Page 1
КТД540А
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n составной транзистор
Назначение
КТД540А - кремниевый эпитаксиально-планарный составной n-p-n транзистор Дарлингтона с
интегральным резистором и демпферным диодом. Предназначен для использования в усилителях с
большим коэффициентом усиления и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Зарубежный прототип
• прототип BSR52
Обозначение технических условий
• АДКБ.432140.380 ТУ
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 45 до + 125°C
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Транзисторы пригодны как для ручной, так и для автоматизированной
сборки аппаратуры. Конструктивно-технологическая группа VIII,
исполнение 4 по ГОСТ 20.39.405.
Климатическое исполнение
• УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 База
№2 Коллектор
№3 Эмиттер
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Электрические параметры при приемке и поставке
Наименование параметра (режим измерения), единица
измерения
Статический коэффициент передачи тока *,**
= 10 В, IК = 150 мА)
(U
КЭ
Статический коэффициент передачи тока *,**
= 10 В, IК = 500 мА)
(U
КЭ
Буквенное
обо-
значение
h
1000 - 25
21Э
h
21Э
не
менее
2000
2400
800
Норма
более
не
-
-
-
Темпе-
ратура,
°С
25
125
-45
Обратный ток коллектор-эмиттер
= 80 В, RЭБ = 0), мкА
(U
КЭ
Обратный ток коллектора
= 90 В, IЭ = 0), мкА
(U
КБ
Обратный ток эмиттера
= 4 В, IК = 0), мкА
(U
ЭБ
Обратный ток эмиттера
= 5 В, IК = 0), мкА
(U
ЭБ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*
= 500 мА, IБ = 0,5 мА), В
(I
К
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*
= 1000 мА, IБ = 4 мА), В
(I
К
Напряжение насыщения база-эмиттер*
= 500 мА, IБ = 0,5 мА), В
(I
К
Напряжение насыщения база-эмиттер*
= 1000 мА, IБ = 4 мА), В
(I
К
* - tи ≤ 2 мс, Q / 50.
** - При измерении в схеме с общей базой: UКБ = (U
– 2, 0 В) В, IЭ = IК.
КЭ
-
I
КЭК
-
-
I
- 50 25
КБО
- 0,05 25
I
ЭБО
I
- 50 25
ЭБО
- 1,3 25
U
КЭ нас
U
- 1,6 25
КЭ нас
U
- 1,9 25
БЭ нас
- 2,2 25
U
БЭ нас
0,05
50
10
25
125
-45
Таблица 2. Электрические параметры, изменяющиеся в течение наработки
Наименование параметра (режим измерения), единица
измерения
Статический коэффициент передачи тока *,**
= 10 В, IК = 150 мА)
(U
КЭ
Обратный ток коллектор-эмиттер
= 80 В, UЭБ = 0), мкА
(U
КЭ
* - tи ≤ 2 мс, Q / 50.
** - При измерении в схеме с общей базой: UКБ = (U
– 2, 0 В) В, IЭ = IК.
КЭ
Буквенное
обо-
значение
h
600 - 25
21Э
- 0,1 25
I
КЭК
менее
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
не
Норма
более
не
Темпе-
ратура,
°С
2
Page 3
Таблица 3. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра (режим и условия измерения), единица измерения
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база (IЭ = 0), В U
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (UЭБ = 0), В U
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, (IК = 0), В U
Максимально допустимый постоянный ток коллектора*, А I
Максимально допустимый импульсный ток коллектора (tи ≤ 6,3 мс, Q / 2)*, мА
Максимально допустимый постоянный ток базы*, мА I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора**, Вт ,
при –45 °С ≤ Т
≤ 25 °С
окр
Максимально допустимая температура перехода, °С
Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт
* - При условии непревышения Р
** - В диапазоне температур среды от 25 до 125 °С Р
К mах
.
