Page 1
КТ8247А
n-p-n кремниевый
эпитаксиально-планарный
высоковольтный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы со встроенным антинасыщающим
элементом и встроенным обратно смещенным диодом между эмиттером и коллектором. Предназначены
для применения в преобразователях напряжения, пускорегулирующих устройствах осветительных
приборов, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежный прототип
• Прототип – BUL45D2
Особенности
• Диапазон
рабочих температур от - 25 до + 125°C
Обозначение технических условий
• АДБК 432140.902 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 База
№2 Коллектор
№3 Эмиттер
КТ8247А (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8247А при Т
окр. среды
= 25 °С
Паpаметpы Обозн. Ед. изм. Режимы измеpения Min Max
Граничное напряжение
коллектор-эмиттер
Uкэо гp. B Iк=100 mA, IБ=0, L=40 мГн 400 Тип.
440
Обратный ток коллектора Iкэк мкА Uкэ=700, Uэб=0 - 100
Обратный ток эмиттера Iэбо мкA Uэб=10B, Iк=0 - 100
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо мкA
Статический коэффициент
h
Uкэ=1 B, Iк=0,8 A
21Е
передачи тока
Uкэ=400 В, Rбэ = ∞
Uкэ=1 B, Iк=2,0A
- 100
22
10
-
-
( tи ≤ 300мкс, Q ≥ 100)
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер
( tи ≤ 300мкс, Q ≥ 100)
Напряжение насыщения базаэмиттер ( tи ≤ 300мкс, Q ≥ 100)
Uкэ нас В Iк= 2 А, IБ= 0,4 A
Iк= 0,8 А, I
Iк= 0,8 A, I
= 80 м A
Б
= 40 м A
Б
Uбэ нас В Iк=2 A, IБ=0,4 A
Iк= 0,8A, I
=80 мA
Б
Время включения t вкл мкс Uкб= 300 В, Iк=2 A, IБ1= 0,4 А,
= 1 A
I
Б2
Время выключения t выкл мкс Uкб= 300 В, Iк=2 A, IБ1= 0,4 А,
I
= 1 A
Б2
Прямое напряжение диода Uпр В
Iпр= 2 А, tи ≤ 300мкс, Q ≥ 100
-
-
-
-
0,75
1,3
Тип. 1,2 1,6
0,5
0,4
0,75
1,0
1,0
Емкость коллекторного перехода Ск пФ Uкб=10B, Iэ=0, f=1МГц 90
Емкость эмиттерного перехода Сэ пФ Uэб=8B, Iэ=0, f=1МГц 600
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8247А
Параметры Обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-эмиттеp (Uбэ = 0) Uкэк max В 700
Напpяжение коллектоp-эмиттеp (IБ = 0) Uкэ max В 400
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 12
Постоянный ток коллектора Iк max А 5
Импульсный ток коллектора (tu ≤ 5 мс, Q ≥ 10)
Iк, и max А 10
Постоянный ток базы Iб max А 2
Импульсный ток базы (tu ≤ 5 мс, Q ≥ 10)
Рассеиваемая мощность коллектора
Iб, и max А 4
Pк max Вт 75
(Ткорп от - 25 до + 25 °C)
Температура перехода Tj °C 150
Тепловое сопротивление переход - корпус Rtпер-корп. °C/Вт норма 1,67
КТ8247А (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
прототипы не подразумевают
КТ8247А (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Loading...