Datasheet kt8225 Datasheet [ru]

КТ8225А

n-p-n кремниевый

эпитаксиально-планарный

составной транзистор

Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона)
с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и ограничительным (в цепи коллектор­база) диодами. Предназначены для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в
узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

•

BU941ZP фирмы STMicroelectronics

Особенности

• интегральный демпфирующий диод

• интегральный ограничительный диод

• диапазон рабочих температур от - 45 до + 125°C

• климатическое исполнение УХЛ 5.1 по ГОСТ 15150

Обозначение технических условий

• АДБК.432140.818 ТУ

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) – КТ8225А

• бескорпусной вариант в виде кристаллов – КТ8225А-5

Назначение выводов

Вывод Назначение

№1 База

№2 Коллектор

№3 Эмиттер

КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1)

1

Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8225А при Т

окр. среды

= +25 °С

Параметры Обозн.

Ед,

изм.

Режим измерения Mин. Maкс.

Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо мA Uкэ=300В, Iб=0 0,1

Обратный ток эмиттера Iэбo мA Uэб= 5В,Iк=0 20

Напряжение насыщения
коллектор - эмиттер (1)

Напряжение насыщения
база-эмиттер (1)

Статический коэффициент передачи
тока (1,2)

Граничное напряжение коллектор –
эмиттер

Iк=8A,Iб=100мА

Uкэ (нас) В

Iк=10A,Iб=250мА
Iк=12A,Iб=300мА

Iк=8A,Iб=100мА

Uбэ (нас) В

Iк=10A,Iб=250мА
Iк=12A,Iб=300мА

h21Э Uкэ=10В,Iк=5A 300

Uкэо гр В

Iк=100мA,Iб=0
tu ≤300 мкс, Q ≥100

350 500

1,8
1,8
2,0

2,2
2,5
2,7

Прямое напряжение на диоде Uпр.д В Iэ=10А 2,5

Время рассасывания tрас. * 15

мкс

Время спада tсп. *

Импульсная энергия на
индуктивной нагрузке

Еимп.* мДж

Iк=7A, Uкэ=300В,
Iб1= Iб2=70мА

Iк=10A, Uк=24В,
L=7мГн

типов.

0,5

350

* - Справочные параметры

(1) Импульсный режим: tu ≤300 мкс, Q ≥50,
(2) Режим измерения для схемы с общей базой: Uкб= 7,5В, Iэ=Iк

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8225А

Паpаметpы Обозначение

Ед.

изм.

Значение

Напpяжение коллектоp-эмиттеp Uкэо max В 350

Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5

Постоянный ток коллектора Iк max А 15

Импульсный ток коллектора Iки max А 30

Постоянный ток базы Iб max А 1

Импульсный ток базы Iби max А 5

Рассеиваемая мощность коллектора: Pк max Вт 155

Температура перехода Tj °C 175

Тепловое сопротивление переход-корпус Rt пер-кор °C/Вт 0,97

КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1)

2

КТ8225А-5

уточнение при поставке транзисторов в

бескорпусном исполнении в соответствии с РД 11 0723

Назначение

Бескорпусные (без кристаллодержателя и без выводов) кремниевые эпитаксиально-планарные
биполярные составные транзисторы с интегральными демпфирующим (в цепи коллектор-эмиттер) и
ограничительным (в цепи коллектор-база) диодами. Предназначены для работы в схемах электронного
управления зажигания, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Назначение контактных площадок

• площадка №1 – База

• площадка №2 – Эмиттер

Вид поставки и упаковка

• кристаллы на общей пластине (неразделенные)

• кристаллы в индивидуальной таре (разделенные)

Таблица 3. Физические характеристики КТ8225А-5

Наименование Значение характеристики

Диаметр пластины, мм 100

Размер кристалла (на пластине), мм

Размер контактной площадки эмиттер, мкм

Размер контактной площадки база, мкм

4,5 × 5,5

1900 × 1200

1250 × 1000

Толщина пластины, мкм

Металлизация планарной стороны Al

Металлизация непланарной стороны Ti-Ni-Ag

300 ± 20

КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1)

3

Таблица 4. Основные электрические параметры КТ8225А-5 при Т

окр. среды

= +25 °С

Параметры Обозн.

Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо мA Uкэ=300В, Iб=0 90

Обратный ток эмиттера Iэбo мA Uэб= 5В,Iк=0 19

Напряжение насыщения
коллектор - эмиттер (1)

Напряжение насыщения
база-эмиттер (1)

Статический коэффициент передачи
тока (1,2)

Граничное напряжение
коллектор – эмиттер (1)

Прямое напряжение на диоде (1) Uпр.д В Iпр=8А 2,44

Uкэ (нас) В Iк=8A, Iб=100мА

Uбэ (нас) В Iк=8A, Iб=0,1А

h21Э Uкэ=8В, Iк=5A 315

Uкэо гр В

Ед,

изм.

Режим измерения Mин. Maкс.

1,75

2,14

Iк=100мA, Iб=0

355 495

(1) Импульсный режим: tu ≤300 мкс, Q ≥100,
(2) Режим измерения для схемы с общей базой: Uкб= 7,5В, Iэ=Iк

ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные

полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте:

http://www.integral.by

прототипы не подразумевают

КТ8225А (декабрь 2011г., редакция 1.1)

4