Datasheet kt8248 Datasheet [ru]

Page 1
КТ8248А, А1
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ8248А1 с демпфирующим диодом и резистором в цепи эмиттер-база). Предназначены для применения в высоковольтных ключевых схемах телевизионных приемников, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежный прототип
• Прототип – BU2506D
Особенности
• Диапазон
рабочих температур от - 25 до + 125°C
Обозначение технических условий
• АДБК.432.140.903 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 База
№2 Коллектор
№3 Эмиттер
КТ8248 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8248 при Т
окр. среды
= 25 °С
Паpаметpы Обозн. Ед.
Режимы измеpения Min Max
изм.
Граничное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гp. B Iк=100mA, Iб=0,
700
-
L= 40 мГн Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэк мА Uкэк =1500B Uбэ=0 - 1,0 Обратный ток эмиттера КТ8248А
Iэбо мA Uэб=7,5B; Iк=0
1,0
КТ8248А1 95 208 Статический коэффициент передачи тока * КТ8248А* КТ8248А1*
1
1
h21э Uкэ=5B, Iк=3A,
t
≤ 300 мс, Q≥100
и
Uкэ=5B, Iк=0,3A,
t
≤ 300 мкс, Q≥100
и
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ(нас) В Iк=3 A, Iб=0,79 А,
t
≤ 300 мкс, Q≥100
и
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас) В Iк=3 A, Iб=0,79 А,
t
≤ 300 мкс, Q≥100
и
Сопротивление резистора эмиттер-база КТ8248А1* Емкость коллекторного перехода*
1
1
Rэб Ом Uэб=7,5 В, Iк=0
Ск пФ Uкб=10 В, f=1 МГц - 90
3,8
-
-
- 3,0
- 1,1
35 80
9,0
60 30
Вpемя спада *1 tсп. мкс Uк=500В, Iк =3 А - 0,5 Вpемя рассасывания *1 tрас. IБ1=0,67А, IБ2=-1,3А 6,0 Постоянное прямое напряжение диода КТ8248А1
Uпр. В
Iпр=3 A, t
Q≥100
≤ 300 мкс,
и
2,0
* В схеме с общей базой – Uкб=3,9 В, Iэ=3,5А
1
*
Справочные параметры
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8248
Параметры Обозначение Ед. измер. Значен.
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uэб=0) Uкэк max В 1500 Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max В 700 Постоянное напряжение эмиттер-база Uэб max В 7,5 Постоянный ток коллектора
Iк max А 5 (при условии непревышения Pк max и при Uкэ≤ 18 В) Импульсный ток коллектора (t и ≤ 10 мс)
Iк и max А 8
Постоянный ток базы Iб max А 3 Импульсный ток базы (t и ≤ 10 мс)
Iб и max А 5 Запирающий ток базы (средний за 20 мс) Iб зап. max мА 100 Импульсный запирающий ток базы Iб зап. и max А 4 Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при
Pк max Вт 90 Ткорп ≤25°С Температура перехода Tпер.max °C 150 Тепловое сопротивление переход-корпус Rtпер-корп
°С/Вт
1,39
КТ8248 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТ8248 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Loading...