Транзисторы кремниевые, бескорпусные, эпитаксиально-планарные, n-p-n,
мощные, с демпферным диодом, с контактными площадками без
кристаллодержателя (подложки) без выводов, предназначенные для
применения в импульсных и ключевых схемах регуляторов напряжения и
других приборах широкого применения, в составе гибридных интегральных
микросхем, микросборках, обеспечивающих
транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков,
пониженного и повышенного давления, солнечной радиации
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра (режим измерения), единица
измерения
Максимально допустимое постоянное напряжение
Обозначение Норма
U
КЭ max
коллектор-эмиттер (RЭБ = 100 Ом), В
Максимально допустимое постоянное напряжение
база-эмиттер, В
Максимально допустимый постоянный ток
коллектора, А
Максимально допустимый импульсный ток
коллектора, А
Максимально допустимый постоянный ток базы, А
Максимально допустимый прямой ток диода, А
Максимально допустимый импульсный прямой
ток диода, А
Максимально допустимая температура перехода, °С
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая
мощность коллектора *, **
(притемпературекорпусаотминус 45 до 25 °С), Вт
* В составе гибридной сборки, обеспечивающей тепловое сопротивление R
** ПритемпературекорпусаТ
Р
от 25 °Сдо 125 °СР
кор
= (175 - Т
К max
U
ЭБ mах
I
К mах
I
К, и mах
I
Б mах
I
ПР, mах
I
ПР, и mах
Т
пер mах
Р
К max
Θ-пер-кор
рассчитываютпоформуле
К max
кор
)/ R
Υпер-кор
.
160
5
10
12
1,0
10
12
175
30
≤ 5.0 °С/Вт.
КТ8301А-5 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
Таблица 3. Основные электрические параметры
Наименование параметра, единица
измерения, (режим измерения)
Обратный ток коллектора
= 160 В, RБЭ = 100 Ом), мА
(U
КЭ
Обратный ток эмиттера
= 5 В, IК = 0), мА
(U
ЭБ
Статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмиттером**
(U
= 2 В, IК = 5 А, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 50)
КЭ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(I
= 0,27 А, IБ = 0,002 А, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 50), В
К
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
(I
= 5 А, IБ = 0,1 А, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 50), В
К
Напряжение насыщения база-эмиттер
(I
= 1,5 А, IБ = 0,15 А, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 50), В
К
Граничное напряжение
= 0,1 А, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 50), В
(I
К
Постоянное прямое напряжение диода
= 5 А, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 50), В
(I
Э
* Параметры, проверяемые в составе ГС
** U
= 1 В; IЭ = 5А.
КБ
Буквенное
обозначение
I
КЭR
I
ЭБО
h
21Э
U
КЭнас
U
КЭнас
U
БЭнас
U
КЭОгр
Uпр
Норма
не менее не более
-
-
-
0,1
5,0
1,0
Температура
среды, (корпуса), ºС
25
125*
-45*
- 0,1 25
100 - 25
- 0,4 25
- 0,5 25
- 0,9 25
70 - 25
- 1,8 25
400
h
21Э
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0010,010,1110
Рисунок 1. - Типовая зависимость статического коэффициента передачи