Page 1
КТ938Б-2
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор КТ938Б-2 предназначен применения в
схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах на частоте до 5 ГГц в составе
гибридных интегральных микросхем, микромодулях, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
• аАО.336.003 ТУ
Корпусное
• бескорпусное исполнение
исполнение
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
Таблица 2. Основные электрические параметры КТ938Б-2 при Т
окр. среды
= (25±10) °С
Паpаметpы
Обратный ток коллектора Iкбо мА Uкб=28B - 1
Емкость коллекторного перехода* Cк пФ Uкб=20B f=10МГц
Граничная частота коэффициента
передачи тока в схеме с общим
эмиттером
Коэффициент усиления по
мощности (медианное значение)
Коэффициент полезного действия
коллектора (медианное значение)
Обратный ток эмиттера Iэбо мкА Uэб=2,5 B - 100
Обозначение Ед. изм.
Режимы измеpения Min Max
Fгр* ГГц f=300МГц Iк=150мА
Uкэ=3B 1,8 -
Кур дБ Uкб=20 В f=5ГГц
Рвых=0,8 Вт
ηк Uкб=20 В f=5ГГц
Рвых=0,8 Вт
- 4,5
3 -
26 -
* справочные параметры
КТ938Б-2 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Рисунок 1. Габаритный чертеж КТ938Б-2
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТ938Б-2 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Loading...