рассчитывают по формуле:
К mах
Буквенное
обозначение
90
КБ mах
80
КЭК max
5
ЭБ mах
1,0
К mах
2,0
I
К, и mах
100
Б mах
Р
0,625
К mах
150
Т
пер.mах
R
Υ пер-окр
Норма
Р
К mах
= ( Т
пер.mах
– Т
окр
) / R
Υ пер-окр
200
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
Таблица 3. Справочные данные транзистора КТД540А при Т
Наименование параметра, режим и
условия измерения, единица измерения
Статический коэффициент
передачи тока *
(U
= 10 В, IК = 150 мА)
КЭ
Статический коэффициент
передачи тока *
= 10 В, IК = 500 мА)
(U
КЭ
,
,
**
**
Обратный ток коллектор-эмиттер
(U
= 80 В, UЭБ = 0), мкА
КЭ
Обратный ток коллектора
(U
= 90 В, IЭ = 0), мкА
КБ
Обратный ток эмиттера
(U
= 4 В, IК = 0), мкА
ЭБ
Обратный ток эмиттера
(U
= 5 В, IК = 0), мкА
ЭБ
Буквенное
обозначение
1000 - -
h
21Э
h
2000 - -
21Э
I
- - 0,05
КЭК
I
- - 50
КБО
I
- - 0,05
ЭБО
I
- - 50
ЭБО
Напряжение насыщения коллектор-
- - 1,3
эмиттер*
(I
= 500 мА, IБ = 0,5 мА), В
К
U
КЭ нас
Напряжение насыщения коллектор-
U
эмиттер*
(I
= 1000 мА, IБ = 4 мА), В
К
Напряжение насыщения база-эмиттер*
(I
= 500 мА, IБ = 0,5 мА), В
К
Напряжение насыщения база-эмиттер*
(I
= 1000 мА, IБ = 4 мА), В
К
- - 1,6
КЭ нас
U
- - 1,9
БЭ нас
- - 2,2
U
БЭ нас
Граничная частота
f
(U
= 5 В, IК = 500 мА,
КЭ
150 - -
гр
f = 100 МГц), МГц
Время включения
t
(I
= 500 мА, I
Квкл
I
= -0,5 мА), нс
Бвыкл
= 0,5 мА,
Бвкл
- - 500
вкл
Время включения
t
(I
= 500 мА, I
Квкл
I
= -0,5 мА), нс
Бвыкл
= 0,5 мА,
Бвкл
Прямое напряжение диода
(I
= 0, IЭ = 1 А), В
Б
- - 1300
выкл
U
- - 3,3
пр
= (25±10) °С
окр
Мини-
мальное
Значение параметра
Типовое Макси-
мальное
* - tи ≤ 2 мс, Q / 50.
** - При измерении в схеме с общей базой: UКБ = (U
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
– 2, 0 В) В, IЭ = IК.
КЭ
4
Page 5
Указания по применению и эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ 11630, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с
дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзисторов – использование в усилителях с большим коэффициентом
усиления.
Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических
условиях, при покрытии
транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3-4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14, ЭП-730 по
ГОСТ 20824 с последующей сушкой.
Допустимое значение статического потенциала 500 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Степень
жесткости – IV.
Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки и паяльником.
Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуре –
по ОСТ 11 336.907.0.
• Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 3 мм.
• Температура припоя не выше 265 ºС.
• Время пайки не более 4 с.
• Время лужения не более 2 с.
Число допустимых перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций
не более одного.
Допускаются другие
режимы пайки при условии сохранения целостности конструкции и надежности
транзисторов, что подтверждается проведением ресурсных испытаний на предприятии потребителе.
Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий.
Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода – не менее 2 мм. Изгиб допускается в плоскости,
перпендикулярной плоскости расположения выводов.
При изгибе и формовке выводов необходимо
применять специальные шаблоны, а также обеспечить
неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом транзистора.
При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий их необходимо крепить за корпус.
Требования к надежности
• Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки t
• Наработка транзисторов t
= 50000 ч.
н
• 98-процентный срок сохраняемости транзисторов равен 10 лет.
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
не более 5⋅10-7 1/ч.
н
5
Page 6
Рисунок 1. Габаритный чертеж корпуса КТ-26 (ТО-92)
Размеры
L1 2
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
мм
min max
E 4.6 5.1
b 0.5
D 4.6 5
d 1.25 1.65
A 3.5 3.8
e 1.2573 1.2827
L 12.5 14.5
Q 0.5
6
Page 7
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
прототипы не подразумевают
КТД540А (декабрь 2011г., редакция 1.0)
7
Loading...