Page 1
КТД8303
составной биполярный транзистор Дарлингтона
с демпферным диодом для автомобильной
электроники
Назначение
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные (Дарлингтона), n-р-n, с интегральными
резисторами и демпферным диодом. Предназначены для использования в ключевых схемах, в
усилителях с большим коэффициентом усиления и другой электронной аппаратуре широкого
применения
Особенности
• диапазон рабочих температур
• высокий коэффициент усиления
• низкие обратные токи
• защита от выбросов обратного напряжения
от - 45 до + 125 ºC
Обозначение технических условий
• АДКБ.432140.402 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220) – КТД8303А
• пластмассовый корпус КТ-90 (D2PAK) - КТД8303А9
• бескорпусной вариант без кристаллодержателя,
без выводов – КТД8303А-5
Назначение выводов
КТ-28
КТ-90
Вывод Назначение
№1 База
№2 Коллектор
№3 Эмиттер
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КТД8303А и КТД8303А9
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Статический коэффициент передачи тока1)
(I
= 0,2 А, UКЭ = 5 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
К
Статический коэффициент передачи тока1)
= 5 А, UКЭ = 5 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
(I
К
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(I
= 5,0 А, IБ = 8 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
К
Напряжение насыщения база-эмиттер
(I
= 5,0 А, IБ = 8 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
К
Обратный ток эмиттера
(U
= 5,0 В, IК = 0), мА
ЭБ
Обратный ток коллектор-эмиттер
= 200 В, RЭБ = 1,0 кОм), мкА
(U
КЭ
Обратный ток коллектора
= 200 В, IЭ = 0), мкА
(U
КБ
Буквенное
обозначение
h
1000
21Э
h
21Э
U
КЭнас
U
БЭнас
I
ЭБО
I
КЭR
I
КБО
Норма
не менее не более
−
1500
1800
800
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
1,3
1,7
2,0 25
1,0 25
1,0
500
10
Темпера-
тура,
°С
25
25
125
−45
25
25
25
125
−45
Граничное напряжение
(I
= 40 мА, IБ = 0, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
К
Постоянное прямое напряжение диода
(I
= 5 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
Э
1)
В схеме с общей базой: U
КБ
= U
КЭ
– 2,0 В, IЭ= IК.
150
U
КЭО гр
U
пр
−
−
1,8 25
25
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КТД8303А и КТД8303А9
Наименование параметра (режим и условия измерения),
единица измерения
Максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор-эмиттер (R
= 1,0 кОм), В
ЭБ
Максимально допустимое постоянное напряжение
эмиттер-база, В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора1), А I
Максимально допустимый импульсный ток коллектора
(t
≤ 6,3 мс, Q ≥ 2), А
и
Максимально допустимый постоянный ток базы1), А I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора
2)
, Вт
Максимально допустимая температура перехода, °С
Буквенное
обозначение
параметра
U
U
Т
200
КЭR mах
5
ЭБ mах
12
К mах
15
I
К,и mах
2,0
Б mах
Р
30
К mах
150
пер.mах
Норма
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт
1) При условии непревышения Рк mах.
2) В диапазоне температур корпуса Ткор от 25 до 125 °С мощность Р
Рк mах = (Тпер.mах – Ткор) / RΘпер-кор
R
4,17
Θпер-кор
mах определяют по формуле
К
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
бескорпусном исполнении в соответствии с РД 11 0723
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные,
составные (Дарлингтона), n-р-n, с интегральными резисторами и
демпферным диодом, бескорпусные, без кристаллодержателя,
без выводов
Назначение контактных площадок
Площадка №1 – База
Площадка №2 – Эмиттер
КТД8303А-5
уточнение при поставке транзисторов в
1
2
Таблица 3. Физические характеристики КТД8303А-5
Наименование Значение характеристики
Диаметр пластины, мм 100
Размер кристалла (на пластине), мм
Размер контактной площадки эмиттер, мкм
Размер контактной площадки база, мкм
Толщина пластины, мкм
Ширина скрайберной дорожки, мкм 80
Металлизация планарной стороны Al
Металлизация непланарной стороны Ti-Ni-Ag
3,4 × 3,4
1020 × 1020
720 × 720
380 ± 20
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
4
Page 5
Таблица 4. Основные электрические параметры КТД8303А-5
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Статический коэффициент передачи тока1)
(I
= 0,2 А, UКЭ = 5 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
К
Статический коэффициент передачи тока1)
(I
= 5,0 А, UКЭ = 5 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
К
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(IК = 5,0 А, IБ = 8 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
Напряжение насыщения база-эмиттер
(I
= 5,0 А, IБ = 8 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
К
Обратный ток эмиттера
= 5,0 В, IК = 0), мА
(U
ЭБ
Обратный ток коллектор-эмиттер
= 200 В, RЭБ = 1,0 кОм), мкА
(U
КЭ
Обратный ток коллектора
= 200 В, IЭ = 0), мкА
(U
КБ
Норма
Буквенное
обозначение
h
1000
21Э
h
21Э
U
КЭнас
U
БЭнас
I
ЭБО
I
КЭR
I
КБО
не
менее
1500
−
−
−
−
−
не
более
−
−
1,3
1,7
2,0 25
1,0 25
1,0 25
Темпера-
тура,
°С
25
25
25
25
Граничное напряжение
(I
= 40 мА, IБ = 0, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
К
Постоянное прямое напряжение диода
(I
= 5 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
Э
1)
В схеме с общей базой: U
КБ
= U
– 2,0 В, IЭ= IК.
