symbol Symbol

T

; T

op

stg

V

R

I

F

I

FSM

P

tot

R

thJA

R

thJC

Wert Value

Einheit Unit

– 40 ... + 80 °C

5V

300 mA

3A

470 mW

450 160

K/W K/W

Bezeichnung Description

Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Spektraler Bandbreite bei 50 % von Spectral bandwidth at 50 % of I

IF = 100 m A, t

= 20 ms

p

max

I

max

Abstrahlwinkel Half angle

Aktive Chipfläche Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top

Symbol Symbol

λ

peak

Wert Value

Einheit Unit

950 nm

∆λ 55 nm

ϕ± 40 Grad

deg.

A

L × B

× W

L H

0.25 mm

0.5 × 0.5 mm

0.3 ... 0.7 mm

2

Semiconductor Group 2 1998-07-15

LD 242

Kennwerte (

T

= 25 °C)

A

Characteristics Bezeichnung

Description

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von

I

90 % auf 10 %, bei Switching times, from 90 % to 10 %,

= 100 mA, RL = 50 Ω

F

I

from 10 % to 90 % and

e

I

= 100 mA, RL = 50 Ω

F

Kapazität Capacitance

V

= 0 V

R

Durchlaßspannung Forward voltage

I

= 100 mA

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

V

Sperrstrom,

= 5 V

R

Reverse current Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

Temperaturkoeffizient von I

I

= 100 mA

F

Temperature coefficient of I

I

= 100 mA

F

Temperaturkoeffizient von Temperature coefficient of

Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ

bzw. Φe,

e

or Φe,

e

V

, IF = 100 mA

F

V

, IF = 100 mA

F

, IF = 100 mA

peak

, IF = 100 mA

peak

Symbol Symbol

t

, t

r

f

C

o

V

F

V

F

I

R

Φ

e

TC

I

TC

V

TC

λ

Wert Value

Einheit Unit

1 µs

40 pF

1.3 (≤ 1.5)

1.9 (≤ 2.5)

V V

0.01 (≤ 1)µA

16 mW

– 0.55 %/K

– 1.5 mV/K

0.3 nm/K

Semiconductor Group 3 1998-07-15

Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Grouping of radiant intensity I

in axial direction

e

measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr

LD 242

Bezeichnung Description

Symbol Werte

Values

-2 -3 7800

Einheit Unit

1)

Strahlstärke Radiant intensity

I

= 100 mA, tp = 20 ms

F

I

= 1 A, tp = 100 µs

F

1)

Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daß bei der Strahlstärkeme ssung nur diejenige Strahlung in Achs richtung bewertet wird, die direk t von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Die se Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläc he über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.

1)

An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial directio n em it t ing directly from the chip sur fa ce w ill be evaluated during meas urement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800” adde d to the type designation.

I I

e e typ.

4 ... 8 50

> 6.3 75

1...3.2 –

mW/sr mW/sr

Semiconductor Group 4 1998-07-15

Relative spectral emission

= f (λ)

I

rel

100

%

Ι

rel

80

60

40

OHR01938

I

Radiant intensity

Single pulse,

Ι

e

Ι

(100 mA)

e

10

2

1

0

t

= 20 µs

p

e

Ie 100 mA

= f (IF)

OHR01037

LD 242

Max. permissible forward current

= f (TA)

I

F

300

Ι

mA

F

250

200

150

100

R

thJA

R

= 450 K/W

= 160 K/W

thJL

OHR00971

20

0

880 920 960 1000

Forward current

= f (VE)

I

F

1

10

A

Ι

F

typ.

0

10

-1

10

-2

10

1

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

max.

Radiation characteristics I

50

nm

λ

OHR01040

V

F

= f (ϕ)

rel

V

1060

ϕ

50

-1

10

-2 -1

10

0

10 A 10

Ι

F

1

0

020406080100

˚C

T

,

A

T

L

Permissible pulse handling capability

= f (τ), TC = 25 °C,

I

F

duty cycle D = parameter

t

P

T

D =

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

-2

OHR01877

OHR01937

Ι

s

τ

F

0

10

4

10

mA

Ι

F

5

0.2

3

10

t

P

=

D

T

0.5

5

DC

2

10

-5

10

10-410-310

10203040

0

1.0

0.8

60

0.6

70

80

90

100

0.4

0.2

0

02040 60 80 100 1200.40.60.81.0

Semiconductor Group 5 1998-07-15

Datasheet LD242-2, LD242E7800, LD242-3 Datasheet (Siemens) [de, en]