Page 1
КТ637
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор КТ637А-2, КТ637Б-2 предназначен для
применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования
частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры
специального назначения.
Обозначение технических условий
• аАО.336.502 ТУ
Корпусное исполнение
• бескорпусное исполнение
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
КТ637 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Предельно-допустимые режимы эксплуатации КТ637
Паpаметpы Обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-база Uсв max В 30
Напpяжение эмиттер-база Uев max В 2,5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора Ic max мА 200
Максимально допустимый импульсный ток коллектора Ic, и max мА 300
Постоянный ток базы Iв max mA 100
Температура перехода Тj
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая
Рc max Вт 1,5
0
C 150
мощность коллектора Uкб≤10В, -60°С≤Θтепл≤25°С
Максимально допустимая рассеиваемая мощность
коллектора (в динамическом режиме) -
Р кд mах Вт 2
60°С≤Θтепл≤25°С f≥800 МГц
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность транзистора
Р и max Вт 2,5
Где Θтепл – температура теплоотвода
Таблица 2. Основные электрические параметры КТ637 при Т
Паpаметpы
Обозначение Ед.
изм.
Обратный ток коллектора
Iкбо мкА Uкб=30B
КТ637А-2
КТ637Б-2
окр. среды
= (25±10) °С
Режимы
измеpения
Min Max
0,01
0,01
10
2000
Обратный ток эмиттера Iэбо мкА Uэб=2,5 B 0,01 100
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме с общим эмиттером
КТ637А-2
КТ637Б-2
Постоянная времени цепи обратной связи
на высокой частоте
КТ637А-2
КТ637Б-2
Выходная мощность транзистора
(медианное значение)
КТ637А-2
КТ637Б-2
Емкость коллекторного перехода
КТ637А-2
КТ637Б-2
Fгр* ГГц Uкэ=10B
f=300МГц
Iк=100мА
1,3
0,8
пс Uкб=10 В,
t
к
Iэ=30мА
F=100МГц
0,7
3
Рвых мВт Uкб=20 В
f=3*10
3
МГц
Iк=100мА
Рвх=200мВт
Рвх=125мВт
400
150
Cк пФ Uкб=15B f=10МГц
2,4
2,4
3,5
3,5
3
15
1000
500
4,6
4,5
Ёмкость эмиттерного перехода Сэ пФ Uэб=0 f=10МГц 10,5 17
Критический ток Iкр мА Uкэ=10B
200 600
f=300МГц
Ёмкость эмиттер-база Сэб пФ 0,4 0,48
Ёмкость коллектор-база Скб пФ 0,56 0,66
Ёмкость коллектор-эмиттер
КТ637А-2
КТ637Б-2
Индуктивность базы
КТ637А-2
КТ637Б-2
Скэ пФ
0,008
0,08
Lб нГ
0,104
0,104
0,012
0,012
0,112
0,12
Индуктивность эмиттера Lэ нГ 0,22 0,38
Индуктивность коллектора Lк нГ 0,3 0,62
КТ637 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
Рисунок 1. Габаритный чертеж КТ637А-2, КТ637Б-2
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТ637 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Loading...