Page 1
КТ624
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы КТ624А-2, КТ624АМ-2 предназначены для
применения в системах памяти ЭВМ в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и
аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного
тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Обозначение технических условий
• аАО.336.152 ТУ
Транзистор КТ624А-2
КТ624 (январь 2011г., редакция 1.0)
Транзистор КТ624АМ-2
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ624 при Т
окр. среды
= 25 °С
Паpаметpы
Обратный ток коллектора Iкбо mкА Uкб=30B
Статический коэффициент передачи
тока в схеме с общим эмиттером
Обозначение Ед. изм.
измеpения
h21Е U
CE
=1B
Iк=300mA
Режимы
Min Max
- 100
30 180
Q≥50
Напряжение насыщения коллекторэмиттер
Uкэнас
В
Iк=1000mA
Iб=100mA
0,9
Обратный ток эмиттера Iэбо mА Uэб=4 B - 100
Время рассасывания
t
рас
нс
I
Б1=IБ2
=100mA
I
К
=100mA
18
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТ624 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Loading...