КЭ
U
150
КЭО гр
U
пр
−
−
1,8 25
25
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
5
Page 6
Iк, мА
10000
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 1000 2000 3000 4000 5000
Iб = 0,1 мА
Iб = 0,5 мА
Iб = 0,9 мА
Iб = 1,2 мА
Iб = 1,5 мА
Iб = 3 мА
Uкэ, мВ
h21Э
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
Рис. 1 — Выходные характеристики транзистора при Ткорп = 25 °С
(Iб = 0,1 мА, Iб = 0,5 мА, Iб = 0,9 мА, Iб = 1,2 мА, Iб = 1,5 мА, Iб = 3 мА)
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112131415
Рис.2 — Зависимость статического коэффициента передачи тока h21Э от тока
коллектора при Uкэ = 5 В и Ткорп = + 25 °С
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
Iк, А
6
Page 7
h21ЭT/h21Э25
3
2
1
0
-45 -25 -5 15 35 55 75 95 115 135 155
Рис.3 — Зависимость от температуры корпуса статического коэффициента передачи
тока h21Э, нормированного на h21Э при Ткорп = 25 °С
(Uкэ = 5 В и при Iк = 5 A)
Сэ, пФ
200
180
160
140
120
100
80
Ткорп, °С
60
00,511,522,533,544,55
Рис.4 — Зависимость емкости эмиттерного перехода от обратного напряжения
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
Uэбо, В
эмиттер-база при Ткорп = + 25 °С
7
Page 8
Ск, пФ
180
160
140
120
100
80
60
40
Uбэ нас, мВ
1900
1800
1700
1600
1500
1400
1300
1200
Uкбо, В
0 5 10 15 20 25 30
Рис.5 — Зависимость емкости коллекторного перехода от обратного напряжения
коллектор-база при Ткорп = + 25 °С
1100
1000
-45-205 305580105130
Рис. 6 — Зависимость напряжения насыщения база-эми тте р от темп е ратуры корпуса
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
Тко рп , °С
при Iб = 10 мА, Iк = 5 А
8
Page 9
Uпр, мВ
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
0 2 4 6 8 10 12 14
Рис. 7 — Зависимость прямого падения напряжения от прямого тока через диод при
Ткорп = -45 °С, Ткорп = +25 °С, Ткорп = +150 °С
Uкэ нас, мВ
7000
6000
Тпер = -45 °С
Тпер = +25 °С
Тпер = +150 °С
Iпр, А
5000
4000
3000
2000
1000
0
0123456789101112131415
Рис.8— Зависимость напряжения насыщения коллектор эмиттер от тока коллектора
при Iб = 10 мА, Iб = 20 мА, Iб = 30 мА и Ткорп = +25 °С
Iб = 10 мА
Iб = 20 мА
Iб = 30 мА
Iк, А
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
9
Page 10
Uкэ нас, мВ
14000
12000
10000
8000
6000
4000
Iб=10мА
Iб=20мА
Iб=30мА
2000
0
0123456789101112131415
Рис.9 — Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора
при Iб = 10 мА, Iб = 20 мА, Iб = 30мА и Ткорп = -45 °С
Uкэ нас, мВ
6000
5000
4000
3000
2000
Iк, А
Iб = 10 мА
Iб = 20 мА
Iб = 30 мА
1000
0
0123456789101112131415
Рис.10 — Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока
коллектора при Iб = 10 мА, Iб = 20 мА, Iб = 30мА и Ткорп = +150 °С
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
Iк, А
10
Page 11
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТД8303 (январь 2011г., редакция 1.0)
11
Loading...