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查询Q62703-Q3270供应商
Hyper TOPLED® RG
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Features
● color of package: white
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (12 mm tape)
LS T776, LA T776, LO T776
LY T776
VPL06899
Semiconductor Group 1 11.96
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Typ
Type
LS T776-NR
LS T776-P
LS T776-Q
LS T776-R
LS T776-PS
LA T776-PS
LA T776-Q
LA T776-R
LA T776-S
LA T776-QT
LO T776-PS
LO T776-Q
LO T776-R
LO T776-S
LO T776-QT
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustritts-
Lichtstärke
fläche
Color of
Emission
Color of the
Light Emitting
Area
Luminous
Intensity
I
= 20 mA
F
I
(mcd)
V
super-red colorless clear 25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
amber colorless clear 40 … 320
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
orange colorless clear 40 … 320
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
Lichtstrom
Luminous
Flux
I
= 20 mA
F
ΦV (mlm)
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
-
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3270
Q62703-Q3271
Q62703-Q3272
Q62703-Q3273
Q62703-Q3274
Q62703-Q3914
Q62703-Q3915
Q62703-Q3916
Q62703-Q3917
Q62703-Q3918
Q62703-Q3275
Q62703-Q3276
Q62703-Q3277
Q62703-Q3278
Q62703-Q3279
LY T776-PS
LY T776-Q
LY T776-R
LY T776-S
LY T776-QT
yellow colorless clear 40 … 320
63 … 125
100 … 200
160 … 320
63 … 500
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I
Luminous intensity ratio in one packaging unit I
V max
/ I
V max
V min
/ I
V min
≤ 2.0.
300 (typ.)
450 (typ.)
700 (typ.)
≤ 2.0.
Q62703-Q3280
Q62703-Q3281
Q62703-Q3282
Q62703-Q3283
Q62703-Q3284
Semiconductor Group 2
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Grenzwerte
Maximum Ratings
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
1)
1)
Symbol
Symbol
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
– 55 ... + 100 ˚C
– 55 ... + 100 ˚C
+ 100 ˚C
30 20 mA
1 0.2 A
3V
80 55 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
1)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
1)
Reverse biasing should be avoided.
)
*
PC-board: FR4
R
th JA
500 K/W
Semiconductor Group 3
Page 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
= 20 mA
F
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
= 20 mA
F
Spektrale Bandbreite bei 50%
Spectral bandwidth at 50% I
I
= 20 mA
F
Abstrahlwinkel bei 50%
Viewing angle at 50% I
I
v
I
rel max
rel max
(Vollwinkel)
v
(typ.)
(typ.)
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
I
= 20 mA
F
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
= 3 V
R
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of λ
Temperaturkoeffizient von λ
λ
dom(IF
dom(IF
,
peak
= 20 mA)
= 20 mA)
IF = 20 mA (typ.)
Temperature coefficient of λ
peak
,
IF = 20 mA (typ.)
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS LA LO LY
λ
λ
peak
dom
645 622 610 591 nm
632 615 605 587 nm
∆λ 16 16 16 15 nm
2ϕ 120 120 120 120 Grad
deg.
V
V
I
R
I
R
TC
TC
F
F
λ
λ
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
0.01100.01100.01100.0110µA
µA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14 0.13 0.13 0.13 nm/K
V
Temperaturkoeffizient von
, IF = 20 mA (typ.)
F
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group 4
TC
V
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Relative spektrale Emission I
= f (λ), TA= 25 ˚C, IF= 10 mA
rel
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
Radiation characteristic
= f (ϕ)
rel
Semiconductor Group 5
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
T
= 25 ˚C
A
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
= f (TA)
F
Relative Lichtstärke
I
V/IV(20 mA)
Relative luminous intensity
T
= 25˚C
A
= f (IF)
Relative Lichtstärke
I
/ I
V
V(25˚C )
Relative luminous intensity
I
= 20 mA
F
= f (TA)
Semiconductor Group 6
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LS T776, LA T776, LO T776, LY T776
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark: bevelled edge
GPL06899
Semiconductor Group 7
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