
КТ918
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n СВЧ транзистор КТ918А-2, КТ918Б-2 предназначен для
применения в усилительных и генераторных гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках
аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
• аАО.336.006 ТУ
Корпусное исполнение
• бескорпусное исполнение
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
Таблица 2. Основные электрические параметры КТ918 при Т
окр. среды
= (25±10) °С
Паpаметpы
Обратный ток коллектора Iкбо мА Uкб=30B - 2
Емкость коллекторного перехода* Cк пФ Uкб=15 B f=10МГц Ёмкость эмиттерного перехода Сэ пФ Uэб=0 f=10МГц - 15
Граничная частота коэффициента
передачи тока*
КТ918А-2
КТ918Б-2
Обратный ток эмиттера Iэбо мкА Uэб=2,5 B - 100
Медианное значение выходной
мощности
КТ918А-2
КТ918Б-2
Обозначение Ед. изм.
Режимы измеpения Min Max
Fгр ГГц Uкэ=10B f=300МГц
Iк=100мА
Uкб=20B f=3ГГц
Рвых мВт
Рвх=125мВт Iк=100мА
Рвх=250мВт Iк=120мА
0,8
1
250
500
4,2
-
-
-
-
* справочные параметры
КТ918 (январь 2011г., редакция 1.0)
1

Рисунок 1. Габаритный чертеж КТ918А-2, КТ918Б-2
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТ918 (январь 2011г., редакция 1.0)
2